一种射频偏置电路封装结构制造技术

一种射频偏置电路封装结构，射频偏置电路封装结构包括封装部件，封装部件内封装有功率放大器；射频偏置电路，射频偏置电路包括射频扼流部件，功率放大器电连接输出负载的端口经由射频扼流部件电连接至直流偏置电压源；封装部件覆盖射频扼流部件。通过本发明专利技术的技术方案，在实现了射频扼流部件与功率放大器连接关系，避免了射频信号影响直流偏置电压源特性的同时，避免了射频偏置电路在印刷电路板上设置较长的偏置线导致的功率放大器模块占用大面积的印刷电路板的问题，有利于减小功率放大器模块的尺寸，提高印刷电路板的集成度。

【技术实现步骤摘要】
一种射频偏置电路封装结构
本专利技术实施例涉及封装领域，尤其涉及一种射频偏置电路封装结构。
技术介绍
功率放大器是无线通信系统中重要的组成部分，功率放大器用于将输入信号进行放大后输出，在功率放大器执行放大功能的过程中，功率放大器将直流能量转化为射频能量。目前，功率放大器模块难以与其它模块集成，绝大部分的功率放大器模块以单独模块的形式接入整机系统中，这使得功率放大器模块会占用无线通信系统整机的较大尺寸，不利于无线通信系统整机的小型化。另外，传统的功率放大器在实际工作时需要设置有配合功率放大器的偏置电路，以为功率放大器执行放大功能提供偏置电压，但是，目前采用的功率放大器的偏置电路需要在印刷电路板上引入较长的偏置线，而较长的偏置线占用了印刷电路板较大的面积，印刷电路板集成度较低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种射频偏置电路封装结构，在实现了射频扼流部件与功率放大器连接关系，避免了射频信号影响直流偏置电压源特性的同时，避免了射频偏置电路在印刷电路板上设置较长的偏置线导致的功率放大器模块占用大面积的印刷电路板的问题，有利于减小功率放大器模块的尺寸，提高印刷电路板的集成度。本专利技术实施例提供了一种射频偏置电路封装结构，包括：封装部件，所述封装部件内封装有功率放大器；射频偏置电路，所述射频偏置电路包括射频扼流部件，所述功率放大器电连接输出负载的端口经由所述射频扼流部件电连接至直流偏置电压源；所述封装部件覆盖所述射频扼流部件。进一步地，所述封装部件包括多个焊盘，所述射频扼流部件对应所述封装部件的部分焊盘所在区域设置，所述射频扼流部件与所述部分焊盘电连接。进一步地，所述射频扼流部件沿所述部分焊盘的排列方向延伸。进一步地，所述封装部件内还封装有谐振电路，所述谐振电路包括谐振电感和谐振电容，所述谐振电感的第一端电连接所述射频扼流部件的一端对应的所述焊盘，所述谐振电感的第二端电连接所述谐振电容的第一端，所述谐振电容的第二端接入固定电压。进一步地，所述射频扼流部件的一端对应的所述焊盘电连接所述直流偏置电压源，所述射频扼流部件的另一端对应的所述焊盘电连接所述功率放大器的漏极。进一步地，所述谐振电感包括键合线，和/或，所述谐振电容包括IPD。进一步地，所述射频扼流部件设置于所述印刷电路板上用于设置所述封装部件的区域，所述封装部件贴合在所述射频扼流部件上。进一步地，所述射频扼流部件贴合于所述封装部件上。进一步地，所述射频扼流部件为微带线。进一步地，所述封装部件为QFN封装部件或者所述封装部件为DFN封装部件。本专利技术实施例提供了一种射频偏置电路封装结构，射频偏置电路封装结构包括封装部件以及射频偏置电路，封装部件内封装有功率放大器，射频偏置电路包括射频扼流部件，功率放大器电连接输出负载的端口经由射频扼流部件电连接至直流偏置电压源，封装部件覆盖射频扼流部件，这样，本专利技术实施例在实现了射频扼流部件与功率放大器连接关系，避免了射频信号影响直流偏置电压源特性的同时，设置封装部件覆盖射频扼流部件，避免了射频偏置电路在印刷电路板上设置较长的偏置线导致的功率放大器模块占用大面积的印刷电路板的问题，有利于减小功率放大器模块的尺寸，提高印刷电路板的集成度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或
技术介绍
中的技术方案，下面将对实施例或
技术介绍
