碳化硅欧姆接触结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种碳化硅欧姆接触结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。碳化硅欧姆接触结构包括p型碳化硅区和在所述p型碳化硅区上方形成的p型欧姆合金层；其中，所述p型欧姆合金层为镍钛铝合金；钛与镍的原子比不低于0.178且不高于0.310；钛与铝的原子比不低于0.171且不高于0.470。碳化硅欧姆接触结构在高温退火后，并不会降低n型与p型中一者的接触性能。

Ohmic contact structure of silicon carbide and its preparation

【技术实现步骤摘要】
碳化硅欧姆接触结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及碳化硅欧姆接触结构及其制备方法。
技术介绍
在碳化硅(SiC)功率器件的制造工艺中，需要在SiC晶圆的正面制作出不同导电型的区域，并在这些不同导电型的区域上制作欧姆接触电极。比如SiCMOSFET、IGBT、BJT等器件，均需要在正面不同导电型区域(n型、p型)上制作源极电极、集电极电极、发射极电极等电极。在这些欧姆接触制作区域，如何降低比接触电阻率并同时保证良好的接触表面形貌，这一直是这些器件制作的重点与难点。当前，单独的n型碳化硅欧姆接触或者单独的p型碳化硅欧姆接触制作工艺已经相对成熟。若需要在同一碳化硅晶圆上制作n型与p型欧姆接触，如果在目标器件上分别制作n型与p型欧姆接触，需要使用两层光刻工艺和两次高温退火，工艺复杂度高，并且第二次的高温工艺会严重影响前道工艺性能，比如会降低栅氧层的载流子迁移率，恶化已形成的p型欧姆接触质量等。如果在目标器件上同时形成n型与p型欧姆接触，将不可避免地牺牲n型与p型中一者的欧姆接触性能。因此，设计一种碳化硅欧姆接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅欧姆接触结构，其特征在于，包括：/np型碳化硅区(12)；/n在所述p型碳化硅区(12)上方形成的p型欧姆合金层(16)；/n其中，所述p型欧姆合金层(16)为镍钛铝合金；/n钛与镍的原子比不低于0.178且不高于0.310；钛与铝的原子比不低于0.171且不高于0.470。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅欧姆接触结构，其特征在于，包括：
p型碳化硅区(12)；
在所述p型碳化硅区(12)上方形成的p型欧姆合金层(16)；
其中，所述p型欧姆合金层(16)为镍钛铝合金；
钛与镍的原子比不低于0.178且不高于0.310；钛与铝的原子比不低于0.171且不高于0.470。


2.一种碳化硅欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供一p型碳化硅区(12)；
在所述p型碳化硅区(12)上方形成p型欧姆合金层(16)；
其中，所述p型欧姆合金层(16)为镍钛铝合金；
钛与镍的原子比不低于0.178且不高于0.310；钛与铝的原子比不低于0.171且不高于0.470。


3.根据权利要求2所述的碳化硅欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述在所述p型碳化硅区(12)上方形成的p型欧姆合金层(16)的步骤，包括：
在所述p型碳化硅区(12)上方沉积镍层(18)；
在所述镍层(18)上方沉积所述钛层(19)和所述铝层(20)；
进行退火处理，形成所述p型欧姆合金层(16)。


4.根据权利要求3所述的碳化硅欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述退火处理的工艺温度范围为：900℃－1050℃，持续时间的范围为：1分钟－5分钟。


5.一种碳化硅欧姆接触结构，其特征在于，包括：
设置的p型碳化硅区(12)和n型碳化硅区(13)；
在所述p型碳化硅区(12)和所述n型碳化硅区(13)上方分别设有p型欧姆合金层(16)和n型欧姆合金层(17)；
其中，所述p型欧姆合金层(16)为镍钛铝合金，钛与镍的原子比不低于0.178且不高于0.310；钛与铝的原子比不低于0...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨程，林科闯，陶永洪，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35