基于多周期量子阱结构的HEMT器件制造技术

本发明专利技术公开了一种基于多周期量子阱结构的HEMT器件，包括衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；量子阱有源层包括：势垒层、隔离层、沟道层和缺陷层；量子阱有源层上设置源极、漏极和栅极，栅极位于量子阱有源层的中间，源极和漏极位于量子阱有源层的两侧。本发明专利技术通过引入缺陷层俘获电子，使器件可以快速关断；通过生长多周期量子阱异质结，产生多个导电通道层，增加了器件的功率处理能力；通过使用台面结构，有效解决常规表面电极引起的内部电场弯曲问题，漏、源电压可以无差别的加载到多周期异质结两端；该器件的成功研发将使HEMT器件向更高频、高速、大功率领域发展。

HEMT device based on multi period quantum well structure

The invention discloses a HEMT device based on multi quantum well structure cycle comprises a substrate, a buffer layer growth substrate, growth of quantum well active layer on the buffer layer; quantum well active layer comprises a barrier layer, isolation layer, channel layer and defect layer; quantum well active layer is arranged on the source and drain located in the middle gate and gate, quantum well active layer, a source electrode and a drain electrode is positioned on both sides of the quantum well active layer. By introducing the defect layer electron capture, the device can quickly turn off the growth cycle; multi quantum well heterostructures, generating a plurality of conductive channel layer, increases the power handling capability of the device; through the use of mesa structure, effectively solve the bending problem of internal electric field caused by conventional surface electrodes, drain and source voltage can no the difference is loaded into the multi cycle heterojunction at both ends; the successful development of the device will make HEMT devices to a high frequency, high speed, high power field.

【技术实现步骤摘要】
基于多周期量子阱结构的HEMT器件
本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种基于多周期量子阱结构的HEMT器件。
技术介绍
HEMT(HighElectronMobilityTransistor)，高电子迁移率晶体管，是一种异质结场效应晶体管，能够工作于超高频(毫米波)、超高速领域。由于InP材料具有高饱和电子迁移率、高击穿电场、良好的热导率，InP基的晶格匹配HEMT，其性能比GaAs基的HEMT更为优越，随着InP单晶的制备取得进展，InP基的HEMT性能也得到很大的提高。相比于GaAs基的HEMT，InP基的HEMT具有更高的转换效率、工作频率、输出功率和低噪声等特性，使得其在高频、高速、大功率方面有着重要应用。InP基的HEMT常温300K下，In0.52Al0.48As的禁带宽度为1.47eV，In0.53Ga0.47As的禁带宽度为0.74eV，两者导带能级相差0.44eV，具有较大的导带不连续性。因而，在InGaAs沟道中可以产生高迁移率、高浓度的二维电子气，使InP基HEMT器件保持高频、高速、大功率的性能。目前，人们已经利用InGaAs/InAlAs异质结设计出可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：包括衬底(9)，衬底(9)上生长缓冲层(8)，缓冲层(8)上生长量子阱有源层；其中，量子阱有源层包括：势垒层(1)、隔离层(2)、沟道层(3)和缺陷层(4)；量子阱有源层上设置源极(5)、漏极(6)和栅极(7)，栅极(7)位于量子阱有源层的中间，源极(5)和漏极(6)位于量子阱有源层的两侧。

【技术特征摘要】
1.一种基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：包括衬底(9)，衬底(9)上生长缓冲层(8)，缓冲层(8)上生长量子阱有源层；其中，量子阱有源层包括：势垒层(1)、隔离层(2)、沟道层(3)和缺陷层(4)；量子阱有源层上设置源极(5)、漏极(6)和栅极(7)，栅极(7)位于量子阱有源层的中间，源极(5)和漏极(6)位于量子阱有源层的两侧。2.根据权利要求1所述的基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：势垒层(1)、隔离层(2)、缺陷层(4)和缓冲层(8)的材料为InAlAs，沟道层(3)的材料为InGaAs。3.根据权利要求1所述的基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：势垒层(1)、隔离层(2)、缺陷层(4)和缓冲层(8)的材料为AlGaN，沟道层(3)的材料为GaN。4.根据权利要求1所述的基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：势垒层(1)、隔离层(2)、沟道层(3)、缺陷层(4)和缓冲层(8)宽度相同，衬底(...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨春，宋振杰，贾少鹏，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32