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本实用新型涉及一种半导体器件，包括：待刻蚀层；牺牲层，形成于待刻蚀层的表面，牺牲层具有开口，开口暴露出部分待刻蚀层的表面；保护层，形成于牺牲层的侧壁表面；侧墙材料层，形成于保护层的表面。上述半导体器件使得线宽进一步缩小成为可能，而且牺牲层侧...
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