本发明提供一种双向高压瞬态电压抑制器的结构，包括：重掺杂第一导电类型衬底，在重掺杂第一导电类型衬底上生长有一层第二导电类型外延层，与重掺杂第一导电类型衬底形成PN结；在一层第二导电类型外延层顶部形成有第二导电类型中间埋层；在第二导电类型...

本发明提供提供了一种降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构，包括：重掺杂第一导电类型衬底，在重掺杂第一导电类型衬底上生长有轻掺杂第一导电类型外延层；在轻掺杂第一导电类型外延层内顶部设有第二导电类型重掺杂区；至少一圈隔离槽挖穿轻掺杂第...

本发明提供一种集成逆导二极管的可控硅瞬态电压抑制保护器件结构，包括：P型衬底，在P型衬底上生长有N型外延；在N型外延上方左侧制作有N型阱区，在N型阱区右侧与其相切制作有P型阱区；在N型阱区内部表面制作有第一N+区以及与第一N+区右侧相切...

本发明提供一种集成逆导二极管的可控硅版图结构，包括N型衬底，在N型衬底右侧部分的顶部区域制作有用于形成SCR器件的P型阱区；在N型衬底内，P型阱区的前侧制作有用于降低逆导二极管电阻的N型阱区；在P型阱区左侧外部，N型阱区后侧的N型衬底内...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种静电保护器件，其中，包括：第一导电类型衬底和第二导电类型外延层，第二导电类型外延层内设置第二导电类型阱区和第一导电类型阱区，第二导电类型阱区内设置有第一N+区和第一P+区，第一导电类型阱区内设置有...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种用于静电放电中的场效应可控硅结构，其中，包括：第一导电类型衬底和设置在第一导电类型衬底上的第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层内设置第二导电类型阱区和第一导电类型阱区，所述第二导电类型阱区与...

本发明公开了一种基准电压控制装置、方法及电子设备，该装置包括：分压单元，用于采样基准电压发生单元的输出电压，得到第一分压电压和第二分压电压；第一采样电容，用于采样第一分压电压，得到第一采样电压；第二采样电容，用于采样第二分压电压，得到第...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种半导体场效应管器件，其中，包括：主动区和环绕所述主动区设置的终端区，所述主动区包括多个间隔设置的沟槽，每相邻两个沟槽之间的间距均相同且均为第一距离，所述终端区包括终端环，所述终端环在拐角位置的形状...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种低电容双向瞬态电压抑制器结构，其中，包括：第一双向TVS二极管器件和第二双向TVS二极管器件，第一双向TVS二极管器件和第二双向TVS二极管器件之间通过沟槽隔离，第一双向TVS二极管器件和第二双向...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅平面式功率半导体器件，其中，包括：衬底和外延层；形成在外延层上表面的闸极氧化层、介电质层和铝金属层；形成在闸极氧化层上表面的闸极多晶硅层；外延层本体内依次形成P‑掺杂区、N+掺杂区和P+掺杂...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅闸沟槽式功率半导体器件，其中，包括：基底和外延层；形成在外延层上表面的介电质层和铝金属层；形成在外延层本体外侧的闸极氧化层和闸极多晶硅层；依次形成在外延层本体内的P‑掺杂区、N+掺杂区和P+...

本发明公开了一种开关电源开通时间控制方法、装置及开关电源，该方法包括：获取开关电源的运行参数，运行参数包括轻载工况及重载工况下的开关管状态参数、电压参数、电流参数、等待持续时间及开关次数；根据电压参数确定轻载开通时间和重载开通时间，轻载...

本发明公开了一种低功耗电源启动控制装置、方法及电源设备，该装置包括：电压变换单元，用于对输入电压进行电压变换处理，并将输出电压传输至用电负载；分压单元，其用于获取采样电压；第一比较单元，其第二输入端用于接收预设参考电压，其输出端与第二比...

本发明实施例公开了一种开启功率MOS时的短路检测方法、电路及芯片，该方法包括：将功率MOS的栅极与采样MOS的栅极相连；将采样MOS连接限流电阻，将限流电阻上的电压与功率MOS的输出电压分别连接到比较器的两个输入，并进行比较，该比较的结...

本发明涉及直流电源转换器技术领域，具体公开了一种电流采样电路，其中，包括：采样单元、功率管单元和采样控制单元，所述采样单元与所述功率管单元连接，所述采样控制单元与所述采样单元连接，所述采样单元用于采集所述功率管单元的采样电流；所述采样控...

本实用新型实施例公开了一种阻挡MOS管的寄生二极管导通的电路及电荷泵，该电路包括主MOS管和辅助MOS管；所述主MOS管的栅极与所述辅助MOS管的栅极连接；所述主MOS管的基极与所述辅助MOS管的源极、所述辅助MOS管的基极连接；所述主...

本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，其中，包括：基底，所述基底上形成井深掺杂区，所述井深掺杂区内形成源极掺杂区，所述基底上添加金属层，所述金属层旁形成介电层，所述介电层包覆多晶硅层结构，所述介电层下形成氧化层，所述...

本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，其中，包括：半导体基板，所述半导体基板被划分为主动区和终端区，所述主动区位于所述半导体基板的中心区，所述终端区位于所述主动区的外圈且环绕所述主动区设置，所述主动区和所述终端区均包...

本发明实施例公开了一种阻挡MOS管的寄生二极管导通的方法、电路及电荷泵，该方法包括：将主MOS管的栅极与辅助MOS管的栅极相连；将所述主MOS管的基极与所述辅助MOS管的源极、所述辅助MOS管的基极相连；将所述主MOS管的源极与所述辅助...

本发明实施例公开了一种延时电路、方法、防止信号误触发电路和集成电路，其中，延时电路包括：上升沿延时电路和下降沿延时电路；所述上升沿延时电路采用组合逻辑电路，用于对输入信号的上升沿进行延时；所述下降沿延时电路采用组合逻辑电路，用于对输入信...