一种测试定位方法以及测试定位系统技术方案

本发明专利技术提供了一种测试定位方法以及测试定位系统，涉及半导体测试技术领域，通过第一图像传感器对载片进行扫描，从而得到载片上的待测器件的位置信息，通过第二图像传感器对待测器件上的电极进行识别，从而得到电极的偏移信息，根据位置信息能够将待测器件调整至探针的下方，再根据偏移信息对待测器件位置进行精确偏移补偿，将待测器件上电极的中心调整至探针的下方，在测试过程中将探针与电极接触，从而完成对待测器件的测试过程。相较于现有技术，本发明专利技术提供的测试定位方法，通过不同的图像传感器对待测器件和电极分别进行定位，针对大尺寸小电极的待测器件能够保证定位精度，能够顺利地完成待测器件的测试。

【技术实现步骤摘要】
一种测试定位方法以及测试定位系统
本专利技术涉及半导体测试
，具体而言，涉及一种测试定位方法以及测试定位系统。
技术介绍
在半导体行业中，应用于射频或微波的器件设计尺寸偏大，存在部分产品尺寸达到7*7mm以及上，但其用于测试扎针的金属电极较小(约70*70μm及以下)。该类晶圆切割后芯片之间步距一致性较差，无法通过固定步距保障自动测试的精准度。目前市场上常用的晶圆测试机，在晶圆切割前芯片之间步距固定，可以通过设备设置固定步距参数来完成精确测试；晶圆切割后，芯片之间步距一致性变差，需要通过视觉定位的方式完成测试，但该方式只适合尺寸偏小(1mm以内)芯片(或测试电极偏大芯片)，对于大尺寸小电极芯片，目前还没有较好的定位方法来完成精确测试。有鉴于此，设计制造出一种适用于大尺寸小电极芯片进行测试，测试精度高的测试定位方法就显得尤为重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种测试定位方法，能够适用于大尺寸小电极芯片，保证测试精度。为达到上述目的，本专利技术是采用以下的技术方案来实现的。一种测试定位方法，包括以下步骤：利用第一图像传感器对载片进行定位扫描，得到载片上的待测器件的位置信息；利用第二图像传感器对待测器件上的电极进行识别，得到电极的偏移信息；依据位置信息将待测器件调整至探针的下方；依据偏移信息将电极的中心调整至探针的下方。进一步地，第一图像传感器的分辨率小于第二图像传感器的分辨率。进一步地，利用第一图像传感器对载片进行定位扫描的步骤之前，还包括以下步骤：将载片放置在设备承载盘上；移动设备承载盘至第一图像传感器的下方。进一步地，利用第一图像传感器对载片进行定位扫描的步骤之后，还包括以下步骤：移动设备承载盘至第二图像传感器的下方。进一步地，利用第一图像传感器对载片进行定位扫描，得到载片上的待测器件的位置信息的步骤，包括：利用第一图像传感器扫描载片；根据预设的待测器件视觉模板得到载片的MAP图；检测相邻的待测器件之间的间距；依据MAP图和间距计算待测器件的位置信息。进一步地，利用第二图像传感器对待测器件上的电极进行识别，得到电极的偏移信息的步骤，包括：利用第二图像传感器扫描待测器件；根据预设的电极视觉模板识别电极并得到电极的偏移信息。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的一种测试定位方法，通过第一图像传感器对载片进行扫描，从而得到载片上的待测器件的位置信息，通过第二图像传感器对待测器件上的电极进行识别，从而得到电极的偏移信息，根据位置信息能够将待测器件调整至探针的下方，再根据偏移信息对待测器件位置进行精确偏移补偿，将待测器件上电极的中心调整至探针的下方，在测试过程中将探针与电极接触，从而完成对待测器件的测试过程。相较于现有技术，本专利技术提供的测试定位方法，通过不同的图像传感器对待测器件和电极分别进行定位，针对大尺寸小电极的待测器件能够保证定位精度，能够顺利地完成待测器件的测试。本专利技术的另一目的在于提供一种测试定位系统，能够适用于大尺寸小电极待测器件，保证测试精度。为达到上述目的，本专利技术是采用以下的技术方案来实现的。一种测试定位系统，包括：探针；第一图像传感器，用于扫描载片并得到待测器件的位置信息；第二图像传感器，用于识别待测器件上的电极并得到电极的偏移信息；控制组件，控制组件与第一图像传感器和第二图像传感器均电连接，控制组件用于依据位置信息调整待测器件至探针的下方并依据偏移信息调整电极的中心至探针的下方。进一步地，控制组件包括设备承载盘和控制器，设备承载盘与控制器电连接，控制器分别与第一图像传感器和第二图像传感器电连接，用于获取位置信息和偏移信息，并依据位置信息和偏移信息控制设备承载盘运动。进一步地，第一图像传感器与第二图像传感器之间的距离大于设备承载盘的直径的2.5倍。进一步地，第一图像传感器具有第一识别模块，第一识别模块内预设有待测器件视觉模板；第二图像传感器具有第二识别模块，第二识别模块内预设有电极视觉模块。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的一种测试定位系统，通过第一图像传感器对载片进行扫描，从而得到载片上的待测器件的位置信息，通过第二图像传感器对待测器件上的电极进行识别，从而得到电极的偏移信息，控制组件获取到位置信息和偏移信息后，首先根据位置信息能够将待测器件调整至探针的下方，再根据偏移信息对待测器件位置进行精确偏移补偿，将待测器件上电极的中心调整至探针的下方，在测试过程中将探针与电极接触，从而完成对待测器件的测试过程。相较于现有技术，本专利技术提供的一种测试定位系统，通过不同的图像传感器对待测器件和电极分别进行定位，再通过控制组件将待测器件调整至最佳位置，针对大尺寸小电极的待测器件能够保证定位精度，并能够顺利地完成待测器件的测试。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术第一实施例提供的测试定位方法的；图2为本专利技术第二实施例提供的测试定位系统的示意图；图3为本专利技术第二实施例提供的测试定位系统的结构框图。图标：100-测试定位系统；110-第一图像传感器；130-第二图像传感器；150-控制组件；151-设备承载盘；153-控制器；170-载台。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试定位方法，其特征在于，包括以下步骤：/n利用第一图像传感器对载片进行定位扫描，得到所述载片上的待测器件的位置信息；/n利用第二图像传感器对所述待测器件上的电极进行识别，得到所述电极的偏移信息；/n依据所述位置信息将所述待测器件调整至探针的下方；/n依据所述偏移信息将所述电极的中心调整至所述探针的下方。/n

