【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及微电子，尤其涉及一种半导体器件。
技术介绍
1、半导体材料氮化镓(gan)由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高以及导热性能好等特点，成为目前的研究热点。
2、在通信领域，电子饱和漂移速度高的氮化镓材料往往是功率放大器等电路关键元件的基础材料。因此，氮化镓电子器件具有良好的应用前景。氮化镓电子器件在高频通信电路中作为功率放大器，放大输入信号。随着移动通信设备或者有通信需求的移动设备不断发展，功率放大器的输出功率和增益需要按照实际应用场景进行调整。因此，在电路中需加入包络跟踪器。现有技术中，对于功率放大器和包络跟踪器的集成一般通过电路设计实现，即将两个分离的功率放大器和包络跟踪器设计于一个电路中实现功能集成。但现有技术对于功能的集成，会造成器件整体面积较大的问题，并且增加了电路的复杂程度。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体器件，以提高器件功能的集成度，减小半导体器件的整体面积，简化电路结构。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体器件，包括：
3、外延结构；
4、在外延结构上设置有源极、第一栅极、第二栅极和漏极，第一栅极和第二栅极均位于源极和漏极之间；
5、其中，第一栅极用于接收输入信号，第二栅极用于调控静态工作点。
6、可选的，第一栅极与源极之间的距离小于第二栅极与源极之间的距离。
7、可选的，第二栅极设置于源极和漏极之间的中心位置，第一栅极设置于源极
8、可选的，半导体器件为功率放大器与包络跟踪器中晶体管的单片集成器件，第一栅极作为功率放大器的功率放大端，第二栅极作为包络跟踪器的包络跟踪端。
9、可选的，源极、第一栅极、第二栅极和漏极构成半导体器件的一个结构单元；结构单元的数量为至少一个，各结构单元并联连接。
10、可选的，相邻两个结构单元之间共用漏极或者源极。
11、可选的，该半导体器件还包括测试电极，测试电极设置于第一栅极和第二栅极之间；
12、其中，测试电极、第一栅极和源极能够构成一个结构单元，测试电极、第二栅极和漏极能够构成另一个结构单元。
13、可选的，源极和漏极均与外延结构之间的界面形成欧姆接触，第一栅极和第二栅极均与外延结构之间的界面形成肖特基接触。
14、可选的，第一栅极和第二栅极的材料包括：镍、钨、钼、铬或其合金中的至少一种，源极和漏极的材料包括：钛、铝、铂、金或其合金中的至少一种。
15、可选的，该半导体器件还包括：有源区和隔离区；
16、隔离区围绕有源区设置，源极、第一栅极、第二栅极和漏极均横跨有源区且呈条状设置。
17、可选的，外延结构包含algan/gan异质结，异质结处形成二维电子气，且第一栅极和第二栅极对应的异质结处均存在二维电子气。
18、本专利技术实施例的技术方案，提供了一种新的半导体器件，该半导体器件中的晶体管包含两个栅极，在两个栅极的共同作用下，能够同时实现功率放大和静态工作点调整两种功能。具体地，通过在半导体外延结构上依次设置源极、第一栅极、第二栅极和漏极，并且晶体管的第一栅极和第二栅极均设置于源极和漏极之间，第一栅极用于接收晶体管的输入信号，第二栅极用于调控晶体管的静态工作点。而现有技术中，信号放大功能和静态工作点调整功能需要两个独立的晶体管实现，两个晶体管需要分别设置两个源极和两个漏极，且两个晶体管之间还需要设置一定的间隔，或者两个晶体管分布在不同有源区或者分布在两个独立元器件。不同的是，本专利技术实施例提供的半导体器件结构仅包括两个栅极、一个漏极和一个源极并集成在一个有源区中，减少了漏极和源极的数量，也无需设置晶体管之间的间隔，从而减小了半导体器件的整体面积，简化了半导体器件的结构。另外，本专利技术实施例还带来了其他有益效果，例如，由于电极(包括源极和漏极)数量减少，晶体管中的金属层面积也相应减小，从而减少了电极之间的寄生阻抗，有利于提升半导体器件的性能。
19、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极与所述源极之间的距离小于所述第二栅极与所述源极之间的距离。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅极设置于所述源极和所述漏极之间，所述第一栅极设置于所述源极和所述第二栅极之间。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为功率放大器与包络跟踪器的单片集成器件，所述第一栅极作为所述功率放大器的功率放大端，所述第二栅极作为所述包络跟踪器的包络跟踪端。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极、所述第一栅极、所述第二栅极和所述漏极构成所述半导体器件的一个结构单元；所述结构单元的数量为至少一个，各所述结构单元并联连接。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，相邻两个所述结构单元之间共用所述漏极或者所述源极。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括测试电极，所述测试电极设置于所述第一栅极和所述第二栅极之间；
8.根据权利要求1所
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极的材料包括：镍、钨、钼、铬或其合金中的至少一种，所述源极和所述漏极的材料包括：钛、铝、铂、金或其合金中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延结构包含AlGaN/GaN异质结，所述异质结处形成二维电子气，且所述第一栅极和所述第二栅极对应的异质结处均存在二维电子气。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极与所述源极之间的距离小于所述第二栅极与所述源极之间的距离。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅极设置于所述源极和所述漏极之间，所述第一栅极设置于所述源极和所述第二栅极之间。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为功率放大器与包络跟踪器的单片集成器件，所述第一栅极作为所述功率放大器的功率放大端，所述第二栅极作为所述包络跟踪器的包络跟踪端。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极、所述第一栅极、所述第二栅极和所述漏极构成所述半导体器件的一个结构单元；所述结构单元的数量为至少一个，各所述结构单元并联连接。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕奇峰，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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