一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件技术

本发明专利技术实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，外延结构包括衬底、成核层和缓冲层；成核层位于衬底的一侧；成核层包括多个岛状的成核单元，各成核单元靠近衬底一侧的表面相互连通，各成核单元远离衬底一侧的表面彼此分离；缓冲层位于成核层远离衬底的一侧；缓冲层包括3D缓冲层，3D缓冲层形成于成核层远离衬底一侧的表面。本发明专利技术实施例的技术方案可以提高外延结构的品质，进而保证半导体器件的品质。保证半导体器件的品质。保证半导体器件的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件。

技术介绍

[0002]半导体材料氮化镓(GaN)由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、导热性能好等特点，比Si和GaAs更适合于制备高温、高频、高压和大功率器，例如用于制备氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件。
[0003]但是，由于缺少GaN衬底，GaN外延技术都生长在异质衬底上，GaN与异质衬底之间存在晶格失配，导致异质外延的GaN材料存在较多的穿透位错，影响GaN的晶体质量，进而影响半导体器件的品质。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，以提高外延结构的品质，进而保证半导体器件的品质。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供一种半导体器件的外延结构，包括：
[0006]衬底；
[0007]成核层，位于衬底的一侧；成核层包括多个岛状的成核单元，各成核本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的外延结构，其特征在于，包括：衬底；成核层，位于所述衬底的一侧；所述成核层包括多个岛状的成核单元，各所述成核单元靠近所述衬底一侧的表面相互连通，各所述成核单元远离所述衬底一侧的表面彼此分离；缓冲层，位于所述成核层远离所述衬底的一侧；所述缓冲层包括3D缓冲层，所述3D缓冲层形成于所述成核层远离所述衬底一侧的表面。2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述成核单元包括第一边和第二边，所述第一边位于所述第二边远离所述衬底的一侧，所述第一边的边长为P1，所述第二边的边长为P2，且满足1＜P2/P1≤3；所述第一边和所述第二边之间的高度为T1，且满足10nm≤T1≤100nm。3.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述缓冲层还包括2D缓冲层，所述2D缓冲层位于所述3D缓冲层远离所述成核层的一侧。4.根据权利要求3所述的外延结构，其特征在于，所述3D缓冲层的厚度为T2，所述2D缓冲层的厚度为T3，且满足1/4≤T2/(T2+T3)≤1/2。5.根据权利要求4所述的外延结构，其特征在于，0.1μm≤T2+T3≤10μm。6.一种半导体器件的外延结构的制备方法，用于制备权利要求1
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5任一项所述的外延结构，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底的一侧形成成核层；所述成核层包括多个岛状的成核单元，各所述成核单元靠近所述衬底一侧的表面相互连通，各所述成核单元远离所述衬底一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晖，孔苏苏，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：