一种通孔刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种通孔刻蚀方法。该通孔刻蚀方法包括：采用光刻工艺在待刻蚀基底一侧的表面对应通孔区处形成牺牲体；在暴露出的所述待刻蚀基底的表面以及所述牺牲体远离所述待刻蚀基底一侧的表面，形成至少一层第一掩膜层；通过去除所述牺牲体剥离掉位于所述牺牲体上的所述至少一层第一掩膜层；刻蚀去除所述牺牲体后暴露出的所述待刻蚀基底，形成通孔。本发明专利技术减少了刻蚀工艺，降低了通孔刻蚀时间以及工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
一种通孔刻蚀方法
本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种通孔刻蚀方法。
技术介绍
GaN场效应晶体管的源电极通常需要通过通孔连接到半导体器件的背面，可以减小源端的寄生电感，提升半导体器件在高频工作时的增益，该工艺被称为背晶工艺。形成该通孔时需要将约100um的SiC衬底刻穿，使得正面的源电极与背面的电极相连。通常通孔的制作方法是在SiC衬底上制作较厚的金属掩膜，然后用干法刻蚀技术，以厚金属为掩膜进行干法刻蚀，将衬底刻透。目前，厚金属掩膜的制作方法主要是通过两层金属来形成，具体的，先通过溅射技术生长一层薄金属，称为种子金属，然后通过光刻和刻蚀技术，以光刻胶为掩膜在薄金属上形成图形，再通过电沉积技术生长厚金属。但这种通孔刻蚀方法需要两次刻蚀工艺，时间较长，成本较高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提出一种通孔刻蚀方法，以减少刻蚀工艺，降低通孔刻蚀时间以及工艺成本。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：本专利技术实施例提供了一种通孔刻蚀方法，包括：采用光刻工艺在待刻蚀基底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通孔刻蚀方法，其特征在于，包括：/n采用光刻工艺在待刻蚀基底一侧的表面对应通孔区处形成牺牲体；/n在暴露出的所述待刻蚀基底的表面以及所述牺牲体远离所述待刻蚀基底一侧的表面，形成至少一层第一掩膜层；/n通过去除所述牺牲体剥离掉位于所述牺牲体上的所述至少一层第一掩膜层；/n刻蚀去除所述牺牲体后暴露出的所述待刻蚀基底，形成通孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种通孔刻蚀方法，其特征在于，包括：
采用光刻工艺在待刻蚀基底一侧的表面对应通孔区处形成牺牲体；
在暴露出的所述待刻蚀基底的表面以及所述牺牲体远离所述待刻蚀基底一侧的表面，形成至少一层第一掩膜层；
通过去除所述牺牲体剥离掉位于所述牺牲体上的所述至少一层第一掩膜层；
刻蚀去除所述牺牲体后暴露出的所述待刻蚀基底，形成通孔。


2.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述牺牲体包括第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第一部分远离所述待刻蚀基底一侧的表面，且所述第一部分在所述待刻蚀基底上的垂直投影，完全位于所述第二部分在所述待刻蚀基底上的垂直投影内。


3.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述在待刻蚀基底一侧的表面对应通孔区处形成牺牲体，包括：
在所述待刻蚀基底一侧的表面旋涂依次层叠的剥离胶和正性光刻胶，其中，所述剥离胶可直接溶于显影液；
使用光刻掩膜遮蔽所述通孔区，对位于所述光刻掩膜的曝光区的所述正性光刻胶进行曝光；
对曝光的所述正性光刻胶进行显影，至溶解掉位于所述通孔区的所述剥离胶的周边的一部分，以使留下的所述剥离胶和所述正性光刻胶形成所述牺牲体。


4.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述在待刻蚀基底一侧的表面对应通孔区处形成牺牲体，包括：
在所述待刻蚀基底一侧的表面旋涂负性光刻胶；
使用光刻掩膜的曝光区对准所述通孔区，对位于所述曝光区的所述负性光刻胶进行曝光；
对未曝光的所述负性光刻胶进行显影，以使留下的所述负性光刻胶形成所述牺牲体。


5.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于，所述在暴露出的所述待刻蚀基底的表面以及所述牺牲体远离所述待刻蚀基底一侧的表面，形成至少一层第一掩膜层，包括：
在暴露出的所述待刻蚀基底的表面以及所述牺牲体远离所述待刻蚀基底一侧的表面，形成依次层叠的第一金属掩膜层和第二金属掩膜层，其中，所述第二金属掩膜层的厚度大于所述第一金属掩膜层的厚度，位于所述待刻蚀基底表面的第二金属掩膜层的高度低于所述牺牲体的高度；
相应的，所述通过去除所述牺牲体剥离掉位于所述牺牲体上的所述至少一层第一掩膜层，包括：
通过去除所述牺牲体剥离掉位于所述牺牲体上的所述第一金属掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁晓峰，许建华，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32