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本发明公开了一种通孔刻蚀方法。该通孔刻蚀方法包括：采用光刻工艺在待刻蚀基底一侧的表面对应通孔区处形成牺牲体；在暴露出的所述待刻蚀基底的表面以及所述牺牲体远离所述待刻蚀基底一侧的表面，形成至少一层第一掩膜层；通过去除所述牺牲体剥离掉位于所述牺...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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