集成芯片、高电压器件及形成高电压晶体管器件的方法技术

本公开的各种实施例涉及一种包括设置在漂移区之上的场板的集成芯片。第一栅极电极在源极区与漏极区之间上覆在衬底上。刻蚀终止层在侧向上从第一栅极电极的外侧壁延伸到漏极区。刻蚀终止层上覆在设置在源极区与漏极区之间的漂移区上。场板设置在上覆在衬底上的第一层间介电(ILD)层内。场板上覆在漂移区上。场板的顶表面与第一栅极电极的顶表面对准，且场板的底表面垂直地位于第一栅极电极的底表面上方。场板及第一栅极电极分别包含金属材料。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片、高电压器件及形成高电压晶体管器件的方法
本揭露实施例是有关于一种集成芯片、高电压器件及用于形成高电压晶体管器件的方法。
技术介绍
现今的集成芯片(integratedchip，IC)包括数百万或数十亿个形成在半导体衬底(例如，硅)上的半导体器件。视集成芯片的应用而定，集成芯片可使用许多不同类型的晶体管器件。近年来，移动设备(cellulardevice)及射频(radiofrequency，RF)器件市场日益增大已导致对高电压晶体管(highvoltagetransistor)器件的使用显著增加。举例来说，由于高电压晶体管器件能够应付高击穿电压(例如，大于约50伏特(Volt，V))及高频，因此它们往往用在RF发射/接收链中的功率放大器中。
技术实现思路
本揭露实施例提供一种集成芯片，其中所述集成芯片包括：第一栅极电极、刻蚀终止层以及场板。所述第一栅极电极上覆在衬底上且在源极区与漏极区之间。所述刻蚀终止层在侧向上从所述第一栅极电极的外侧壁延伸到所述漏极区，其中所述刻蚀终止层上覆在设置在所述源极区与所述漏极区之间的漂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，包括：/n第一栅极电极，上覆在衬底上且在源极区与漏极区之间；/n刻蚀终止层，在侧向上从所述第一栅极电极的外侧壁延伸到所述漏极区，其中所述刻蚀终止层上覆在设置在所述源极区与所述漏极区之间的漂移区上；以及/n场板，设置在上覆在所述衬底上的第一层间介电层内，其中所述场板上覆在所述漂移区上，所述场板的顶表面与所述第一栅极电极的顶表面对准，且所述场板的底表面垂直地位于所述第一栅极电极的底表面上方，其中所述场板及所述第一栅极电极分别包含金属材料。/n

【技术特征摘要】
20190521 US 16/417,7351.一种集成芯片，包括：
第一栅极电极，上覆在衬底上且在源极区与漏极区之间；
刻蚀终止层，在侧向上从所述第一栅极电极的外侧壁延伸到所述漏极区，其中所述刻蚀终止层上覆在设置在所述源极区与所述漏极区之间的漂移区上；以及
场板，设置在上覆在所述衬底上的第一层间介电层内，其中所述场板上覆在所述漂移区上，所述场板的顶表面与所述第一栅极电极的顶表面对准，且所述场板的底表面垂直地位于所述第一栅极电极的底表面上方，其中所述场板及所述第一栅极电极分别包含金属材料。


2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述场板包含具有第一功函数的金属，且所述第一栅极电极包含具有与所述第一功函数不同的第二功函数的导电材料。


3.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：
第二栅极电极，在一对源极/漏极区之间上覆在所述衬底上，其中所述第二栅极电极包括功函数结构；
其中所述场板包括与所述功函数结构相同的导电材料堆叠。


4.根据权利要求3所述的集成芯片，其中所述刻蚀终止层从所述第一栅极电极的所述外侧壁连续地延伸到所述第二栅极电极的外侧壁。


5.一种高电压器件，包括：
侧向扩散式金属氧化物半导体场效晶体管器件，包括上覆在衬底上的第一栅极结构且还包括设置在所述衬底中的源极区、漏极区及扩散区，其中所述扩散区在侧向上设置在所述源极区与所述漏极区之间，其中所述第一栅极结构包括第一栅极电极，所述第一栅极电极包含具有第一功函数的第一导电材料；
第一晶体管，包括上覆在所述衬底上的第二栅极结构且还包括设置在所述第二栅极结构的相对两侧上的多个第二源极/漏极区，其中所述第二栅极结构包括第二栅极电极，所述第二栅极电极包含具有与所述第一功函数不同的第二功函数的第二导电材料；以及
场板，上覆所述扩散区上且于侧向上设置在所述第一栅极电极与所述漏极区之间，其中所述场板包含所述第二导电材料。


6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：何嘉政，卢卉庭，王培伦，钟于彰，周君冠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71