【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及微电子，尤其涉及一种半导体器件。
技术介绍
1、半导体材料氮化镓(gan)由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高以及导热性能好等特点，成为目前的研究热点。
2、在通信领域，电子饱和漂移速度高的氮化镓材料往往是功率放大器等电路关键元件的基础材料。因此，氮化镓电子器件具有良好的应用前景。氮化镓电子器件在高频通信电路中作为功率放大器，放大输入信号。随着移动通信设备或者有通信需求的移动设备不断发展，功率放大器的输出功率和增益需要按照实际应用场景进行调整。因此，在电路中需加入包络跟踪器。现有技术中，对于功率放大器和包络跟踪器的集成一般通过电路设计实现，即将两个分离的功率放大器和包络跟踪器设计于一个电路中实现功能集成。但现有技术对于功能的集成，会造成器件整体面积较大的问题，并且增加了电路的复杂程度。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体器件，以提高器件功能的集成度，减小半导体器件的整体面积，简化电路结构。
2、根据本专利技术的一方面，提供了...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极与所述源极之间的距离小于所述第二栅极与所述源极之间的距离。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅极设置于所述源极和所述漏极之间，所述第一栅极设置于所述源极和所述第二栅极之间。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为功率放大器与包络跟踪器的单片集成器件，所述第一栅极作为所述功率放大器的功率放大端，所述第二栅极作为所述包络跟踪器的包络跟踪端。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极与所述源极之间的距离小于所述第二栅极与所述源极之间的距离。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅极设置于所述源极和所述漏极之间，所述第一栅极设置于所述源极和所述第二栅极之间。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为功率放大器与包络跟踪器的单片集成器件，所述第一栅极作为所述功率放大器的功率放大端，所述第二栅极作为所述包络跟踪器的包络跟踪端。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极、所述第一栅极、所述第二栅极和所述漏极构成所述半导体器件的一个结构单元；所述结构单元的数量为至少一个，各所述结构单元并联连接。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕奇峰，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。