金属氧化物半导体MOS器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种金属氧化物半导体MOS器件，包括N型外延层、位于N型外延层中上部的轻掺杂P型阱层，轻掺杂P型阱层位于第一沟槽、第二沟槽之间区域的上部间隔地设置有第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区；重掺杂P型区下表面延伸至所述N型外延层内并位于轻掺杂P型阱层的下方，所述重掺杂P型区的宽度在竖直方向下逐渐变小，所述重掺杂P型区与N型外延层的接触面为向下凸起的弧形面；第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区与轻掺杂P型阱层的接触面均为弧形面，所述轻掺杂P型阱层与N型外延层的接触面为向下凸起的弧形面。本实用新型专利技术MOS器件金属氧化物半导体MOS器件既降低了器件的切换损耗，也使电场更均匀，提高了功率MOS器件的耐电压能力。率MOS器件的耐电压能力。率MOS器件的耐电压能力。

【技术实现步骤摘要】
金属氧化物半导体MOS器件


[0001]本技术涉及一种金属氧化物半导体MOS器件，尤其涉及一种金属氧化物半导体MOS器件。

技术介绍

[0002]沟槽功率MOS器件是在平面式功率MOS器件的基础上发展起来的。与平面式功率MOS器件相比，其具有导通电阻低、饱和压降低、开关速度快、沟道密度高、芯片尺寸小等优点；采用沟槽式结构，消除了平面式功率MOS器件存在的寄生JFET（结型场效应管）效应。目前深沟槽功率MOS器件已经发展成为中低压大功率MOS器件的主流。但是，现有沟槽大功率MOS器件仍然存在诸多待改善的技术问题。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种金属氧化物半导体MOS器件，此金属氧化物半导体MOS器件既降低了器件的切换损耗，也使电场更均匀，提高了功率MOS器件的耐电压能力。
[0004]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种金属氧化物半导体MOS器件，包括N型外延层、位于N型外延层中上部的轻掺杂P型阱层，此轻掺杂P型阱层中间隔地开有第一沟槽和第二沟槽，位于轻掺杂P型阱层中的第一沟槽和第二沟槽从轻掺杂P型阱层上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物半导体MOS器件，其特征在于：包括N型外延层（1）、位于N型外延层（1）中上部的轻掺杂P型阱层（2），此轻掺杂P型阱层（2）中间隔地开有第一沟槽（3）和第二沟槽（4），位于轻掺杂P型阱层（2）中的第一沟槽（3）和第二沟槽（4）从轻掺杂P型阱层（2）上表面延伸至N型外延层（1）内，所述第一沟槽（3）和第二沟槽（4）内均具有一闸极多晶硅部（5），所述第一沟槽（3）、第二沟槽（4）分别与各自的闸极多晶硅部（5）之间均通过一闸极氧化层隔离（6）；所述轻掺杂P型阱层（2）位于第一沟槽（3）、第二沟槽（4）之间区域的上部间隔地设置有第一重掺杂N型源极区（7）、第二重掺杂N型源极区（8），此第一重掺杂N型源极区（7）、第二重掺杂N型源极区（8）分别位于第一沟槽（3）、第二沟槽（4）的周边；所述轻掺杂P型阱层（2）位于第一重掺杂N型源极区（7）、第二重掺杂N型源极区（8）之间的区域设置有一重掺杂P型区（9），所述重掺杂P型区（9）上表面位于轻掺杂P型阱层（2）上表面，且重掺杂P型区（9）下表面延伸至所述N型外延层（1）内并位于轻掺杂P型阱层（2）的下方，所述重掺杂P型...

【专利技术属性】
技术研发人员：李振道，孙明光，
申请(专利权)人：江苏应能微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：