半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种半导体装置及其制造方法。此半导体装置包括设置在基板之上的通道层、设置在通道层之上的阻挡层、设置在阻挡层之上的化合物半导体层、设置在化合物半导体层之上的栅极电极、以及设置于栅极电极两侧的源极电极以及漏极电极。上述源极电极以及漏极电极穿过至少一部分阻挡层。此半导体装置亦包括通过源极接触件与源极电极连接的源极场板，其中此源极场板具有一边缘。此半导体装置更包括设置于阻挡层上且位于上述边缘正下方的第一电场重布图案。本发明专利技术可增加半导体装置的击穿电压，进而提升半导体装置的可靠度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术实施例是关于一种半导体装置，且特别是有关于一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)，又称为异质结构场效应晶体管(heterostructureFET,HFET)或调变掺杂场效应晶体管(modulation-dopedFET,MODFET)，为一种场效应晶体管(fieldeffecttransistor,FET)，其由具有不同能隙(energygap)的半导体材料组成。在邻近不同半导体材料的所形成界面处会产生二维电子气(twodimensionalelectrongas,2DEG)层。由于二维电子气的高电子移动性，高电子迁移率晶体管可以具有高击穿电压、高电子迁移率、低导通电阻与低输入电容等优点，因而适合用于高功率元件上。场板(fieldplate)通常设置于半导体装置的高电场区，其用于降低高电场区的峰值电场(peakelectricfield)。其中一种场板是连接至栅极的场板(即，栅极场板)，其可降低栅极在漏极侧上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n一通道层，设置于一基板之上；/n一阻挡层，设置于该通道层之上；/n一化合物半导体层，设置于该阻挡层之上；/n一栅极电极，设置于该化合物半导体层之上；/n一源极电极以及一漏极电极，设置于该栅极电极两侧，其中该源极电极以及该漏极电极穿过至少一部分该阻挡层；/n一源极场板，通过一源极接触件与该源极电极连接，其中该源极场板具有一边缘；以及/n一第一电场重布图案，设置于该阻挡层上且位于该边缘正下方。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一通道层，设置于一基板之上；
一阻挡层，设置于该通道层之上；
一化合物半导体层，设置于该阻挡层之上；
一栅极电极，设置于该化合物半导体层之上；
一源极电极以及一漏极电极，设置于该栅极电极两侧，其中该源极电极以及该漏极电极穿过至少一部分该阻挡层；
一源极场板，通过一源极接触件与该源极电极连接，其中该源极场板具有一边缘；以及
一第一电场重布图案，设置于该阻挡层上且位于该边缘正下方。


2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一电场重布图案包括至少一化合物半导体凸块，设置于该阻挡层之上。


3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该至少一化合物半导体凸块的厚度小于该化合物半导体层的厚度。


4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该至少一化合物半导体凸块与该化合物半导体层包括相同的材料。


5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一电场重布图案为至少一凹槽，该至少一凹槽自该阻挡层的上表面向该阻挡层的下表面延伸。


6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该至少一凹槽穿过该阻挡层且延伸至该通道层。


7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一额外的源极场板，该额外的源极场板通过该源极接触件与该源极电极连接，其中该额外的源极场板的边缘比该源极场板的边缘更靠近该漏极电极，且该第一电场重布图案更设置于该额外的源极场板的边缘的正下方。


8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在俯视示意图中，该第一电场重布图案为不连续的。


9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在俯视示意图中，该第一电场重布图案为条状。


10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一第二电场重布图案，该第二电场重布图案为至少一凹槽，该至少一凹槽自该阻挡层的上表面向该阻挡层的下表面延伸，其中该第二电场重布图案位于该栅极电极及该漏极电极之间且邻近该化合物半导体层的边缘。


11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一保护层，沿着该栅极电极、该化合物半导体层、及该第一电场重布图案顺应性地设置。


12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊仪，陈志谚，洪章响，黄嘉庆，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71