【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种栅极金属结构、半导体器件及半导体器件的制备方法。
技术介绍
1、在5g通信领域，对于半导体射频器件的带宽和高频要求很高，而栅极结构设计和工艺流程与半导体器件的频率特性有密切的关系，直接影响半导体器件的工作频率；栅极场板的设计对器件电场影响较大，对维持半导体器件的可靠性和稳定性极其重要。因此，在半导体器件的设计和制备过程中，栅极以及栅极场板的设计尤为重要，对半导体器件的可靠性和工作性能的稳定性，起到关键作用。
2、传统的栅极场板设计对缓解电场的作用比较有限，若要降低栅极电场，则需要增加场板长度或减少场板与二维电子气沟道的距离，这两种方法一方面会造成栅极场板处电场增加，引起场板处介质击穿风险；另一方面会导致栅极电容增大，影响带宽和高频特性。
3、因此，如何在满足进一步提高半导体器件的带宽和高频性能的同时提高半导体器件的可靠性和稳定性，并可用于实现大规模商业生产制备，成为目前急需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种栅极金属...
【技术保护点】
1.一种栅极金属结构，所述栅极金属结构包括栅极部和场板部，所述场板部包括至少两个场板子部；
2.根据权利要求1所述的栅极金属结构，其特征在于，相邻所述场板子部的位置关系为：M1＜L1且M1＜D1；
3.根据权利要求1所述的栅极金属结构，其特征在于，相邻所述场板子部的位置关系为：L1＜L2；
4.根据权利要求1所述的栅极金属结构，其特征在于，栅极部一侧上表面的末端点位于栅极部一侧下表面的末端点远离栅极部的一侧，栅极部另一侧上表面的末端点位于栅极部另一侧下表面的末端点远离栅极部的一侧；
5.一种半导体器件，其特征在于，所述半
【技术特征摘要】
1.一种栅极金属结构，所述栅极金属结构包括栅极部和场板部，所述场板部包括至少两个场板子部；
2.根据权利要求1所述的栅极金属结构，其特征在于，相邻所述场板子部的位置关系为：m1＜l1且m1＜d1；
3.根据权利要求1所述的栅极金属结构，其特征在于，相邻所述场板子部的位置关系为：l1＜l2；
4.根据权利要求1所述的栅极金属结构，其特征在于，栅极部一侧上表面的末端点位于栅极部一侧下表面的末端点远离栅极部的一侧，栅极部另一侧上表面的末端点位于栅极部另一侧下表面的末端点远离栅极部的一侧；
5.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，邻近所述栅极部的场板子部与所述栅极金属结构的位置关系为：l1＝l1’，距离所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱洪途，顾庆钊，裴轶，张乃千，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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