本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、半导体层、介质层、源极、栅极和漏极。其中，所述栅极在靠近所述半导体层的一侧具有第一弧形面。所述介质层上开设有与所述栅极对应的栅槽，所述栅极的材料填充于该栅...

本发明提供一种腔体打磨工具以及腔体打磨设备，腔体打磨设备包括控制器和腔体打磨工具，腔体打磨工具包括固定支架、曲柄、圆周驱动件以及至少一个打磨机构，固定支架用于固定设置在腔体上，圆周驱动件可拆卸地连接于曲柄，且圆周驱动件具有第一转轴，第一...

本发明提供了一种半导体圆片定位装置及方法，涉及半导体设备技术领域。该半导体圆片定位装置包括定位器和旋转装置，定位器包括第一感应探头和控制模块，第一感应探头与控制模块电连接。旋转装置用于承载圆片并能够带动圆片旋转。第一感应探头用于在旋转装...

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。在半导体器件的制造过程中，通过在器件上形成金属焊盘，并在金属焊盘上形成键合标记。这些键合标记就可以作为引线键合过程中，需要键合连接的位置的标记，可以通过键合标记确定器件上需要与...

本发明提供的一种排气式器件以及器件焊接结构，涉及微电子技术领域，排气式器件包括器件主体、镀层以及多个焊料块，镀层贴设在器件主体的一侧表面，多个焊料块设置在镀层远离器件主体的一侧表面并向外凸起，且相邻两个焊料块之间形成第一排气槽，每条第一...

本实用新型公开了一种电源柜，涉及半导体设备技术领域。该电源柜包括柜体、冷风发生装置及温控系统，柜体内设置有发热元件，柜体的侧壁上设置有进风口和出风口；冷风发生装置设置有冷风出口，冷风出口与进风口连通，冷风发生装置用于向柜体内提供冷气；温...

本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法，涉及微电子技术领域。该半导体器件包括半导体基底、源极、栅极和漏极。源极、栅极和漏极制作于所述半导体基底一侧，在源极所在区域预留有通孔区域并在该通孔区域制作有刻蚀阻挡层；位于所述刻蚀阻挡层下方设...

本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括有源区和位于所述有源区之外的无源区，该半导体器件包括衬底、半导体层、源极、漏极和栅极，所述半导体层包括位于所述无源区的预留半导体层。在位于所述源极下方，开设...

本发明涉及半导体及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅衬底回收方法、碳化硅衬底及回收系统。其中，所述回收方法通过采用化学腐蚀及物理研磨相结合的方式对外延片进行处理，可以快速有效的去除外延片上的外延层，获得表面平整光滑的碳化硅衬底...

本发明提供一种封装器件结构和封装器件，该封装器件结构包括基板，围设于该基板上的墙体，墙体与基板形成一端开口的容置腔；间隔设置在墙体远离基板的一侧的两个第一电极层；与第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层；以及分别与两个第一电极层连...

本实用新型实施例提供一种观察拍照系统，包括：底座；工作台，固定于所述底座上；承片台，嵌入所述工作台远离所述底座一侧，用于承载待测物；第一观察拍照设备和第二观察拍照设备，所述第一观察拍照设备和所述第二观察拍照设备固定于所述底座上，且所述第...

本实用新型提供了一种射频功率放大器，涉及通信技术领域，该射频功率放大器包括双路封装功放管、输入匹配电路、输入偏置电路、输出匹配电路以及输出偏置电路，输入匹配电路与双路封装功放管的输入端连接，输出匹配电路与双路封装功放管的输出端连接，输入...

本实用新型公开了一种测试平台及测试装置。该测试平台包括载物台及抽真空组件，所述载物台上设置有凹槽，所述凹槽用于容纳测试液，所述凹槽的底面设置有多个用于固定工件的吸附孔，多个所述吸附孔形成的吸附区域的形状及大小与所述工件的形状及大小相适配...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体层；位于所述半导体层一侧的源极和漏极；位于远离所述半导体层一侧的阻挡层，所述阻挡层包括硅化物；所述阻挡层靠近半导体层一侧的界面距离半导体层的距离为10nm以上；位于所述源极和...

本实用新型提供了一种器件测试装置及测试系统，涉及半导体技术领域。使用本申请实施例提供的器件测试装置，可以将待测试器件其中一个待测试面放置在测试板的容纳凹槽中，使得待测试器件的位于不同平面的待测试面都可以与测试板相接触。该器件测试装置结构...

本实用新型公开了一种热处理装置及显影机，涉及半导体设备技术领域。热处理装置包括机体、热板及吹气组件，所述机体内设置有腔室，其特征在于，所述腔室具有开口；所述热板设置于所述腔室内；所述吹气组件包括喷头，所述喷头设置于所述腔室内，且所述喷头...

本实用新型提供了一种半导体器件，涉及半导体技术领域。在半导体器件的制造过程中，通过在器件无源区上形成金属焊盘，并在金属焊盘上形成键合标记。这些键合标记就可以作为引线键合过程中，需要键合连接的位置的标记，可以通过键合标记确定器件上需要与外...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件领域。该半导体器件包括有源区、测试区及位于有源区和测试区之外的无源区，所述有源区内制作有标准器件，所述测试区制作有用于测试所述标准器件性能参数的测试器件。通过在标准器件周围制作一测试...

本发明实施例提供一种引线框架结构、引线框架和封装器件，其中，该引线框架结构包括第一引线框架，所述第一引线框架设置有用于放置芯片以及填充灌封胶的容置槽。本发明通过对引线框架结构的巧妙设计，能够有效避免在对所述芯片进行封装时灌封胶外溢的问题...

本发明提供一种尾排管路保护装置以及尾排管路保护方法，涉及尾气处理设备技术领域，尾排管路保护装置包括温度测量组件和气体测量组件二者的至少之一以及第一安全电路模块，温度测量组件与气体测量组件均与第一安全电路模块电性连接，且温度测量采集尾排管...