描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例的示意图，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的方案。图1为本专利技术实施例提供的一种射频偏置电路封装结构的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种功率放大器与射频偏置电路的连接关系示意图；图3为现有技术采用的功率放大器与射频偏置电路的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。贯穿本说明书中，相同或相似的附图标号代表相同或相似的结构、元件或流程。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本专利技术实施例提供了一种射频偏置电路封装结构，包括封装部件和射频偏置电路，封装部件内封装有功率放大器，射频偏置电路包括射频扼流部件，功率放大器电连接输出负载的端口经由射频扼流部件电连接至直流偏置电压源，封装部件覆盖射频扼流部件。功率放大器是无线通信系统中重要的组成部分，功率放大器用于将输入信号进行放大后输出，在功率放大器执行放大功能的过程中，功率放大器将直流能量转化为射频能量。目前，功率放大器模块难以与其它模块集成，绝大部分的功率放大器模块以单独模块的形式接入整机系统中，这使得功率放大器模块会占用无线通信系统整机的较大尺寸，不利于无线通信系统整机的小型化。另外，传统的功率放大器在实际工作时需要设置有配合功率放大器的偏置电路，以为功率放大器执行放大功能提供偏置电压，但是，目前采用的功率放大器的偏置电路需要在印刷电路板上引入较长的偏置线，而较长的偏置线占用了印刷电路板较大的面积，印刷电路板集成度较低。本专利技术实施例提供的射频偏置电路封装结构包括封装部件以及射频偏置电路，封装部件内封装有功率放大器，射频偏置电路包括射频扼流部件，功率放大器电连接输出负载的端口经由射频扼流部件电连接至直流偏置电压源，封装部件覆盖射频扼流部件，这样，本专利技术实施例在实现了射频扼流部件与功率放大器连接关系，避免了射频信号影响直流偏置电压源特性的同时，设置封装部件覆盖射频扼流部件，即将射频偏置电路集成在封装部件内部，避免了射频偏置电路在印刷电路板上设置较长的偏置线导致的功率放大器模块占用大面积的印刷电路板的问题，有利于减小功率放大器模块的尺寸，提高印刷电路板的集成度。以上是本专利技术的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1为本专利技术实施例提供的一种射频偏置电路封装结构的结构示意图，图2为本专利技术实施例提供的一种功率放大器与射频偏置电路的连接关系示意图。结合图1和图2，射频偏置电路封装结构包括封装部件1和射频偏置电路2，封装部件1内封装有功率放大器Die，射频偏置电路2包括射频扼流部件TL，功率放大器Die电连接输出负载5的端口经由射频扼流部件TL电连接至直流偏置电压源VDD，封装部件1覆盖射频扼流部件TL。具体地，功率放大器Die用于将输入信号进行放大后输出，将直流能量转化为射频能量，功率放大器Die可以包括GaN或GaAs高电子迁移率晶体管，功率放大器Die在实际工作时需同时设置有输入偏置电路和输出偏置电路，输入偏置电路为功率放大器Die提供栅极偏置电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频偏置电路封装结构，其特征在于，包括：/n封装部件，所述封装部件内封装有功率放大器；/n射频偏置电路，所述射频偏置电路包括射频扼流部件，所述功率放大器电连接输出负载的端口经由所述射频扼流部件电连接至直流偏置电压源；/n所述封装部件覆盖所述射频扼流部件。/n

【技术特征摘要】
1.一种射频偏置电路封装结构，其特征在于，包括：
封装部件，所述封装部件内封装有功率放大器；
射频偏置电路，所述射频偏置电路包括射频扼流部件，所述功率放大器电连接输出负载的端口经由所述射频扼流部件电连接至直流偏置电压源；
所述封装部件覆盖所述射频扼流部件。


2.根据权利要求1所述的射频偏置电路封装结构，其特征在于，所述封装部件包括多个焊盘，所述射频扼流部件对应所述封装部件的部分焊盘所在区域设置，所述射频扼流部件与所述部分焊盘电连接。


3.根据权利要求2所述的射频偏置电路封装结构，其特征在于，所述射频扼流部件沿所述部分焊盘的排列方向延伸。


4.根据权利要求3所述的射频偏置电路封装结构，其特征在于，所述封装部件内还封装有谐振电路，所述谐振电路包括谐振电感和谐振电容，所述谐振电感的第一端电连接所述射频扼流部件的一端对应的所述焊盘，所述谐振电感的第二端电连接所述谐振电容的第一端，所述谐振电容的第二端接入固定电压。

【专利技术属性】
技术研发人员：阎述昱，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32