苏州能讯高能半导体有限公司专利技术

苏州能讯高能半导体有限公司共有259项专利

  • 本发明公开了一种石墨盘的修复方法,其特征在于,包括:对石墨盘表面进行第一裂纹检测;当检测到所述石墨盘表面的第一裂纹宽度满足第一预设裂纹宽度时,在所述石墨盘表面制备修复层,对所述石墨盘进行修复。本发明的技术方案对石墨盘的第一裂纹进行检测,...
  • 本发明实施例公开了一种石墨盘,该石墨盘包括:多个第一凹槽,第一凹槽用于容置衬底;设置在第一凹槽中的第二凹槽,沿第二凹槽底面指向衬底的方向上,第二凹槽的底面突起,沿第二凹槽中心点指向第二凹槽侧壁的方向上,衬底的尺寸小于第一凹槽的尺寸且大于...
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体技术领域。根据一个实施方式的半导体器件包括:衬底;位于所述衬底一侧的半导体层;位于所述半导体层远离所述衬底一侧的源极、漏极及位于所述源极和漏极之间的栅极;设置在所述半导体层远离所述衬底一...
  • 一种吸附夹具及焊接设备
    本实用新型公开了一种吸附夹具及焊接设备。吸附夹具包括定位头,所述定位头为中空结构以形成气流通道;所述定位头的下端连接有吸附头,所述吸附头的底部设置有至少两个吸附孔,所述吸附孔与所述气流通道连通。该吸附夹具通过增加对焊料片的着力点,保证对...
  • 翘曲晶圆的吸附方法及使用该吸附方法的装置
    本发明公开了一种翘曲晶圆的吸附方法及使用该吸附方法的装置,属于半导体技术领域,为解决现有翘曲晶圆无法进行吸附的问题而设计。本发明翘曲晶圆的吸附方法是使用正常晶圆在吸盘上形成吸附正常的状态,再使用翘曲晶圆替换正常晶圆,水平调整和/或旋转调...
  • 一种气体泄漏安全装置以及气体泄漏安全系统
    本实用新型提供一种气体泄漏安全装置以及气体泄漏安全系统,涉及半导体气体防护技术领域,该气体泄漏安全系统包括尾气处理设备、备用管和气体泄漏安全装置,该气体泄漏安全装置包括输气保护管路和压力监控设备,输气保护管路包括内管和外管,内管的内部具...
  • 半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置
    本发明公开了一种半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置,属于半导体晶圆电沉积领域,为解决现有技术电沉积层均匀性差等问题而设计。本发明半导体晶圆电沉积方法是阳极仅针对待电沉积半导体晶圆的中部进行电沉积,以避免电场线在所述待电沉积半导体...
  • 引线框架结构、引线框架和封装器件
    本实用新型实施例提供一种引线框架结构、引线框架和封装器件,其中,该引线框架结构包括第一引线框架,所述第一引线框架设置有用于放置芯片以及填充灌封胶的容置槽。本实用新型通过对引线框架结构的巧妙设计,能够有效避免在对所述芯片进行封装时灌封胶外...
  • 一种管道堵漏装置
    本实用新型公开了一种管道堵漏装置,包括矩形框架、螺杆和压板组件,矩形框架包括可拆卸连接以形成矩形框架的上边框、下边框及两个侧边框;上边框设置有上下贯穿的第一螺纹孔,螺杆与第一螺纹孔配合;压板组件与螺杆伸入矩形框架内的一端连接,用于封堵管...
  • 半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法
    提供一种半导体芯片(10)、半导体晶圆(1)及半导体晶圆的制造方法。半导体芯片包括:基底(11)、设置于基底一侧的器件(12)、贯穿基底的通孔(13)、填充于通孔并与器件接触的导电材料(14)以及设置于基底远离器件的另一侧的背面金属层(...
