封装器件结构和封装器件制造技术

本发明专利技术提供一种封装器件结构和封装器件，该封装器件结构包括基板，围设于该基板上的墙体，墙体与基板形成一端开口的容置腔；间隔设置在墙体远离基板的一侧的两个第一电极层；与第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层；以及分别与两个第一电极层连接的第一引线以及分别与两个第二电极层连接的第二引线；其中，每个第一引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第一引线段以及第二引线段，该第一引线段位于所述第一电极层上方并与该第一电极层接触；两个第一引线段的之间的中心间距小于或等于两个第二引线段之间的间距。本发明专利技术能够解决现有技术中引线间距过小的问题，并提高其适用性，满足不同的电路设计需求。

【技术实现步骤摘要】
封装器件结构和封装器件
本专利技术涉及微电子
，具体而言，涉及一种封装器件结构和封装器件。
技术介绍
随着目前集成电路的不断发展，其密集程度越来越大，但由于现有的封装器件结构中的引线间距之间没有足够的空间放置匹配元件导致电路设计受限，其中，若增加外壳尺寸来满足间距的要求，则会增加管壳的成本。与此同时，由于引线间距过小而引起的系统的记忆效应可能导致互调分量幅度增加或左右互调分量不对称，进而造成标准线性化技术(DPD)效率低下，因此，如何在不增加封装器件结构尺寸的前提下，增大引线间距已成为本领域技术人员的研究热点。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种封装器件结构和封装器件，能够有效解决上述问题。避免灌封胶外溢现象，保证封装的成品率。本专利技术较佳实施例提供一种器件封装结构，包括：基板；围设于该基板上的墙体，所述墙体与所述基板形成一端开口的容置腔；间隔设置在所述墙体远离所述基板的一侧的两个第一电极层；与所述第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层；以及分别与两个所述第一电极层连接的第一引线以及分别与两个所述第二电极层连接的第二引线；其中：每个所述第一引线包括分别沿两个相交的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件封装结构，其特征在于，包括：基板；围设于该基板上的墙体，所述墙体与所述基板形成一端开口的容置腔；间隔设置在所述墙体远离所述基板的一侧的两个第一电极层；与所述第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层；以及分别与两个所述第一电极层连接的第一引线以及分别与两个所述第二电极层连接的第二引线；其中：每个所述第一引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第一引线段以及第二引线段，该第一引线段位于所述第一电极层上方并与该第一电极层接触；其中，两个所述第一引线段之间的中心间距小于或等于两个所述第二引线段之间的间距。

【技术特征摘要】
1.一种器件封装结构，其特征在于，包括：基板；围设于该基板上的墙体，所述墙体与所述基板形成一端开口的容置腔；间隔设置在所述墙体远离所述基板的一侧的两个第一电极层；与所述第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层；以及分别与两个所述第一电极层连接的第一引线以及分别与两个所述第二电极层连接的第二引线；其中：每个所述第一引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第一引线段以及第二引线段，该第一引线段位于所述第一电极层上方并与该第一电极层接触；其中，两个所述第一引线段之间的中心间距小于或等于两个所述第二引线段之间的间距。2.根据权利要求1所述的器件封装结构，其特征在于，每个所述第二引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第三引线段以及第四引线段，该第三引线段位于所述第二电极层上方并与该第二电极层接触；其中，两个所述第三引线段之间的中心间距小于或等于两个所述第四引线段之间的间距。3.根据权利要求2所述的器件封装结构，其特征在于，所述第二引线段垂直于所述第一引线段，使得所述第一引线段和所述第二引线段呈“T”型结构，所述第四引线段垂直于所述第三引线段，使得所述第三引线段和所述第四引线段呈“T”型结构。4.根据权利要求2所述的器件封装结构，其特征在于，所述第二引线段垂直于所述第一引线段，使得所述第一引线段和所述第二引线段呈“L”型结构，所述第四引线段垂直于所述第三引线段，使得所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张乃千，杨琼，张永胜，潘宇，马浩，吴星星，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32