本实用新型公开了一种功率放大芯片和功率放大电路。芯片包括第一级放大电路和至少一个第二级放大电路，第一级放大电路与第二级放大电路在芯片内部绝缘设置；第一级放大电路与第二级放大电路用于通过至少一个位于芯片外部的外部相移单元在合路点处合路，第...

本实用新型公开了一种功率放大器的封装结构及电路器件；所述封装结构封装有功率放大器电路的至少部分功能模块，所述功率放大器电路包括射频输入端、射频输出端和多个功能模块，所述多个功能模块包括驱动管输入匹配模块、驱动管、驱动管输出匹配模块、功分...

本发明公开了一种电阻的失配模型的修正方法，首先，引入5个电阻工艺失配参数；其次，引入这5个失配参数的随机偏差量；再次，设定这5个失配参数的随机偏差修正因子；通过对这些参数的简化、修正，实现对电阻的器件失配模型进行修正表征，从而获得电阻宽...

本发明提供的一种新型集成封装电子器件结构，通过在封装部件内封装包括匹配电路模块和接地电路模块的集成无源器件区，且集成无源器件区与封装框架形成至少两路连接电路，如通过匹配电路模块和接地电路模块分别与封装框架电连接，在集成封装电子器件上实现...

本实用新型公开了一种负压偏置保护电路及系统。负压偏置保护电路包括：开关模块，开关模块的控制端接地，开关模块的第一端与所述负压偏置保护电路的负压输入端电连接，开关模块用于根据所述负压输入端输入的电压将其第一端与第二端导通或关断；阻性元件和...

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、多层半导体层、介质层、源极和漏极，多层半导体层和介质层中形成有栅极沟槽，栅极沟槽内形成有栅极，栅极沟槽包括形成在多层半导体层中的栅极沟槽第一分部以及贯穿介质层中的栅极沟槽第二分...

本发明提供了一种测试装置，涉及微电子测试领域，该测试装置包括电路板、固定座和探针，电路板上具有热沉通孔，固定座凸设在电路板上并与热沉通孔间隔设置，探针固定在固定座上并向着热沉通孔延伸，固定座与热沉通孔之间的电路板上设置有探针凹槽，探针悬...

本申请提供了一种射频开关与射频系统，涉及射频电路技术领域。该射频开关包括公共端与至少两个选择端，至少两个选择端均通过合路点与公共端电连接，其中，至少两个选择端中包括目标选择端，目标选择端包括至少两个频点选择支路，且在不同频点选择支路短路...

本发明提供了一种测试治具，涉及微电子测试技术领域，该测试治具包括探针卡、热沉台、承载件和定位装置，定位装置设置在承载件上，定位装置上设置有用于容置待测器件的限位通孔，探针卡压合在定位装置和承载件之间，用于与待测器件电连接；探针卡上具有热...

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括衬底；位于衬底一侧的多层半导体层；位于多层半导体层远离衬底一侧的源极、栅极、漏极以及场板结构，场板结构包括主体部和第一延伸部；主体部位于栅极和漏极之间；第一延伸部与主体部...

本实用新型实施例公开了一种无线能量吸收系统，包括：天线阵列，覆盖至少一个频段，用于对空间中的射频能量进行耦合，并输出耦合能量；能量匹配模块，与天线阵列电连接；电源转换模块，与能量匹配模块电连接；能量存储模块，与电源转换模块电连接，用于接...

本申请公开了一种半导体器件，所述器件包括衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层远离衬底一侧的介质层；位于所述半导体层远离衬底一侧的源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极；位于所述栅极和漏极之间的场板凹槽；位于所述介质层远离衬底...

一种射频偏置电路封装结构，射频偏置电路封装结构包括封装部件，封装部件内封装有功率放大器；射频偏置电路，射频偏置电路包括射频扼流部件，功率放大器电连接输出负载的端口经由射频扼流部件电连接至直流偏置电压源；封装部件覆盖射频扼流部件。通过本发...

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：衬底；位于衬底一侧的半导体层；位于半导体层远离衬底一侧的源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；位于栅极远离半导体层一侧且位于相邻设置的栅极与漏极之间的场板结构；位于场板...

本申请提供的外延结构制造方法和外延结构，涉及半导体技术领域。其中，外延结构制造方法包括：提供多个衬底，并基于翘曲度将所述多个衬底进行分类，得到至少一个衬底组，其中，同一衬底组中的各衬底的翘曲度属于相同的预设范围、不同衬底组中各衬底的翘曲...

本申请提供的半导体器件和半导体器件制造方法，涉及半导体技术领域。其中，半导体器件包括：衬底；在所述衬底上制作的半导体层；基于所述半导体层远离所述衬底的一侧制作的源极、栅极和漏极；散热结构，该散热结构与所述源极接触并贯穿所述半导体层后与所...

本发明提供了一种测试定位方法以及测试定位系统，涉及半导体测试技术领域，通过第一图像传感器对载片进行扫描，从而得到载片上的待测器件的位置信息，通过第二图像传感器对待测器件上的电极进行识别，从而得到电极的偏移信息，根据位置信息能够将待测器件...

本申请提供的半导体器件及制作方法。所述半导体器件包括：设置在衬底上的第一半导体层；设置在第一半导体层远离衬底一侧的第二半导体层；设置在所述半导体层远离所述衬底一侧的至少两个电极，其中任意相邻的两个电极分别为第一电极和第二电极；设置在所述...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及微电子技术领域。半导体器件包括衬底、半导体层、源极、漏极和栅极结构，半导体层制作于衬底，源极、漏极和栅极结构制作于半导体层远离衬底的一侧，半导体层包括势垒层，势垒层通过设置凹槽，基于凹槽制作栅...

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于衬底一侧的多层半导体层，多层半导体层包括依次位于衬底一侧的缓冲层、沟道层和势垒层；位于多层半导体层远离衬底一侧的源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；位于多层半导...