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本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法。此半导体装置包括设置在基板之上的通道层、设置在通道层之上的阻挡层、设置在阻挡层之上的化合物半导体层、设置在化合物半导体层之上的栅极电极、以及设置于栅极电极两侧的源极电极以及漏极电极。上述源极电极以...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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