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本发明公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：外延结构；在外延结构上设置有源极、第一栅极、第二栅极和漏极，第一栅极和第二栅极均位于源极和漏极之间；其中，第一栅极用于接收输入信号，第二栅极用于调控静态工作点。本发明实施例的技术方案能够将不同晶...
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