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本发明公开了一种栅极金属结构、半导体器件及半导体器件的制备方法。该栅极金属结构包括栅极部和场板部，场板部包括至少两个场板子部，相邻场板子部中，下方场板子部的下表面的末端点位于上方场板子部的下表面的起始端点的靠近所述栅极部的一侧，上方场板子部...
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