本申请提供了一种半导体器件的复合衬底及其制备方法，其中，复合衬底包括：在原始衬底的背面沉积的金刚石层、及对原始衬底的正面物理研磨得到的原衬底层；其中，金刚石层的厚度大于原衬底层的厚度。本申请通过在原始衬底的背面沉积金刚石层，对原始衬底的...

本发明公开了一种外延结构及其制备方法。所述外延结构包括依次层叠的衬底、第一外延层、插入层和第二外延层；所述插入层的材料与所述第一外延层和所述第二外延层中至少一个的材料不同；所述插入层靠近所述第二外延层的表面形成有多种凹槽。本发明能够解决...

本发明公开了一种栅极金属结构、半导体器件及半导体器件的制备方法。该栅极金属结构包括栅极部和场板部，场板部包括至少两个场板子部，相邻场板子部中，下方场板子部的下表面的末端点位于上方场板子部的下表面的起始端点的靠近所述栅极部的一侧，上方场板...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：半导体基底；半导体基底邻近第一表面包括半导体层，半导体层包括有源区和无源区；位于有源区内的多个源极，每个源极包括至少两个通孔，两个通孔的边缘延伸至无源区内或邻近无源区设置；经由通孔...

本发明公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：外延结构；在外延结构上设置有源极、第一栅极、第二栅极和漏极，第一栅极和第二栅极均位于源极和漏极之间；其中，第一栅极用于接收输入信号，第二栅极用于调控静态工作点。本发明实施例的技术方案能够将不...

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件在栅极远离多层半导体层一侧设置有与源极连接的源场板结构，且沿栅极的延伸方向，至少一侧源场板结构延伸至无源区，且延伸长度超过栅极的延伸长度

本发明公开了一种用电设备，所述用电设备包括变温室和至少一个低温储藏室；所述变温室配置有射频超宽带电路，所述射频超宽带电路包括用于功率放大的GaN射频放大器单元和用于辐射能量的天线，其中，所述GaN射频放大器单元的工作电压的范围为28伏至...

本发明公开了一种射频超宽带电路及其输出调节方法、电子设备。射频超宽带电路包括：射频小信号单元，配置为根据控制信号产生对应频率的原始射频信号；GaN射频放大器，配置为对原始射频信号进行功率放大，其中，所述GaN射频放大器的工作电压的范围为...

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括提供衬底并在衬底一侧制备半导体层；在半导体层中制备第一开口，第一开口贯穿半导体层；在第一开口内制备刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层以及半导体层远离衬底的一侧制备电极结构；在衬底中制备连...

本发明提供一种剥离方法，先在基底一侧的表面依次旋涂至少两层光刻胶，分别对至少两层光刻胶进行软烘、冷却、曝光、烘烤、冷却、显影、硬烘后显现光刻胶图形，在制备目标材料层后去除剩余的光刻胶同时剥离位于所述光刻胶远离所述衬底一侧的所述目标材料层...

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底；位于衬底一侧的多层外延层；多层外延层包括远离衬底一侧的势垒层；位于势垒层远离衬底一侧的隔离层、源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；栅极包括靠近衬底一侧的栅极底面...

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制作方法。半导体器件的制作方法包括：提供衬底；对所述衬底预通设定气体，使所述设定气体与所述衬底中的杂质发生化学反应，以去除所述衬底中的杂质；在所述衬底上形成外延层。与现有技术相比，本发明实施例有利于抑...

本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，外延结构包括衬底、成核层和缓冲层；成核层位于衬底的一侧；成核层包括多个岛状的成核单元，各成核单元靠近衬底一侧的表面相互连通，各成核单元远离衬底一侧的表面彼此分离；缓冲层...

本发明公开了一种包络追踪装置的供电电路及供电方法。供电电路包括：储能电池，用于输出电源信号；检测模块，用于检测包络追踪装置的输入信号；功率转换模块，包括输入端和N个输出端，输入端与储能电池电连接，用于将储能电池输出的电源信号转换为N个输...

本申请提供了一种半导体器件的外延结构及其制备方法及半导体器件，该外延结构包括：衬底、成核层和缓冲层；成核层设置于所述衬底上；缓冲层设置于成核层上；衬底对应的电阻率和缓冲层对应的掺杂浓度满足预设的电阻率与掺杂浓度的对应关系。该半导体器件的...

本发明公开了一种包络追踪装置的供电电路及供电方法。所述供电电路包括：电池组，所述电池组包括N个电池；电池组管理模块，所述电池组管理模块包括接地端和电源输出端，所述电池组管理模块用于根据控制信号将所述N个电池中的M个电池串联在所述接地端与...

本发明公开了一种包络追踪装置的供电电路及供电方法。供电电路包括：电池组，电池组包括N个电池；检测模块，检测模块用于检测包络追踪装置的输入信号；控制与管理模块，控制与管理模块包括电源输出端口和N个电源输入端口，N个电源输入端口与N个电池的...

本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，该外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的多层外延层，多层外延层包括远离衬底一侧的帽层，其中，帽层的厚度D与衬底的直径d之间正相关。本发明实施例提供的外延结构通过设置帽层，并...

本发明实施例公开了一种外延结构及其制备方法、半导体器件。外延结构包括：衬底、外延层和钝化层，所述外延层位于所述衬底的一侧，所述外延层包括基于III

本发明公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件。其中，外延结构包括衬底和位于衬底一侧的外延层，衬底靠近外延层一侧的表面粗糙度为Ra，0＜Ra≤5nm。本发明提供的半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，通过设置衬底外...