半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体器件，包括：待刻蚀层；牺牲层，形成于待刻蚀层的表面，牺牲层具有开口，开口暴露出部分待刻蚀层的表面；保护层，形成于牺牲层的侧壁表面；侧墙材料层，形成于保护层的表面。上述半导体器件使得线宽进一步缩小成为可能，而且牺牲层侧壁表面的保护层能避免在形成侧墙材料层时等离子体对牺牲层造成损伤，保证牺牲层的完整性，进一步使得形成的保护层和侧墙材料层的尺寸满足工艺要求，使得最终形成的待刻蚀图形的尺寸满足工艺要求，实现图案的精准转移。

semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本技术涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体器件。
技术介绍
集成电路(英语：integratedcircuit,IC)、或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、芯片(chip)在电子学中是一种把电路(主要包括半导体设备，也包括被动组件等)小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。比如，DRAM，DRAM(DynamicRandomAccessMemory)即动态随机存取存储器芯片，是最为常见的系统内存芯片。这些年来，DRAM持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能，然而需要集成电路设计的最小线宽和间距的不断缩小。但是，当曝光线条的特征尺寸接近于曝光系统的理论分辨极限时，硅片表面的成像就会发生严重的畸变，从而导致光刻图形质量的严重下降。
技术实现思路
基于此，针对上述问题，本技术提供一种半导体器件，包括：待刻蚀层；牺牲层，形成于所述待刻蚀层的表面，所述牺牲层具有开口，所述开口暴露出部分所述待刻蚀层的表面；保护层，形成于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n待刻蚀层；/n牺牲层，形成于所述待刻蚀层的表面，所述牺牲层具有开口，所述开口暴露出部分所述待刻蚀层的表面；/n保护层，形成于所述牺牲层的侧壁表面；/n侧墙材料层，形成于所述保护层的表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
待刻蚀层；
牺牲层，形成于所述待刻蚀层的表面，所述牺牲层具有开口，所述开口暴露出部分所述待刻蚀层的表面；
保护层，形成于所述牺牲层的侧壁表面；
侧墙材料层，形成于所述保护层的表面。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述待刻蚀层包括：刻蚀目标层和位于所述刻蚀目标层表面的硬掩模层。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层的厚度介于1nm～5nm之...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨康，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34