一种半导体器件制造技术

本申请公开了一种半导体器件，所述器件包括衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层远离衬底一侧的介质层；位于所述半导体层远离衬底一侧的源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极；位于所述栅极和漏极之间的场板凹槽；位于所述介质层远离衬底一侧的场板，所述场板包含覆盖于所述场板凹槽内的第一部分，以及位于场板凹槽外且位于场板凹槽和漏极之间的第二部分。本申请通过对场板第二部分的设置，实现有效进行电场调制的同时满足高频特性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件
本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件。
技术介绍
工作在高漏源电压下的HEMT(HighElectronMobilityTransistor，高电子迁移率晶体管)器件，其栅极靠近漏端一侧附近的电场线非常密集，会形成一个高电场尖峰，这种局部区域的高电场可以引起非常大的栅极泄露电流，甚至导致材料击穿，器件失效，从而降低器件的击穿电压，并且电场尖峰越高，器件可承受的击穿电压就越小。同时，随着时间的增加，高电场也会引起器件表面介质层或半导体材料层退化、变性，进而影响器件工作可靠性，降低器件寿命，使得HEMT器件高温、高压、高频的优势不能充分发挥。所以，在实际器件的结构设计和工艺研发中，人们总会采取各种方法降低器件栅极附近的强电场以提高器件的击穿电压并获得优良的可靠性。申请内容有鉴于此，本申请提出了一种有效调节场板凹槽附近电场同时发挥高频特性的半导体器件，以满足现有技术对器件性能要求的不断提高。为实现上述目的，本申请采用如下技术方案：本申请实施例提供了一种半导体器件，包括：<br>衬底；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上的半导体层；/n位于所述半导体层远离所述衬底一侧的介质层；/n位于所述半导体层远离所述衬底一侧的源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极；/n位于所述栅极和漏极之间的场板凹槽；/n位于所述介质层远离衬底一侧的场板，所述场板包含覆盖于所述场板凹槽内的第一部分，以及位于场板凹槽外且位于场板凹槽和漏极之间的第二部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的半导体层；
位于所述半导体层远离所述衬底一侧的介质层；
位于所述半导体层远离所述衬底一侧的源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极；
位于所述栅极和漏极之间的场板凹槽；
位于所述介质层远离衬底一侧的场板，所述场板包含覆盖于所述场板凹槽内的第一部分，以及位于场板凹槽外且位于场板凹槽和漏极之间的第二部分。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场板的第二部分在所述栅极向所述漏极的延伸方向具有第一距离，在垂直于所述栅极向所述漏极的延伸方向具有第二距离，所述第一距离大于等于所述第二距离。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场板的第二部分末端与所述漏极靠近所述场板凹槽一侧边缘的距离大于等于所述场板的第二部分末端与所述栅极靠近所述场板凹槽一侧边缘的距离。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场板凹槽底部深入所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴星星，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32