温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种半导体器件，所述器件包括衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层远离衬底一侧的介质层；位于所述半导体层远离衬底一侧的源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极；位于所述栅极和漏极之间的场板凹槽；位于所述介质层远离衬底一侧...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。