【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体器件
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种功率半导体器件。
技术介绍
一般来说，对功率半导体功率组件的布局中，四个角落的弯角设计跟组件的击穿电压是息息相关的，而对超结接面（Super-Junction）更甚。超结接面组件同时存在P型掺杂区柱及N型掺杂区柱，在逆偏压的情况下，维持理想的空乏状态及取得较高的击穿电压（Breakdown）便是设计的重点。就击穿电压而言，任何功率组件在设计上都需考虑到主动区及终端区两部份，而超结接面首重电荷平衡，在设计上更是有难度，四个角落的弯曲位置更因为不理想的设计，容易导致电荷的不平衡而降低击穿电压。因此，如何能够简单化弯角设计且不让击穿电压失真一直是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种功率半导体器件，解决相关技术中存在的功率半导体器件电荷不平衡导致的击穿电压降低的问题。作为本专利技术的一个方面，提供一种功率半导体器件，其中，包括：半导体基板，所述半导体基板被划分为主动区和终端区，所述主动区位于所述半导体...
【技术保护点】
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：半导体基板，所述半导体基板被划分为主动区和终端区，所述主动区位于所述半导体基板的中心区，所述终端区位于所述主动区的外圈且环绕所述主动区设置，所述主动区和所述终端区均包括环状结构，所述主动区的每个环状结构曲率半径均相同，所述终端区的每个环状结构的曲率半径均相同，且所述终端区的环状结构的曲率半径均等于所述主动区的环状结构的曲率半径。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：半导体基板，所述半导体基板被划分为主动区和终端区，所述主动区位于所述半导体基板的中心区，所述终端区位于所述主动区的外圈且环绕所述主动区设置，所述主动区和所述终端区均包括环状结构，所述主动区的每个环状结构曲率半径均相同，所述终端区的每个环状结构的曲率半径均相同，且所述终端区的环状结构的曲率半径均等于所述主动区的环状结构的曲率半径。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述半导体基板包括在所述主动区和所述终端区内均设置的第一柱状掺杂区和第二柱状掺杂区，且所述第一柱状掺杂区和所述第二柱状掺杂区相邻且交替设置。
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，位于所述主动区内的第一柱状掺杂区形成的环状结构在角落位置的宽度到远离角落位置的宽度的变化趋势为逐渐减小，且远离角落位置的宽度保持一致。
4.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，位于所述终端区内的第一柱状掺杂区形成的环状结构在角落位置的宽度与远离角落位置的宽度均保持一致。
技术研发人员：李振道，孙明光，朱伟东，
申请(专利权)人：江苏应能微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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