一种半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体器件，涉及半导体技术领域。在半导体器件的制造过程中，通过在器件无源区上形成金属焊盘，并在金属焊盘上形成键合标记。这些键合标记就可以作为引线键合过程中，需要键合连接的位置的标记，可以通过键合标记确定器件上需要与外部结构连接的具体位置，使得引线键合中引线在器件上的键合位置可以确定，提高引线键合的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件
本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件。
技术介绍
芯片等半导体器件在封装过程中，需要经过引线键合操作，将器件与引线框架通过引线连接起来。但在引线键合时，无法确定器件上需要连接的具体位置。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种半导体器件，可以解决上述问题。本技术提供的技术方案如下：一种半导体器件，包括有源区和无源区，所述有源区包括衬底、半导体层和电极，在所述半导体层内有电子通道；所述无源区包括衬底、半导体层；在所述无源区的半导体层远离衬底的一侧覆盖至少一个独立金属焊盘，所述金属焊盘与有源区的电极连接，每个所述金属焊盘包括至少一个键合标记。进一步地，在所述金属焊盘的长度方向上，包括至少一列所述键合标记。进一步地，所述无源区的金属焊盘个数是多个时，当任意两个所述金属焊盘长度相等时，所述金属焊盘的键合标记的间距相等。进一步地，所述无源区的金属焊盘个数是多个时，当任意两个所述金属焊盘长度不相等时，所述金属焊盘的键合标记的间距相等或者不相等。进一步地，所述金属焊盘的相邻两个键合标记的间距范围为40um至410um。进一步地，所述键合标记的图形所占平面空间面积范围是25um2至1000um2。进一步地，当所述金属焊盘的键合标记为多个时，相邻两个键合标记的间距相等。进一步地，所述键合标记为几何图形或字母图形。进一步地，所述键合标记的图形的平面线条宽度为3um至15um。进一步地，所述金属焊盘还包括源极焊盘，所述源极焊盘与漏极焊盘或者栅极焊盘同侧，所述源极焊盘包含至少一个键合标记。本申请实施例提供的半导体器件，通过在无源区的与有源区电极相连接的金属焊盘上形成键合标记。这些键合标记就可以作为引线键合过程中，需要键合连接的位置的标记，可以通过键合标记确定器件上需要与外部结构连接的具体位置，使得引线键合中引线在器件上的键合位置可以确定，提高引线键合的准确性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本技术实施例一提供的一种半导体器件的整体俯视图。图2为图1中AA’位置的剖面示意图。图3为本技术实施例二提供的一种半导体器件的整体示意图。图4为本技术实施例三提供的一种半导体器件的整体示意图。图标：111-无源区；112-有源区；104-金属焊盘；107-键合标记；108-源极；109-栅极；110-漏极。具体实施方式下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在对芯片等半导体器件进行引线键合时，通常无法确定该器件上金属焊盘的具体位置，导致引线键合过程中无法控制引线与半导体器件的连接的具体位置，使得完成引线键合后，引线之间的间距过大或过小，出现引线中的电流过大的情况，甚至发生由于引线中电流过大，导致引线过热使器件出现被烧毁的情况。实施例一半导体器件包括有源区112和无源区111，所述有源区112在垂直于纸面方向包括衬底、半导体层和电极，在所述半导体层内有电子通道；所述无源区111在垂直于纸面方向包括衬底、半导体层。在所述无源区111的半导体层远离衬底的一侧覆盖至少一个独立金属焊盘104，所述金属焊盘104与有源区112的电极连接，所述每个独立金属焊盘104包括至少一个键合标记107。如图1所示半导体器件俯视图，有源区112的电极可以包括源极108、栅极109和漏极110，本申请并不限制源极108、栅极109和漏极110的数量和分布形式。例如，多个栅极109可以呈插指状分布在源极108和漏极110之间。可以理解的是，与多个栅极109连接的金属焊盘104可以作为栅极焊盘，与多个漏极110连接的金属焊盘104可以作为漏极焊盘。根据不同的器件结构，金属焊盘104至少包括漏极焊盘和栅极焊盘。在栅极焊盘和/或漏极焊盘上，每个独立焊盘上包括至少一个键合标记107，通过这些键合标记107可以更方便的进行焊盘与外部电路的连接。焊盘上的键合标记107的分布形式可以根据实际需要确定，本申请实施例并不限制焊盘上键合标记107的数量和分布形式。可以理解的是，金属焊盘104的形状可以是长条形、矩形或圆形，在所述金属焊盘104的长度方向上，如图1所示，可以是源极108、栅极109、漏极110交叉分布的方向，每个独立金属焊盘104上至少包括一列键合标记107；若是圆形金属焊盘104，则在所述金属焊盘104的周长的长度方向上，每个独立金属焊盘104上至少包括一列键合标记107。实际过程中，可以通过键合标记107确定器件上需要与外部结构连接的具体位置，使得引线键合中引线在器件上的键合位置可以确定，提高引线键合的准确性。本申请实施例中的键合标记107在金属焊盘104上的分布可以根据引线键合的位置需要确定，例如，每个独立金属焊盘104上的多个键合标记107的间距可以相等，键合标记107在金属焊盘104上的位置可以平均分布，保证在进行引线键合时，键合标记107作为键合操作的识别物可以形成间距相等的键合线。在芯片上的键合位置没有明确定位的情况，通过设计键合标记107的位置，使键合线的间距不会过小，键合线间距也不会过大，使每根引线所承受的电流一致，避免芯片被烧毁的风险。因此，每个独立的金属焊盘104上的相邻两个键合标记107的间距范围为40um至410um；优选的，相邻两个键合标记107的间距范围为85um至310um。键合标记107的图形以容易区分和识别为标准，优选地为几何图形或字母图形，可以是圆点型、十字型、X型等形状，也就形成了圆点型或十字型的键合标记107，使金属焊盘104上具有可以被识别的键合标记107，在引线键合中可以方便的进行引线的键合操作，优选地，键合标记107图形的平面线条宽度为1.5um至15um。另外，可选的，所述键合标记107图形所占平面空间面积范围是25um2至1000um2，或者根据芯片上金属焊盘104的大小，使键合标记107的尺寸相应的放大或缩小。如图2所示，为图1中AA’位置处的剖面图，键合标记107在金属焊盘104上可以是突出于金属焊盘104的表面，或者可以是位于金属焊盘104上的凹槽，键合标记107的实际体积大小可以是进行键合工艺中能够分辨出的大小，本申请实施例并不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括有源区和无源区，其特征在于，所述有源区包括衬底、半导体层和电极，在所述半导体层内有电子通道；所述无源区包括衬底、半导体层；在所述无源区的半导体层远离衬底的一侧覆盖至少一个独立金属焊盘，所述金属焊盘与有源区的电极连接，每个所述金属焊盘包括至少一个键合标记。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括有源区和无源区，其特征在于，所述有源区包括衬底、半导体层和电极，在所述半导体层内有电子通道；所述无源区包括衬底、半导体层；在所述无源区的半导体层远离衬底的一侧覆盖至少一个独立金属焊盘，所述金属焊盘与有源区的电极连接，每个所述金属焊盘包括至少一个键合标记。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述金属焊盘的长度方向上，包括至少一列所述键合标记。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述无源区的金属焊盘个数是多个时，当任意两个所述金属焊盘长度相等时，所述金属焊盘的键合标记的间距相等。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述无源区的金属焊盘个数是多个时，当任意两个所述金属焊盘长度不相等时，所述金属焊盘的键合标记的间距相等或者不相等。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：张乃千，陈明辉，吴星星，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32