【技术特征摘要】
1.一种测试定位方法，其特征在于，包括以下步骤：
利用第一图像传感器对载片进行定位扫描，得到所述载片上的待测器件的位置信息；
利用第二图像传感器对所述待测器件上的电极进行识别，得到所述电极的偏移信息；
依据所述位置信息将所述待测器件调整至探针的下方；
依据所述偏移信息将所述电极的中心调整至所述探针的下方。


2.根据权利要求1所述的测试定位方法，其特征在于，所述第一图像传感器的分辨率小于所述第二图像传感器的分辨率。


3.根据权利要求1所述的测试定位方法，其特征在于，所述利用第一图像传感器对载片进行定位扫描的步骤之前，还包括以下步骤：
将所述载片放置在设备承载盘上；
移动所述设备承载盘至所述第一图像传感器的下方。


4.根据权利要求3所述的测试定位方法，其特征在于，所述利用第一图像传感器对载片进行定位扫描的步骤之后，还包括以下步骤：
移动所述设备承载盘至所述第二图像传感器的下方。


5.根据权利要求1所述的测试定位方法，其特征在于，所述利用第一图像传感器对载片进行定位扫描，得到所述载片上的待测器件的位置信息的步骤，包括：
利用所述第一图像传感器扫描所述载片；
根据预设的待测器件视觉模板得到所述载片的MAP图；
检测相邻的所述待测器件之间的间距；
依据所述MAP图和所述间距计算所述待测器件的位置信息。


6.根据权利要求1所述的测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兵录，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32