一种新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法技术

本发明专利技术公开了一种新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；在SiC衬底转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；通过第一次光刻胶光刻方法在Au膜上形成第一转移电极图形；采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过第二次光刻胶光刻方法在SiC衬底上形成第二转移电极图形；在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料；剥离第二转移电极图形形成Au电极并进行退火处理。本发明专利技术方法为一种切实可行的制备方案，石墨烯降低了与SiC界面的势垒，欧姆接触的比接触电阻率达到10

【技术实现步骤摘要】
一种新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法
本专利技术属于SiC基欧姆接触
，具体涉及一种新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法。
技术介绍
SiC材料由于其宽禁带、高热导率、高击穿电场等优异特性，使其在高温、大功率、辐照等极端工作条件下具有不可替代的优势，在各项应用领域备受关注。目前，不断缩小的器件特征尺寸对欧姆接触提出了更高的要求，寄生电阻、寄生电容等一直困扰着器件性能的提升，大大限制了器件的工作频率。而寄生电阻则主要来自于接触，欧姆接触质量的提升成为提升器件性能的关键所在。欧姆接触的比接触电阻率越小，由接触带来的功耗就越低，信号损失也越小，系统的效率和准确性越高。因此，长期以来，国内外研究团队致力于降低欧姆接触的比接触电阻，获得更加稳定的接触结构。基于欧姆接触的金属主要有Ni、Ti、Co、Ta等金属及其合金，其中Ni基欧姆接触技术具有更高的工艺可重复性且可获得低的比接触电阻(1×10-5π·cm2)，已形成了欧姆接触的标准工艺。对于现有的欧姆接触技术，人们对其形成机理尚未达成共识。目前被普遍认同的说法认为，金属与SiC接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，包括：/n选取SiC衬底；/n在所述SiC衬底转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；/n在所述石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；/n通过第一次光刻胶光刻方法在所述Au膜上形成第一转移电极图形；/n采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被所述第一转移电极图形覆盖的所述Au膜；/n采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被所述Au膜覆盖的所述石墨烯；/n通过第二次光刻胶光刻方法在所述SiC衬底上形成第二转移电极图形；/n在所述第二转移电极图形外的所述Au膜上淀积Au材料；/n剥离所述第二转移电极图形形成Au电极，并进行退火处理，以完成新型超低接触...

【技术特征摘要】
1.一种新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，包括：
选取SiC衬底；
在所述SiC衬底转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；
在所述石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；
通过第一次光刻胶光刻方法在所述Au膜上形成第一转移电极图形；
采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被所述第一转移电极图形覆盖的所述Au膜；
采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被所述Au膜覆盖的所述石墨烯；
通过第二次光刻胶光刻方法在所述SiC衬底上形成第二转移电极图形；
在所述第二转移电极图形外的所述Au膜上淀积Au材料；
剥离所述第二转移电极图形形成Au电极，并进行退火处理，以完成新型超低接触电阻SiC基欧姆接触的制备。


2.根据权利要求1所述的新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，选取所述SiC衬底包括：
对所述SiC衬底进行标准RCA清洗；
对所述SiC衬底表面进行氢刻蚀，工艺条件为：刻蚀温度1600℃，刻蚀时间90min，刻蚀压力96mbar，氢气流量90L/min；
去除所述SiC衬底表面衍生物，工艺条件为：将温度从1600℃缓慢降温到1000℃，通入2L/min氢气维持15min；降温到850℃，真空下通入0.5ml/minSiH4维持10min；升温至1000℃维持5min；保持真空下升温至1100℃维持5min；升温至1250℃维持10min。


3.根据权利要求1所述的新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，在所述SiC衬底转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构包括：
在所述SiC衬底的Si面转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构。


4.根据权利要求1所述的新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，在所述SiC衬底转移石墨烯形成石墨烯/SiC结构包括：
选取铜箔并采用CVD设备在所述铜箔上生长石墨烯，工艺条件为：在CVD设备中通入1000sccm氩气，以200℃/min升温至1000℃；关闭氩气，通入1000sccm氢气，维持5min；逐渐将通入气体改为960sccm氩气、40sccm氢气，再通入10sccm甲烷气体，维持10min；关闭甲烷气源，以200℃/min降温至300℃，温度自然降温至150℃，关闭所有气源，抽真空至0.1mbar；
在所述石墨烯表面旋涂PMMA溶液，并使用腐蚀溶液去除所述铜箔形成PMMA/石墨烯，所述PMMA/石墨烯漂浮在所述腐蚀溶液上方，工艺条件为：旋涂转速为3000rpm，旋涂1min；使用的腐蚀溶液为0.5mol/L的氯化铁溶液，腐蚀4h；
使用所述SiC衬底将所述PMMA/石墨烯从所述腐蚀溶液中转移出形成PMMA/石墨烯/SiC结构并清洗，工艺条件为：使用镊子将SiC衬底倾斜一定...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡彦飞，纪宇婷，郭辉，梁佳博，何艳静，袁昊，王雨田，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61