以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法技术

本发明专利技术涉及以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法。本文描述了实施方式用于对间隔物轮廓再成形以改善间隔物均匀性从而改善在与自对准多重图案化处理相关的图案转移期间的蚀刻均匀性。对于公开的实施方式，在用于微电子工件的衬底的材料层上形成芯。然后在芯上方形成间隔物材料层。然后，通过使用一个或更多个定向沉积处理沉积附加间隔物材料对间隔物材料层进行再成形且使用一个或更多个蚀刻处理步骤来形成与芯相邻的对称间隔物。对于一个示例实施方式，使用一个或更多个斜向物理气相沉积处理来沉积附加间隔物材料用于间隔物轮廓再成形。这种间隔物轮廓的再成形使得能够形成对称间隔物，从而改善在随后的图案转移处理期间的蚀刻均匀性。

The method of self alignment and multi patterning to reshape the contour of spacer

【技术实现步骤摘要】
以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月12日提交且标题为“METHODSTORESHAPESPACERPROFILESINSELF-ALIGNEDMULTIPLEPATTERNING，”的美国临时专利申请序列号62/778,794和于2019年3月12日提交且标题为“METHODSTORESHAPESPACERPROFILESINSELF-ALIGNEDMULTIPLEPATTERNING，”的美国专利申请序列号16/299,623的优先权，上述专利申请的全部内容通过引用并入本文。
本公开内容涉及用于微电子工件的制造的方法，该方法包括在微电子工件上形成图案化结构。
技术介绍
微电子工件内的器件形成通常涉及与衬底上的许多材料层的形成、图案化以及去除有关的一系列制造技术。为了满足当前和下一代半导体器件的物理和电子规格，要求处理流程在保持针对各种图案化处理的结构完整性的同时减小特征尺寸。已经开发了自对准多重图案化(SAMP)处理例如自对准双重图案化(SADP)处理和自对准四本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于对间隔物轮廓进行再成形的方法，包括：/n在用于微电子工件的衬底的材料层上形成芯；/n在所述芯上方形成间隔物材料层；以及/n通过使用一个或更多个定向沉积处理沉积附加间隔物材料对所述间隔物材料层进行再成形并且使用一个或更多个蚀刻处理步骤来形成与所述芯相邻的对称间隔物。/n

【技术特征摘要】
20181212 US 62/778,794;20190312 US 16/299,6231.一种用于对间隔物轮廓进行再成形的方法，包括：
在用于微电子工件的衬底的材料层上形成芯；
在所述芯上方形成间隔物材料层；以及
通过使用一个或更多个定向沉积处理沉积附加间隔物材料对所述间隔物材料层进行再成形并且使用一个或更多个蚀刻处理步骤来形成与所述芯相邻的对称间隔物。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，作为自对准多重图案化(SAMP)处理的一部分形成所述对称间隔物。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过以下处理形成所述对称间隔物：
利用所述一个或更多个定向沉积处理将附加间隔物材料沉积至所述间隔物材料层的角部，其中所述间隔物材料层覆盖所述芯的角部；以及
利用所述一个或更多个蚀刻处理对所述间隔物材料层和所述附加间隔物材料进行蚀刻以留下与所述芯相邻的对称间隔物。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述间隔物材料层的所述角部是经倒圆的角部。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对称间隔物通过以下处理形成：
对所述间隔物材料层进行蚀刻以形成与所述芯相邻的不对称间隔物；
利用所述一个或更多个定向沉积处理将附加间隔物材料沉积至所述间隔物的角部；以及
利用所述一个或更多个蚀刻处理对所述附加间隔物材料进行蚀刻以留下与所述芯相邻的对称间隔物。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述不对称间隔物的所述角部具有经倒圆的角部。


7.根据权利要求1所述的方法，还包括至少部分地使用平坦化处理来形成所述对称间隔物。


8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔物材料层和所述附加间隔物材料是常见材料。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔物材料层和所述附加间隔物材料是不同材料。


10.根据权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：高明辉，大久保和哉，户岛宏至，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP