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本发明提供了一种碳化硅欧姆接触结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。碳化硅欧姆接触结构包括p型碳化硅区和在所述p型碳化硅区上方形成的p型欧姆合金层；其中，所述p型欧姆合金层为镍钛铝合金；钛与镍的原子比不低于0.178且不高于0.310；钛与...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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