本发明公开了碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括N型碳化硅外延层、铝P阱、N型纯硅外延层、第一硼P阱、第二硼P阱、栅极氧化层、多晶硅层、介电质层以及源极金属层，本发明的有益效果...

本发明公开了碳化硅半导体场效晶体管的栅源极保护结构及制备方法，包括N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层的上表面设有离子注入工艺形成的P

本实用新型提供提供了一种降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构，包括：重掺杂第一导电类型衬底，在重掺杂第一导电类型衬底上生长有轻掺杂第一导电类型外延层；在轻掺杂第一导电类型外延层内顶部设有第二导电类型重掺杂区；至少一圈隔离槽挖穿轻掺...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有高维持电压的瞬态电压抑制保护器件，其中，包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱；低压第二导电类型阱和低压第一导电类型阱；第一N+区和第一P+区；第二N+区和第二P+区；第一P+区靠近第二N+区...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有高触发电流的SCR器件，其中，包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱；低压第二导电类型阱和低压第一导电类型阱；第一N+区和第一P+区；第二N+区和第二P+区；低压第二导电类型阱与低压第一导电类...

本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开一种具有开路失效功能的瞬态电压抑制二极管结构，其中，包括：第一导电类型衬底和设置在第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层，第一导电类型外延层内设置第二导电类型注入区，第二导电类型注入区与第一导电类型...

本发明公开了一种自隔离非对称垂直型瞬态电压抑制保护器件，包括P型衬底、N型基区、P型基区、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第一表面结构和第二表面结构，第一表面结构包括第一场氧化层和第二电极金属层，第二表面...

本发明提供一种具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件，包括N型衬底；在N型衬底中的顶部间隔制作有左P型阱和右P型阱；在所述左P型阱中形成有第一P+注入区和第一N+注入区；在所述右P型阱中形成有第二P+注入区和第二N+注入区；在左P型...

本实用新型公开一种碳化硅闸沟槽式功率场效晶体管器件，包括上金属层、下金属层、位于碳化硅衬底中的N型外延层、位于N型外延层中上部的轻掺杂P型阱层，轻掺杂P型阱层位于第一沟槽、第二沟槽之间区域的上部间隔地设置有第一重掺杂N型源极区、第二重掺...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种屏蔽闸沟槽式MOS管的斜氧制作方法，其中，包括：提供外延层；在外延层上进行光刻，得到沟槽；沿着沟槽内侧生长一层氧化层；在生长氧化层后的沟槽内沉积第一次多晶硅；对第一次多晶硅进行离子刻蚀得到沿着沟槽...

本发明公开一种低功耗采样MOSFET功率管电流的电路，包括：放大器1、采样管M1、功率管M0和MOS管M2，MOS管M3、分压电阻R5、分压电阻R6，分压电阻R5与分压电阻R6串联在功率管M0的源极和漏极之间，分压电阻R5与分压电阻R6...

本实用新型公开一种垂直功率MOS晶体管，包括：上金属层、下金属层、N型外延层、轻掺杂P型阱层，此轻掺杂P型阱层设置有第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区；重掺杂P型区上表面位于轻掺杂P型阱层上表面，且重掺杂P型区下表面延伸至所述N...

本实用新型公开一种金属氧化物半导体MOS器件，包括N型外延层、位于N型外延层中上部的轻掺杂P型阱层，轻掺杂P型阱层位于第一沟槽、第二沟槽之间区域的上部间隔地设置有第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区；重掺杂P型区下表面延伸至所述N...

本实用新型公开一种低功耗沟槽式功率MOS器件，其轻掺杂P型阱层位于第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区之间的区域设置有一重掺杂P型区，所述重掺杂P型区上表面与轻掺杂P型阱层上表面齐平，且位于轻掺杂P型阱层下方，且重掺杂P型区下表面...

本实用新型公开一种功率金属氧化物半导体场效晶体管，包括位于碳化硅衬底中的N型外延层、位于N型外延层中上部的轻掺杂P型阱层，所述轻掺杂P型阱层位于第一沟槽、第二沟槽之间区域的上部间隔地设置有第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区，所述...

本实用新型公开一种半导体场效应晶体管，包括：上金属层、下金属层、N型外延层和位于N型外延层中上部的轻掺杂P型阱层，此轻掺杂P型阱层中间隔地开有第一沟槽和第二沟槽，第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区分别位于第一沟槽、第二沟槽的周边...

本实用新型公开一种沟槽型MOS器件，包括N型外延层、位于N型外延层中上部的轻掺杂P型阱层，轻掺杂P型阱层位于第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区之间的区域设置有一重掺杂P型区，所述重掺杂P型区上表面位于轻掺杂P型阱层上表面，且重掺...

本发明提供一种沟槽原位掺杂多晶硅可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上生长有N型外延；在N型外延上部左侧制作有N型阱区，在N型外延上部右侧制作有与N型阱区相切的P型阱区；在N型阱区表面之下内部左侧制作有第一N+区...

本发明提供一种具有网格状阴阳极沟槽结构的瞬态电压抑制保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上生长有N型外延；在N型外延上部左侧制作有N型阱区，在N型外延上部右侧制作有与N型阱区相切的P型阱区；在N型阱区表面之下内部左侧制作有第一N+区，右...

本实用新型实施例公开了一种开启功率MOS时的短路检测电路及芯片，该电路包括功率MOS、采样MOS及限流电阻；所述功率MOS的栅极与采样MOS的栅极连接，所述采样MOS连接所述限流电阻，所述功率MOS的输出连接负载电阻，所述限流电阻的电压...