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本发明公开了一种半导体集成芯片及其制作方法，半导体集成芯片的基底正面包括设置有第一器件的第一区域和设置有第二器件的第二区域，基底背面设有背金层；第一区域上还按序设有连线结构、顶层钝化层和散热层，连线结构与第一器件的电极以及背金层连接形成第一...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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