用电设备制造技术

本发明专利技术公开了一种用电设备，所述用电设备包括变温室和至少一个低温储藏室；所述变温室配置有射频超宽带电路，所述射频超宽带电路包括用于功率放大的GaN射频放大器单元和用于辐射能量的天线，其中，所述GaN射频放大器单元的工作电压的范围为28伏至150伏，以使GaN射频放大器单元在超宽带频段下的效率大于或等于设定值；所述变温室置于所述低温储藏室外，且与至少一个低温储藏室接触；所述GaN射频放大器单元置于所述变温室中与所述低温储藏室接触的侧壁上；或者，所述变温室置于所述低温储藏室内，所述GaN射频放大器单元置于所述低温储藏室的其中一个侧壁上。本发明专利技术能够为GaN射频放大器单元提供良好的散热。放大器单元提供良好的散热。放大器单元提供良好的散热。

【技术实现步骤摘要】
用电设备


[0001]本专利技术涉及电器设备领域，尤其涉及一种用电设备。

技术介绍

[0002]具有解冻和加热功能的用电设备在现代生活中的应用越来越广泛。加热和解冻功能所对应的信号频段不同，为了在较宽的频段范围内均具有较好的功率放大能力，从而实现更好地解冻及加热功能，通常采用GaN射频放大器单元作为功率放大器。
[0003]然而，虽然采用GaN射频放大器单元可以解决宽带射频特性的需求问题，但存在功率密度过大，导致热风险，因此也存在很难解决的散热问题。常规散热通常以风冷、水冷进行，但这样的散热方式无法实现对于功率密度过大的器件的散热要求。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种用电设备，以提高对GaN射频放大器单元的散热能力。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种用电设备，所述用电设备包括变温室和至少一个低温储藏室；
[0006]所述变温室配置有射频超宽带电路，所述射频超宽带电路包括用于功率放大的GaN射频放大器单元和用于辐射能量的天线；其中，所述GaN射频放大器单元的工作电压的范围为28本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用电设备，所述用电设备包括至少一个低温储藏室；其特征在于，所述用电设备还包括变温室；所述变温室配置有射频超宽带电路，所述射频超宽带电路包括用于功率放大的GaN射频放大器单元和用于辐射能量的天线，其中，所述GaN射频放大器单元的工作电压的范围为28伏至150伏，以使所述GaN射频放大器在超宽带下的效率大于或等于设定值；所述GaN射频放大器单元与所述低温存储室配置为能量传递。2.根据权利要求1所述的用电设备，其特征在于，所述变温室置于所述低温储藏室外，且与至少一个低温储藏室接触；所述GaN射频放大器单元置于所述变温室中与所述低温储藏室接触的侧壁上；或者，所述变温室置于所述低温储藏室内，所述GaN射频放大器单元置于所述低温储藏室的其中一个侧壁上。3.根据权利要求1所述的用电设备，其特征在于，所述GaN射频放大器单元置于所述变温室外，或者所述GaN射频放大器单元置于所述变温室内。4.根据权利要求3所述的用电设备，其特征在于，设置所述GaN射频放大器单元的侧壁上配置有凹槽，所述GaN射频放大器单元放置在所述凹槽内。5.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鑫，潘宇，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：