【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、氮化镓半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速率高、击穿场强高、耐高温等显著优点，与第一代半导体硅和第二代半导体砷化镓相比，更适合于制作高温、高压、高频和大功率的电子器件，具有广阔的应用前景，已成为目前半导体行业研究的热点。
2、常见的设计有将该通孔开设在有源区的源极下方，使每个有源区内的源极通过通孔直接接地，这样的结构减小了有源区内的源极到地的距离，从而减小了接地电阻，这种结构设计需要将通孔和源极金属通过互联金属连接以实现与源极通过通孔接地。
3、而源极和通孔如何连接才能更好地平衡器件性能和可靠性是需要解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法，以解决源极和通孔通过互联金属连接时更好地平衡器件性能和可靠性的问题。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：
3、半导体基底，所述半导体基底包括相反的第一表面和第二表面，所述半导体基底邻近第一表面包括半导体层，所述半导体层包括有源区和无源区，所述无源区设置于所述有源区的外围；
4、位于所述第二表面的金属层；
5、位于所述有源区内的多个源极，每个源极包括至少两个通孔，在第一方向上，所述至少两个通孔的边缘延伸至所述无源区内或邻近无源区设置，所述第一方向为同一所述源极上至少两个通孔的中心连线方向；
6、覆盖所述至少两个通孔并与所述源
7、位于所述有源区内的多个漏极和多个栅极，所述漏极通过邻近第一表面的漏极互联金属相互连接，所述栅极通过邻近第一表面的栅极互联金属相互连接。
8、可选的，在所述第二方向上所述源极互联金属的边缘和所述源极边缘之间有预设距离，所述预设距离小于至少两个通孔边缘和源极边缘之间的距离；其中第二方向平行于所述基板且垂直于所述第一方向。
9、可选的，当所述通孔位于有源区时，所述源极互联金属与所述通孔的位置关系为：d/9≤u≤d/2；
10、其中，u为源极互联金属在所述第一方向上超过所述通孔边缘的长度，d为所述通孔本身在所述第一方向上的长度。
11、可选的，当所述通孔位于所述有源区和所述无源区时，所述源极互联金属与所述通孔的位置关系为：d/9≤u≤z。
12、其中，u为源极互联金属在所述第一方向上超过所述通孔边缘的长度，d为所述通孔本身在所述第一方向上的长度，z为所述通孔在所述第一方向上位于所述无源区的长度。
13、可选的，所述源极互联金属与所述有源区的位置关系为：d/10≤v≤d。
14、其中，v为所述源极互联金属在所述第一方向上超过所述有源区边缘的长度，d为所述通孔本身在所述第一方向上的长度。
15、可选的，所述源极互联金属在第一方向上两端对称。
16、可选的，在所述第一方向上，所述源极互联金属超出所述有源区的部分尺寸大小对称。
17、可选的，在所述第一方向上，所述源极互联金属超出所述通孔的部分尺寸大小对称。
18、可选的，所述源极互联金属在所述第一方向上和所述第二方向上均延伸至所述无源区。
19、根据本专利技术的另一方面，提供了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：
20、提供半导体基底，所述半导体基底包括相反的第一表面和第二表面；所述半导体基底邻近第一表面包括半导体层，所述半导体层包括有源区和无源区，所述无源区设置于所述有源区的外围；
21、在所述半导体层有源区的一侧制作电极，所述电极包括源极、栅极和漏极，每个所述源极包括至少两个通孔，在第一方向上，所述至少两个通孔的边缘延伸至所述无源区内或邻近无源区设置，所述第一方向为同一所述源极上至少两个通孔的中心连线方向；
22、在所述源极一侧制作源极互联金属，在第一方向上，所述源极互联金属的末端超出所述有源区延伸至所述无源区；
23、在第二表面形成金属层，所述源极通过所述源极互联金属以及所述至少两个通孔内的导电材料电连接到所述第二表面的金属层以实现多个源极的互联。
24、本专利技术实施例的技术方案，通过将同一源极中的两个通孔邻近无源区设置或者两个通孔的边缘延伸至无源区，从而增大了同一源极中两个通孔之间的距离，防止同一源极中两个通孔之间产生互感，从而提高了半导体器件的性能，同时设置源极互联金属的末端超出有源区延伸至无源区，解决了源极与通孔位置的错位带来的影响半导体器件性能的问题，同时也增加了接地金属通过通孔与源极之间的连接可靠性。
25、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二方向上所述源极互联金属的边缘和所述源极边缘之间有预设距离，所述预设距离小于至少两个通孔边缘和源极边缘之间的距离；其中第二方向平行于所述基板且垂直于所述第一方向。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，当所述至少两个通孔位于有源区时，所述源极互联金属与所述至少两个通孔的位置关系为：D/9≤U≤D/2；
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，当所述至少两个通孔位于所述有源区和所述无源区时，所述源极互联金属与所述至少两个通孔的位置关系为：D/9≤U≤Z；
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极互联金属与所述有源区的位置关系为：D/10≤V≤D；
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极互联金属在第一方向上两端对称。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一方向上，所述源极互联金属超出所述有源区的部分尺寸大小对称。
8.根据
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极互联金属在所述第一方向上和所述第二方向上均延伸至所述无源区。
10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二方向上所述源极互联金属的边缘和所述源极边缘之间有预设距离，所述预设距离小于至少两个通孔边缘和源极边缘之间的距离；其中第二方向平行于所述基板且垂直于所述第一方向。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，当所述至少两个通孔位于有源区时，所述源极互联金属与所述至少两个通孔的位置关系为：d/9≤u≤d/2；
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，当所述至少两个通孔位于所述有源区和所述无源区时，所述源极互联金属与所述至少两个通孔的位置关系为：d/9≤u≤z；
5.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：张乃千，吴星星，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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