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本实用新型公开一种金属氧化物半导体MOS器件，包括N型外延层、位于N型外延层中上部的轻掺杂P型阱层，轻掺杂P型阱层位于第一沟槽、第二沟槽之间区域的上部间隔地设置有第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区；重掺杂P型区下表面延伸至所述N型外...
该专利属于江苏应能微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏应能微电子有限公司授权不得商用。

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