  • 改善高温退火热分布的方法
    本发明提供了一种改善高温退火热分布的方法,涉及半导体制造技术领域。该方法包括:在版图中定义第一填充区域、第二填充区域;第一填充区域为器件或电路图形区域,用以布置实际的器件或电路结构。第二填充区域为非器件或非电路区域。在所述第一填充区域内...
  • 一种光刻胶的涂胶工艺
    本发明公开了一种光刻胶的涂胶工艺,所述光刻胶涂布于晶圆的表面上,所述晶圆置于离心机的真空吸盘上,所述晶圆的上方设置有光刻胶喷嘴,所述涂胶工艺包括如下步骤:所述光刻胶喷嘴移动至所述晶圆的上方位置1处,同时所述真空吸盘带动所述晶圆以速度1高...
  • 封装器件结构和封装器件
    本实用新型提供一种封装器件结构和封装器件,该封装器件结构包括基板,围设于该基板上的墙体,墙体与基板形成一端开口的容置腔;间隔设置在墙体远离基板的一侧的两个第一电极层;与第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层;以及分别与两个第一电极...
  • 晶圆临时键合的分离设备及方法
    本发明提供了一种晶圆临时键合的分离设备及方法。本晶圆临时键合的分离方法包括以下步骤:对晶圆和衬底载片中的至少一个进行吸附,所述晶圆与所述衬底载片之间预先通过粘合剂结合;所述圆和所述衬底载片之间的粘合剂进行加热;通过机械设备自动分离所述晶...
  • 一种自动研磨样品夹具以及自动研磨机
    本发明提供一种自动研磨样品夹具以及自动研磨机,涉及研磨技术领域,该自动研磨机包括外壳、研磨盘和自动研磨样品夹具,自动研磨样品夹具包括夹持机构和夹具支架,夹持机构包括夹持组件、连接件及支撑件,夹持组件通过连接件与支撑件连接,夹持组件用于夹...
  • HEMT器件及其制造方法
    本发明涉及一种HEMT器件及其制造方法。该HEMT器件包括:衬底、位于衬底一侧并同层设置的缓冲层和阻挡层、位于阻挡层和缓冲层远离衬底一侧的有源层以及位于有源层远离阻挡层一侧的势垒层。其中,阻挡层包括铟铝镓氮、铝镓氮、铟铝氮、氮化镓和铝氮...
  • 一种散热托盘装置以及圆片刻蚀设备
    本发明提供一种散热托盘装置以及圆片刻蚀设备,涉及微电子技术领域,该圆片刻蚀设备包括设备壳体、载物台和散热托盘装置,该散热托盘装置包括盖板和托盘,盖板可拆卸地盖设在托盘上。托盘上开设有通气凹槽和至少一个装片凹槽,装片凹槽用于容置圆片,通气...
  • 一种可适用于多尺寸样片的样片托盘
    本发明公开了一种可适用于多尺寸样片的样片托盘,包括托盘本体,所述托盘本体的表面开设有多种尺寸的多个样片放置槽,一个所述样片放置槽用于承载一枚相应尺寸的样片,相邻的两个所述样片放置槽的相对位置为相离、外切或相交设置;其能够用于作业多种不同...
  • 一种多介质过滤器及其控制方法
    本发明实施例公开了一种多介质过滤器及其控制方法,所述多介质过滤器包括多介质过滤罐体以及与所述多介质过滤罐体连接的排水量检测装置;其中,所述排水量检测装置用于在多介质过滤器反洗过程中检测所述多介质过滤罐体的排水量。本发明实施例提供的技术方...
  • 一种加工治具及晶圆制造方法
    本发明提供一种加工治具及晶圆制造方法,其应用于半导体制造领域。该加工治具包括载片和盖板,所述载片上设置凹槽,所述凹槽用于承载晶圆,所述盖板用于盖设晶圆,所述盖板上设置开口,所述开口用于晶圆的一部分从开口露出。由于盖板的遮挡,等离子体只对...