阻挡MOS管的寄生二极管导通的方法、电路及电荷泵技术

本发明专利技术实施例公开了一种阻挡MOS管的寄生二极管导通的方法、电路及电荷泵，该方法包括：将主MOS管的栅极与辅助MOS管的栅极相连；将所述主MOS管的基极与所述辅助MOS管的源极、所述辅助MOS管的基极相连；将所述主MOS管的源极与所述辅助MOS管的漏极相连。本发明专利技术的技术方案不仅可以彻底阻挡MOS管的寄生二极管导通，而且成本低，适宜推广应用。

Method, circuit and charge pump for blocking parasitic diode of MOS transistor

【技术实现步骤摘要】
阻挡MOS管的寄生二极管导通的方法、电路及电荷泵
本专利技术实施例涉及电子电路领域，尤其涉及一种阻挡MOS管的寄生二极管导通的方法、电路及电荷泵。
技术介绍
在当代的电子系统中，大部分集成电路的芯片都是基于场效应晶体管(MOSFET)的设计，其中，MOSFET(金属氧化物-半导体-场效晶体管)是MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor的简称，以下简称MOS管。MOS管按导电沟道可分为P型沟道和N型沟道，无论哪个类型，都有栅极，源极，漏极和基极这4个电极，如图1a和图1b所示。在基极与源极，以及基极与漏极之间存在寄生的二极管。对于P型MOS管(即P型沟道MOS管)，基极是二极管的阴极，源极和漏极是二极管的阳极。对于N型MOS管(即N型沟道MOS管)，基极是二极管的阳极，源极和漏极是二极管的阴极。在实际应用中，4个电极都会连接到相应的电位。基极的电位选择通常需要防止寄生二极管导通。对于N型MOS管，衬底可以连接到最低电位，通常是地。对于P型MOS管，基极可以连接到最高电位，通常是电源。但是，在某些情况本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阻挡MOS管的寄生二极管导通的方法，其特征在于，该方法包括：/n将主MOS管的栅极与辅助MOS管的栅极相连；/n将所述主MOS管的基极与所述辅助MOS管的源极、所述辅助MOS管的基极相连；/n将所述主MOS管的源极与所述辅助MOS管的漏极相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种阻挡MOS管的寄生二极管导通的方法，其特征在于，该方法包括：
将主MOS管的栅极与辅助MOS管的栅极相连；
将所述主MOS管的基极与所述辅助MOS管的源极、所述辅助MOS管的基极相连；
将所述主MOS管的源极与所述辅助MOS管的漏极相连。


2.根据权利要求1所述的阻挡MOS管的寄生二极管导通的方法，其特征在于，所述主MOS管与所述辅助MOS管均为P型MOS管。


3.根据权利要求1所述的阻挡MOS管的寄生二极管导通的方法，其特征在于，所述主MOS管与所述辅助MOS管均为N型MOS管。


4.根据权利要求1至3之一所述的阻挡MOS管的寄生二极管导通的方法，其特征在于，所述主MOS管开启阈值电压要小于或者等于所述辅助MOS管的开启阈值电压与寄生二极管的压降之和。


5.一种阻挡MOS管的寄生二极管导通的电路，其特征在于，该电路包括主MOS管和辅助MOS管；其中，所述主MOS管的栅极与所述辅助MOS管的栅极连接；所述主MOS管的基极与所述辅助MOS管的源极、所述辅助MOS管的基极连接；所述主MOS管的源极与所述辅助MOS管的漏极连接。


6.根据权利要求5所述的阻挡MOS管的寄生二极管导通的电路，其特征在于，所述主MOS管与所述辅助MOS管均为P型MOS管，其中，所述主MOS管的栅极G1与所述辅助MOS管的栅极G2连接，所述主MOS管的基极B1与所述辅助MOS管的源极S2、所述辅助MOS管的基极B2连接，所述主MOS管的源极S1与所述辅助MOS管的漏极D2连接，所述主MOS管的漏极D1与主MOS管的寄生二极管D1A的阳极连接，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李征，
申请(专利权)人：江苏应能微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32