执行电子器件的晶片级老化的方法技术

描述了执行半导体器件的晶片级老化（ＷＬＢＩ）的方法，其中，系统设置为具有至少两个电极（２１０、２１５）。电偏压（９２０）和／或热功率（９２５）施加在具有用于由晶片承载的半导体器件的前后电接触件的晶片（１００）的每个侧面上。柔性导电层（９１０）描述为用于用电接触件来供给晶片的器件侧面上的引脚，和／或还用于保护晶片不受到施加到其表面上的机械压力。还描述了使用冷却系统（９５０）来使得可以施加均匀的温度到受到老化的晶片。晶片级老化这样执行，即，通过使用上部接触板来将电和机械接触（９１５）施加到用于半导体器件的单个接触件；使用下部接触板（９１０）来将电和机械接触施加到所述半导体晶片的衬底表面；从连接到所述上下接触板的电源通过所述上下第二接触板来给所述半导体器件提供电能（９２０）；根据特定的老化标准监测和控制给所述半导体器件的电能（９３５）一段时间；在所述一段时间（９５５）完成时去除电能；以及去除到给述半导体晶片的电和机械接触（９６５）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子器件的热和电老化。更具体的，本专利技术涉及可以通过使用两个与晶片的相对侧接触的电接触件的应用到半导体工业的部件的晶片级老化方法。本专利技术还涉及垂直共振腔表面发射激光器(VCSEL)的晶片级老化。
技术介绍
目前，在大多数电子部件中使用固态半导体器件。例如，在诸如光电子通讯系统和高速打印系统之类的应用中，半导体激光器是重要的器件。尽管边缘发射激光器目前用于大部分的应用中，但是对垂直共振腔表面发射激光器(VCSEL)的兴趣持续增加。对于VCSEL感兴趣的一个理由在于边缘发射激光器产生具有大的角发散的束，使得有效收集发射的束更加困难。此外，边缘发射激光器直到晶片被劈开成单个的器件才能进行测试，这些器件的边缘形成每个器件的反射镜小平面。另一方面，不但VCSEL的束具有小的角发散，而且VCSEL发射垂直于晶片表面的光。此外，由于VCSEL在它们的设计中整体地引入了反射镜，所以它们允许晶片上的测试，以及制造一维或者两维激光器阵列。在单个晶片上制造超过60000个半导体激光器部件是普通的。VCSEL通常通过在衬底材料上生长几层反射材料来制造。VCSEL包括通过半导体生产技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片级老化的方法，其包括的步骤为：（ａ）使用下部接触板来施加电和机械接触到半导体晶片的衬底表面（９１０）；（ｂ）使用上部接触板来施加电和机械接触到与由所述半导体晶片承载的半导体器件相连的单个接触件（９２０）；（ｃ ）从连接到所述第一和第二接触板的电源通过所述上下第二接触板提供电能（９２０）到所述半导体器件；（ｄ）监测和控制（９３５）给所述半导体器件的电能一段根据特定的老化标准设置的时间；（ｅ）当所述一段时间完成时去掉电能（９５５）；以 及（ｆ）从所述半导体晶片去除电和机械接触（９６５）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：MJ哈吉谢克，JR比亚尔，BM豪金斯，S拉比诺维奇，JK冈特，
申请(专利权)人：菲尼萨公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]