The present application discloses a high luminosity LED chip including a substrate, an insulating buffer layer, an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer and a current transport layer formed on the substrate in turn, and an n-electrode and a p-electrode electrically connected with an n-type semiconductor layer and a current transport layer respectively, and a distributed Bragg. The distributed Bragg reflector is formed between the current transfer layer and the p-type semiconductor layer, and the distributed Bragg reflector corresponds directly below the P electrode. This application also provides a high light rate LED device. By means of distributed Bragg reflector, on the one hand, the current can be blocked, so that the current can not be concentrated in the lower region of the P electrode; on the other hand, the influence of the shading effect of the p electrode on the light emission efficiency can be reduced.
【技术实现步骤摘要】
高出光率的LED芯片和高出光率LED器件
本申请属于LED
，特别是涉及一种高出光率的LED芯片和高出光率LED器件。
技术介绍
目前，LED芯片的光提取效率已经成为限制LED发光效率的主要因素。为了提高GaN基LED的光提取效率，在p型GaN层表面通常设置一层电流传输层，以提高LED芯片的电流扩散能力。但是，仍会有很大部分的光被不透光的电极阻挡，从而限制了光的提取效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高出光率的LED芯片和高出光率LED器件，以克服现有技术中的不足。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本申请实施例公开一种高出光率的LED芯片，包括衬底、以及依次形成于衬底上的绝缘缓冲层、n型半导体层、有源层、p型半导体层和电流传输层，还包括分别与n型半导体层和电流传输层电性连接的n电极和p电极，还包括分布式布拉格反射镜，分布式布拉格反射镜形成于所述电流传输层和p型半导体层之间，所述分布式布拉格反射镜对应于所述p电极的正下方。优选的，在上述的高出光率的LED芯片中，所述p型半导体层的顶面凹设形成有一沟槽，该沟槽对应于p电极的正下方，分布式布拉格...
【技术保护点】
1.一种高出光率的LED芯片，其特征在于，包括衬底、以及依次形成于衬底上的绝缘缓冲层、n型半导体层、有源层、p型半导体层和电流传输层，还包括分别与n型半导体层和电流传输层电性连接的n电极和p电极，还包括分布式布拉格反射镜，分布式布拉格反射镜形成于所述电流传输层和p型半导体层之间，所述分布式布拉格反射镜对应于所述p电极的正下方。
【技术特征摘要】
1.一种高出光率的LED芯片，其特征在于，包括衬底、以及依次形成于衬底上的绝缘缓冲层、n型半导体层、有源层、p型半导体层和电流传输层，还包括分别与n型半导体层和电流传输层电性连接的n电极和p电极，还包括分布式布拉格反射镜，分布式布拉格反射镜形成于所述电流传输层和p型半导体层之间，所述分布式布拉格反射镜对应于所述p电极的正下方。2.根据权利要求1所述的高出光率的LED芯片，其特征在于，所述p型半导体层的顶面凹设形成有一沟槽，该沟槽对应于p电极的正下方，分布式布拉格反射镜至少形成于沟槽内，所述分布式布拉格反射镜的面积大于沟槽的面积。3.根据权利要求1所述的高出光率的LED芯片，其特征在于，所述分布式布拉格反射镜的厚度为0.4～0.8μm。4.根据权利要求1所述的高出光率的LED芯片，其特征...
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