一种S波段混合集成电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电路技术领域，具体为一种S波段混合集成电路，包括封装管壳，封装管壳的内部设置有两级放大电路，封装管壳上设置有栅极供电端、信号输入端引脚、信号输出端引脚和漏极供电端，两级放大电路包括前级放大电路以及后级放大电路，前级放大电路包括前级4瓦GaN芯片以及输入两级匹配电路，后级放大电路包括后级24瓦GaN芯片以及输入输出两级匹配电路。本实用新型专利技术中器件为50欧姆匹配，方便使用，利用有限空间完成两级GaN芯片匹配，同时使用贴片电容和金丝便于调试；内部集成偏置电路使得器件贴装更方便，滤波电容和隔直电容让器件性能更加稳定，最终实现一种S波段微小密集型、高增益以及较高效率的混合集成放大器电路。

【技术实现步骤摘要】
一种S波段混合集成电路
本技术涉及一种集成电路，特别是涉及一种S波段混合集成电路，属于电路

技术介绍
GaN微波功率器件有着功率密度高，效率高，工作频率更高等特点，在军品和民品市场方面，相比于其他工艺的产品具有较大的优势，因此得到了广泛应用，目前由于微型化和低成本的要求，器件一般采用通用的封装管壳进行器件封装，由于器件内部空间有限，同时又需要放入GaN芯片、偏置电路、匹配电路、滤波电容等多种元器件，这就使器件的增益有了一定局限性，在这样的条件下，要实现微小密集型、高增益以及较高效率的微波链路功率放大器就比较困难。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种S波段混合集成电路，本技术中器件为50欧姆匹配，方便使用；器件外形尺寸小，利用有限空间完成两级GaN芯片匹配，同时使用贴片电容和金丝便于调试；内部集成两级馈电电路的偏置电路使得器件贴装更方便，集成一体化有利于提高效率；滤波电容和隔直电容让器件性能更加稳定，最终实现一种S波段微小密集型、高增益以及较高效率的混合集成放大器电路。为了达到上述目的，本技术采用的主要技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种S波段混合集成电路，包括封装管壳（1），其特征在于，所述封装管壳（1）的内部设置有两级放大电路，所述封装管壳（1）上设置有与所述两级放大电路连接的栅极供电端（2）、信号输入端引脚（3）、信号输出端引脚（4）和漏极供电端（5），所述栅极供电端（2）通过微带线与所述两级放大电路电性连接，所述信号输出端引脚（4）通过微带线与所述两级放大电路电性连接；/n所述两级放大电路包括前级放大电路以及后级放大电路，所述前级放大电路包括前级4瓦GaN芯片（10）以及输入两级匹配电路，所述输入两级匹配电路包括串联电感以及第一匹配电容（9），所述串联电感和所述第一匹配电容（9）串联；/n所述后级放大电路包括后...

【技术特征摘要】
1.一种S波段混合集成电路，包括封装管壳（1），其特征在于，所述封装管壳（1）的内部设置有两级放大电路，所述封装管壳（1）上设置有与所述两级放大电路连接的栅极供电端（2）、信号输入端引脚（3）、信号输出端引脚（4）和漏极供电端（5），所述栅极供电端（2）通过微带线与所述两级放大电路电性连接，所述信号输出端引脚（4）通过微带线与所述两级放大电路电性连接；
所述两级放大电路包括前级放大电路以及后级放大电路，所述前级放大电路包括前级4瓦GaN芯片（10）以及输入两级匹配电路，所述输入两级匹配电路包括串联电感以及第一匹配电容（9），所述串联电感和所述第一匹配电容（9）串联；
所述后级放大电路包括后级24瓦GaN芯片（13）以及输入输出两级匹配电路，所述输入输出两级匹配电路包括串联电感、绕圈贴片电感（14）、第二匹配电容（12）以及第三匹配电容（15），所述串联电感、所述绕圈贴片电感（14）、所述第二匹配电容（12）和所述第三匹配电容（15）串联。


2.根据权利要求1所述的一种S波段混合集成电路，其特征在于：所述封装管壳（1）的内部设置有偏置电路（16），所述偏置电路（16）包括偏置电路输入端（161）、第三偏置电容（168）、第四偏置电容（169）、第五偏置电容（1611）以及偏置电路输出端（162），所述偏置电路输入端（161）与所述信号输入端引脚（3）连接。


3.根据权利要求2所述的一种S...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，陈强，王嘉伟，南帅，张卫平，
申请(专利权)人：江苏博普电子科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32