GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路技术方案

本发明专利技术公开了一种GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路，包括MCU、译码器、多路选择器、ADC、DAC、栅极驱动功率放大器和采样电阻；多路并列的被测GaN微波功率器件，每路被测GaN微波功率器件栅极均与一栅极驱动功率放大器的输出端连接，每路栅极驱动功率放大器的输入端均对应地与一路DAC的信号输出端连接，每路DAC的信号输入端连接至MCU，每路DAC的片选信号端均连接至译码器，译码器由MCU控制工作；每路被测GaN微波功率器件的漏极电流分别经多路选择器对应的一路采集至MCU中。本电路能达到每路的被测器件漏极电流一致，大大减少了调试工作量，提高了工作效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种实时电流监测电路，尤其涉及一种GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路。
技术介绍
GaN微波功率器件已经大量应用于雷达及其它通信系统中，功率器件的可靠性直接影响整个系统的正常工作，因此需要对其进行可靠性验证。一般的直流老化测试电路中，栅极偏置采用电阻串联分压的方式。由于每个器件的开启电压差别较大，多路测试中每一路都采用同一栅压的偏置方法会引起被测器件静态电流差别很大，这样将导致每路被测器件的静态功耗不一致，也会引起被测器件结温差别很大。一般的直流老化测试系统中，要求结温的误差控制在±5°，通常的做法采用可调电阻的方式改变每路被测器件的栅极电压，使每路的漏极静态电流达到一致。此方法的缺陷为调试工作量巨大，试验效率低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种用于GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路，可自动调节每路被测器件栅极电压，达到每路的被测器件漏极电流一致。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路，其特征是，包括MCU、译码器、多路选择器、ADC、DAC、栅极驱动功率放大器和采样电阻；多路并列的被测GaN微波功率器件，每路被测GaN微波功率器件栅极均与一栅极驱动功率放大器的输出端连接，每路栅极驱动功率放大器的输入端均对应地与一路DAC的信号输出端连接，每路DAC的信号输入端连接至MCU，每路DAC的片选信号端均连接至译码器，译码器由MCU控制工作；每路被测GaN微波功率器件的漏极电流分别经多路选择器对应的一路采集至MCU中。每路被测GaN微波功率器件漏极经采样电阻后均连接至多路选择器对应的一路中，使被测GaN微波功率器件漏极电流经采样电阻采样后由多路选择器传送至ADC进行模数转换后将信号传送至MCU。每路被测GaN微波功率器件漏极均经一采样电阻接工作电压VDD。每路DAC的信号输入端分别通过一数据总线连接至MCU。每路DAC的片选信号端分别通过一片选总线与连接至译码器.本专利技术所达到的有益效果：本电路采用自动控制电路调节每路被测器件栅压，以达到每路的被测器件漏极电流一致。大大减少了调试工作量，提高了工作效率。针对被测器件数量较多，器件之间的开启电压一致性差的老化系统，本电路可以自动调节每一路电压，使每路测试器件的静态工作点相近。考虑到不同被测器件驱动电流大小不同，在电路中增加栅极驱动运放，使不同规格的被测器件可以正常工作。本电路中增加多路选择器，可以同时控制多路测试器件，提高老化试验效率。在老化过程中，可实时采集电流数据，通过有线或无线的方式传至数据中心实施无人监测。附图说明图1是本专利技术的电路图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。如图1所示，本专利技术的电路包括MCU、译码器、多路选择器、ADC（模/数转换器）、DAC（数/模转换器）、栅极驱动功率放大器和采样电阻等。多路并列的被测GaN微波功率器件，每路被测GaN微波功率器件栅极均与一栅极驱动功率放大器的输出端连接，每路栅极驱动功率放大器的输入端均对应地与一路DAC的信号输出端连接，每路DAC的信号输入端均通过数据总线连接至MCU，每路DAC的片选信号端均通过片选总线连接至译码器，译码器由MCU控制。每路被测GaN微波功率器件漏极均经一采样电阻接工作电压VDD。每路被测GaN微波功率器件漏极经采样电阻后均连接至多路选择器对应的一路中，使被测GaN微波功率器件漏极电流经采样电阻采样后由多路选择器传送至ADC进行模数转换后将信号传送至MCU。MCU根据各路被测GaN微波功率器件的采样电流数据，控制译码器，经选择的一路DAC、栅极驱动功率放大器，对该路被测GaN微波功率器件施加电压，自动调节每路被测器件栅极电压，从而调节达到每路的被测器件漏极电流一致。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路，其特征是，包括MCU、译码器、多路选择器、ADC、DAC、栅极驱动功率放大器和采样电阻；多路并列的被测GaN微波功率器件，每路被测GaN微波功率器件栅极均与一栅极驱动功率放大器的输出端连接，每路栅极驱动功率放大器的输入端均对应地与一路DAC的信号输出端连接，每路DAC的信号输入端连接至MCU，每路DAC的片选信号端均连接至译码器，译码器由MCU控制工作；每路被测GaN微波功率器件的漏极电流分别经多路选择器对应的一路采集至MCU中。

【技术特征摘要】
1.一种GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路，其特征是，包括MCU、译码器、多路选择器、ADC、DAC、栅极驱动功率放大器和采样电阻；
多路并列的被测GaN微波功率器件，每路被测GaN微波功率器件栅极均与一栅极驱动功率放大器的输出端连接，每路栅极驱动功率放大器的输入端均对应地与一路DAC的信号输出端连接，每路DAC的信号输入端连接至MCU，每路DAC的片选信号端均连接至译码器，译码器由MCU控制工作；
每路被测GaN微波功率器件的漏极电流分别经多路选择器对应的一路采集至MCU中。
2.根据权利要求1所述的GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路，其特征是，每路被测GaN微波功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈美根，关晓龙，陈强，
申请(专利权)人：江苏博普电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32