一种半导体集成芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体集成芯片及其制作方法，半导体集成芯片的基底正面包括设置有第一器件的第一区域和设置有第二器件的第二区域，基底背面设有背金层；第一区域上还按序设有连线结构、顶层钝化层和散热层，连线结构与第一器件的电极以及背金层连接形成第一散热通道，散热层覆盖第一区域并贯穿顶层钝化层与连线结构连接形成第二散热通道；连线结构由一金属连线层构成，散热层由顶部金属层构成，第二器件包括金属连线层和顶部金属层构成的金属堆叠。本发明专利技术一方面提高了散热性能，使得HBT器件等有源器件的电流非线性下降的拐点电压进一步提高，另一方面通过加厚第二器件的金属厚度提高其性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体的，具体涉及一种半导体集成芯片及其制作方法。

技术介绍

1、随着5g通信、毫米波雷达及电动汽车等领域的快速发展，高频、高功率、高电压的hbt(异质结双极晶体管)功率放大器件成为核心元器件，与电容(c)、电阻(r)、电感(l)等无源元件协同工作，构建复杂功能电路以实现多种场景的应用。然而，在高电压工作条件下，器件因自热效应(self-heating)导致的电流非线性下降(current collapse)问题严重制约了其性能和可靠性。

2、为了抑制自热效应，现有技术采用了使用金属线与发射极金属连接到空旷位置再通过开背孔的方式，来散热以提高电流非线性下降的拐点电压。但随着移动通信和便携式设备技术对运用电压的提高，采用该散热方式来获得的电流非线性下降拐点电压已不能满足需求，因此需要寻求更为有效的散热方式以突破瓶颈，实现高电压下hbt器件及其集成器件的性能与可靠性的协同提升。

技术实现思路

1、本专利技术针对现有技术存在的不足，提供一种半导体集成芯片及其制作方法。</p>

2、为了本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体集成芯片，其特征在于：包括基底，基底正面包括设置有第一器件的第一区域和设置有第二器件的第二区域，基底背面设有背金层；所述第一区域上还按序设有连线结构、顶层钝化层和散热层，所述第一器件设有电极，所述连线结构与所述电极以及所述背金层连接形成第一散热通道，所述散热层覆盖所述第一区域并贯穿所述顶层钝化层与所述连线结构连接形成第二散热通道；所述第二器件包括图形化结构层；其中，所述连线结构由一金属连线层构成，所述散热层由顶部金属层构成，所述图形化结构层包括所述金属连线层和顶部金属层构成的金属堆叠。

2.根据权利要求1所述的半导体集成芯片，其特征在于：所述基底于所述第一区域内...

【技术特征摘要】

1.一种半导体集成芯片，其特征在于：包括基底，基底正面包括设置有第一器件的第一区域和设置有第二器件的第二区域，基底背面设有背金层；所述第一区域上还按序设有连线结构、顶层钝化层和散热层，所述第一器件设有电极，所述连线结构与所述电极以及所述背金层连接形成第一散热通道，所述散热层覆盖所述第一区域并贯穿所述顶层钝化层与所述连线结构连接形成第二散热通道；所述第二器件包括图形化结构层；其中，所述连线结构由一金属连线层构成，所述散热层由顶部金属层构成，所述图形化结构层包括所述金属连线层和顶部金属层构成的金属堆叠。

2.根据权利要求1所述的半导体集成芯片，其特征在于：所述基底于所述第一区域内设有背孔，所述背孔位于所述第一器件的外围；所述连线结构由所述电极上方延伸至通过所述背孔与所述背金层连接。

3.根据权利要求2所述的半导体集成芯片，其特征在于：所述散热层分别于所述电极上方和背孔上方贯穿所述顶层钝化层与所述连线结构连接。

4.根据权利要求1所述的半导体集成芯片，其特征在于：所述顶部金属层的厚度为1～10μm。

5.根据权利要求1所述的半导体集成芯片，其特征在于：所述第一区域还设有至少一无源器件，所述无源器件包括电感器、电容器、电阻器中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的半导体集成芯片，其特征在于：所述金属连线层还构成所述无源器件或所述无源器件的引出结构；所述顶部金属层与所述无源器件之间通过所述顶层钝化层分隔。

7.根据权利要求1所述的半导体集成芯片，其特征在于：所述第一器件为hbt器件、hemt器件或phemt器件，所述第二器件为电容器、电感器或电阻器。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：何湘阳，魏鸿基，郭佳衢，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：