【技术实现步骤摘要】
一种具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法
本专利技术属于SiC基欧姆接触
，具体涉及一种具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法。
技术介绍
在集成电路制造领域中，欧姆接触的制备是必不可少的关键工艺。近年来，由于对半导体器件在高温条件下应用的需求，研发人员对器件散热能力和热稳定性的研究不断深入。在集成电路的应用环境中，有很多如发动机等大功率情况，容易产生大量的热，使器件工作温度升高。同时，随着芯片集成度越来越高，热耗越来越大。而高温的工作环境会导致器件性能发生偏移，甚至导致部分结构失效。随着IC产业的迅速发展，越来越多的高性能电子产品面临着更大的散热困境。欧姆接触作为器件制备的关键一步，也急需具备很好地热稳定性和散热能力。以保证其在超高功率或高温的破坏性氛围下仍能稳定的工作，能够长时间的维持比接触欧姆电阻在一个稳定的值。目前，较为普遍的散热方法有水冷、风冷、热电制冷、热管制冷或优化器件布局等方式，通过优化欧姆接触器件的金属组分、结构、工艺等，改善欧姆接触的高温热稳定性。但是，传统的欧姆接触结构通...
【技术保护点】
1.一种具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，包括：/n选取SiC衬底；/n在所述SiC衬底的正面外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；/n在所述石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；/n在所述SiC衬底的背面溅射Ni金属形成背面电极；/n通过第一次光刻胶光刻方法在所述Au膜上形成第一转移电极图形；/n采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被所述第一转移电极图形覆盖的所述Au膜；/n采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被所述Au膜覆盖的所述石墨烯；/n通过第二次光刻胶光刻方法在所述Au膜上形成第二转移电极图形；/n采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被所述第二转移电极图形覆盖的所述Au膜；/n...
【技术特征摘要】
1.一种具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，包括：
选取SiC衬底；
在所述SiC衬底的正面外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；
在所述石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；
在所述SiC衬底的背面溅射Ni金属形成背面电极；
通过第一次光刻胶光刻方法在所述Au膜上形成第一转移电极图形；
采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被所述第一转移电极图形覆盖的所述Au膜；
采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被所述Au膜覆盖的所述石墨烯；
通过第二次光刻胶光刻方法在所述Au膜上形成第二转移电极图形；
采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被所述第二转移电极图形覆盖的所述Au膜；
在所述Au膜上淀积Au材料形成正面电极，并进行退火处理，以完成以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接的制备。
2.根据权利要求1所述的具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，选取所述SiC衬底包括：
对所述SiC衬底进行标准RCA清洗；
对所述SiC衬底表面进行氢刻蚀，工艺条件为：刻蚀温度1600℃，刻蚀时间90min，刻蚀压力96mbar，氢气流量90L/min；
去除所述SiC衬底表面衍生物，工艺条件为：将温度从1600℃缓慢降温到1000℃，通入2L/min氢气维持15min；降温到850℃，真空下通入0.5ml/minSiH4维持10min；升温至1000℃维持5min；保持真空下升温至1100℃维持5min；升温至1250℃维持10min。
3.根据权利要求1所述的具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，在所述SiC衬底的正面外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构包括：
在所述SiC衬底的Si面外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构。
4.根据权利要求1所述的具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，在所述SiC衬底的正面外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构包括：
采用CVD设备在所述SiC衬底的正面通过热生长法外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构，工艺条件为：切断氢气和SiH4，通入2L/min的氩气，维持CVD设备内5mbar的压强，升温至1650℃，热解时间为30min～1.5h。
5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡彦飞，纪宇婷，梁佳博，郭辉，何艳静，袁昊，王雨田，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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