一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备技术

本发明专利技术公开一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备，涉及半导体制造技术领域，以提高图案化层状结构的生产效率和产率，降低成本。所述层图案化方法包括：提供基底，在基底上形成共混材料层；共混材料层含有可相分离的第一组分和第二组分。对共混材料层所含有的第一组分和第二组分进行分相，获得簇状分相层；簇状分相层包括至少一个第一团簇结构和至少一个第二团簇结构。去除簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构，获得图案化层状结构。所述层图案化方法用于制作半导体器件，所述半导体器件应用于电子设备中。

A layer patterning method and semiconductor devices, integrated circuits and electronic devices

【技术实现步骤摘要】
一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备。
技术介绍
光刻技术是支撑先进的集成电路器件更新换代的核心制造技术之一，每一代新的集成电路的出现，总是以光刻工艺实现更小特征尺寸为主要技术标志的。然而，现有光刻技术极高的工艺开发成本、工艺复杂性及光刻本身的物理限制，制约着现有的光刻技术的进一步发展。尤其是在面临更小尺寸的图形制作时，在产率和图形精度方面存在有很大的限制，业内急需一种能够兼顾产率、精度与成本的解决方案。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备，用以提高图案化层状结构的生产效率和产率，降低成本。为了实现上述目的，本专利技术提供一种层图案化方法，包括：提供基底，在基底上形成共混材料层；共混材料层含有可相分离的第一组分和第二组分。对共混材料层所含有的第一组分和第二组分进行分相，获得簇状分相层；簇状分相层包括至少一个第一团簇结构和至少一个第二团簇结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种层图案化方法，其特征在于，包括：/n提供基底，在所述基底上形成共混材料层；所述共混材料层含有可相分离的第一组分和第二组分；/n对所述共混材料层所含有的第一组分和第二组分进行分相，获得簇状分相层；所述簇状分相层包括至少一个第一团簇结构和至少一个第二团簇结构；/n去除所述簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构，获得图案化层状结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种层图案化方法，其特征在于，包括：
提供基底，在所述基底上形成共混材料层；所述共混材料层含有可相分离的第一组分和第二组分；
对所述共混材料层所含有的第一组分和第二组分进行分相，获得簇状分相层；所述簇状分相层包括至少一个第一团簇结构和至少一个第二团簇结构；
去除所述簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构，获得图案化层状结构。


2.根据权利要求1所述的层图案化方法，其特征在于，所述第一组分为共聚物，所述第二组分为均聚物；
以质量份数计，所述共混材料层含有的共聚物为1份～100份，所述均聚物为10份。


3.根据权利要求2所述的层图案化方法，其特征在于，所述共聚物为聚苯乙烯-嵌段-聚碳酸酯、聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯-嵌段-聚二甲基硅氧烷，或者，聚苯乙烯-嵌段-聚氧乙烯；所述均聚物为聚苯乙烯。


4.根据权利要求1所述的层图案化方法，其特征在于，所述基底包括衬底和形成在衬底上的中性层。


5.根据权利要求1所述的层图案化方法，其特征在于，
去除所述簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构，获得图案化层状结构包括：
将所述簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构进行气化，获得图案化...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟晨，韦亚一，张利斌，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11