本申请提供了一种半导体芯片、半导体晶圆及其制造方法，其中，半导体芯片包括基底，基底包括相对的第一侧面及第二侧面；设置于第一侧面的半导体芯片的源极；设置在基底上的通孔，通孔的设置位置与源极的位置对应，通孔从第二侧面贯穿至第一侧面；基于第二...

本发明公开了一种倒片机，涉及半导体加工设备技术领域。该倒片机包括：基座、吸附组件及驱动组件，所述基座内设置有真空通道；所述吸附组件设置于所述基座上，并与所述真空通道连通；所述驱动组件被配置为能够驱动所述吸附组件转动；通过将工件放置于所述...

本发明公开了一种通孔刻蚀方法。该通孔刻蚀方法包括：采用光刻工艺在待刻蚀基底一侧的表面对应通孔区处形成牺牲体；在暴露出的所述待刻蚀基底的表面以及所述牺牲体远离所述待刻蚀基底一侧的表面，形成至少一层第一掩膜层；通过去除所述牺牲体剥离掉位于所...

本发明公开了一种刻蚀设备及刻蚀方法，涉及刻蚀设备技术领域。该刻蚀设备包括刻蚀腔、预抽腔、测量腔及传送机构，预抽腔与刻蚀腔连通；测量腔与预抽腔连通，测量腔内设置有检测组件，检测组件被配置为检索工件上刻蚀的深度；传送机构设置于预抽腔内，传送...

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于衬底上的多层半导体层；位于多层半导体层的有源区内的多个源极、多个栅极和多个漏极；源极包括第一类源极和第二类源极，第一类源极包括位于有源区边缘的两个源极，第二类源极包括...

本发明涉及刻蚀技术领域，具体公开一种刻蚀设备。该刻蚀设备包括刻蚀腔体、沉积板和电极组件，刻蚀腔体内承载有待刻蚀工件，刻蚀腔体的一端能够通入刻蚀气体，沉积板可拆卸连接于刻蚀腔体内，且位于待刻蚀工件的上方，并对待刻蚀工件进行刻蚀。本发明提供...

本实用新型提供的一种新型集成封装电子器件结构，通过在封装部件内封装包括匹配电路模块和接地电路模块的集成无源器件区，且集成无源器件区与封装框架形成至少两路连接电路，如通过匹配电路模块和接地电路模块分别与封装框架电连接，在集成封装电子器件上...

本发明提供了一种靶材溅镀设备以及靶材溅镀系统，涉及镀膜设备领域，该靶材溅镀设备包括溅镀工艺区，溅镀工艺区内设置有靶材固定件和载片盘，靶材固定件设置在载片盘的上方，靶材溅镀设备还包括靶材放置区，靶材放置区设置有至少一个用于承载靶材的承载块...

本发明公开了一种跨区域便捷换车运输装置，属于物品运送装置技术领域，为解决现有技术费时费力等问题而设计。本发明跨区域便捷换车运输装置包括能在第一区域中移动的第一运输车、能在第二区域中移动的第二运输车、以及能承载待运输物品的箱体，箱体能从第...

本申请实施例提供的半导体器件及制作方法。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上的半导体层。基于半导体层远离衬底一侧制作形成的源极、漏极及栅极。基于半导体层远离衬底一侧制作形成的介质层，介质层将源极和漏极与栅极隔离开。栅极包括至少两个依次连接...

本发明提供的底切结构测量系统和底切结构测量方法，涉及半导体器件相关精密测量技术领域。其中，底切结构测量系统包括：光源，用于提供对待测部件进行扫描的扫描光束；光强探测器，该光强探测器设置于经待测部件的各位置反射的反射光束的传输路径上，以感...

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括衬底；位于衬底基板的多层半导体层,多层半导体层中形成有二维电子气；位于多层半导体层远离衬底一侧的第一介质层，第一介质层中形成有负离子；位于多层半导体层远离衬底一侧的多个电...

本实用新型公开了一种功率放大电路和功率放大器。功率放大电路包括功放输入端、主级、至少一个峰级、第一相位延迟网络和功放输出端；功放输入端分别与主级的输入端以及至少一个峰级的输入端连接，功放输出端分别与主级的输出端以及至少一个峰级的输出端连...

本发明提供了一种产品表面异物处理方法以及产品表面异物处理设备，涉及半导体技术领域，该产品表面异物处理方法通过将待处理产品固定后利用气流和/或溶液对待处理产品的表面进行清理，使得待处理产品的外观符合工艺要求。相较于现有技术，本发明提供的产...

本发明提供了一种污染物隔离装置以及真空度监测设备，涉及真空设备技术领域，该污染物隔离装置包括真空管壳、第一隔离板、第二隔离板以及连接件，第一隔离板和第二隔离板间隔设置在真空管壳内，且第一隔离板和第二隔离板之间具有隔离腔，连接件设置在隔离...

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明实施例中的半导体器件通过调节器件的外延结构,对传统器件的电子浓度分布进行调制，改变传统的电子浓度峰值位置，将半导体层中的电子浓度峰值位置从沟道层和势垒层的界面处向靠近过渡...

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于衬底上的多层半导体层，多层半导体层中形成有二维电子气；位于多层半导体层的有源区内的多个阻断区，每个阻断区贯穿二维电子气，且阻断区对应位置处的二维电子气被耗尽；位于多层...

本发明提供了一种驱动压接测试夹具以及功放管性能测试系统，涉及测试夹具领域，该驱动压接测试夹具包括测试基台、驱动机构、承载机架和弹性压接机构，承载机架设置在测试基台上，测试基台上设置有装夹位，驱动机构连接在承载机架上，弹性压接机构与驱动机...

本发明公开了一种载物装置及镀膜设备，涉及半导体镀膜技术领域。该载物装置包括固定盘、底盘、载物盘及连杆组件，所述底盘位于所述固定盘的下方；所述载物盘相对竖直方向倾斜设置，且底端与所述底盘连接；所述连杆组件的上端与所述固定盘连接，下端与所述...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本申请实施例中的半导体器件，通过在传统器件主沟道层的上方设置单个或多个沟道层，这些单个或多个沟道层被栅极结构贯穿，降低对器件的阈值电压和热阻的影响，同时栅极结构能够降低器件的漏...