具有绝缘区的半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及具有绝缘区的半导体装置及其制造方法。一种半导体装置的实施例包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的第一介电层、第一载流电极和第二载流电极。控制电极形成于所述半导体衬底上并且设置在所述第一载流电极与所述第二载流电极之间。导电元件形成于所述第一介电层上，邻近所述控制电极并且在所述控制电极与所述第二载流电极之间，所述导电元件包括形成为距所述半导体衬底的所述上表面第一距离的第一区和形成为距所述半导体衬底的所述上表面第二距离的第二区。绝缘区形成于所述控制电极与所述导电元件之间。所述控制电极与所述导电元件之间。所述控制电极与所述导电元件之间。

【技术实现步骤摘要】
具有绝缘区的半导体装置及其制造方法


[0001]本文描述的主题的实施例大体上涉及具有导电元件的半导体装置以及用于制造此类装置的方法。

技术介绍

[0002]半导体装置应用于各种电子组件和系统。高功率、高频率晶体管应用于射频(RF)系统和电力电子系统。氮化镓(GaN)装置技术由于其优良的电子特性和热特性而特别适合于这些RF功率应用和电力电子应用。具体地，GaN的高电子速度和高击穿场强度使得由这种材料制造的装置对于RF功率放大器和大功率开关应用来说是理想的。场板用于提高高频晶体管的性能和可靠性。因此，需要半导体，尤其是具有场板的GaN装置。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的第一方面，提供一种半导体装置，包括：
[0004]半导体衬底，所述半导体衬底包括上表面和沟道；
[0005]第一介电层，所述第一介电层设置在所述半导体衬底的所述上表面上；
[0006]形成于所述半导体衬底上的第一载流电极和第二载流电极，其中所述第一载流电极和所述第二载流电极电耦合到所述沟道；
[0007]控制电极，所述控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括上表面和沟道；第一介电层，所述第一介电层设置在所述半导体衬底的所述上表面上；形成于所述半导体衬底上的第一载流电极和第二载流电极，其中所述第一载流电极和所述第二载流电极电耦合到所述沟道；控制电极，所述控制电极形成于所述半导体衬底上并且设置在所述第一载流电极与所述第二载流电极之间，其中所述控制电极电耦合到所述沟道；导电元件，所述导电元件形成于所述第一介电层上，邻近所述控制电极并且在所述控制电极与所述第二载流电极之间，其中第一导电元件另外包括形成为距所述半导体衬底的所述上表面第一距离的第一区和形成为距所述半导体衬底的所述上表面第二距离的第二区；以及邻近控制电极形成的绝缘区，其中所述绝缘区包括横向邻近所述控制电极的第一侧壁部分形成的更接近所述第一载流电极的第一部分以及横向邻近所述控制电极的第二侧壁部分形成的更接近所述第二载流电极的第二部分，其中所述第一部分和所述第二部分形成于所述第一介电层上，并且其中所述第二部分形成于所述控制电极与所述导电元件之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电元件的一部分形成于所述控制电极的一部分上方。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体衬底包括III族氮化物层。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一介电层包括氮化硅，并且所述第一部分和所述第二部分包括选自由二氧化硅和原硅酸四乙酯组成的组的材料。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，另外包括形成于所述第一介电层、所述控制电极上并且在所述控制电极与所述第一部分和所述第二部分之间的第一蚀刻停止层。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，另外包括形成于所述第一蚀刻停止层上以及所述第一部分和所述第二部分上的第二蚀刻停止层。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，另外包括形成于所述第二蚀刻停止层上以及所述控制电极上的第二介电层。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一载流电极被配置为源极电极，所述第二载流电极被配置为漏极电极，所述控制电极被配置为栅极电极，并且所述导电元件被配置为场板。9.一种氮化镓场效应晶体管装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：