封装器件结构和封装器件制造技术

本发明专利技术提供一种封装器件结构和封装器件，该封装器件结构包括基板，围设于该基板上的墙体，墙体与基板形成一端开口的容置腔；间隔设置在墙体远离基板的一侧的两个第一电极层；与第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层；以及分别与两个第一电极层连接的第一引线以及分别与两个第二电极层连接的第二引线；其中，每个第一引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第一引线段以及第二引线段，该第一引线段位于所述第一电极层上方并与该第一电极层接触；两个第一引线段的之间的中心间距小于或等于两个第二引线段之间的间距。本发明专利技术能够解决现有技术中引线间距过小的问题，并提高其适用性，满足不同的电路设计需求。

【技术实现步骤摘要】
封装器件结构和封装器件
本专利技术涉及微电子
，具体而言，涉及一种封装器件结构和封装器件。
技术介绍
随着目前集成电路的不断发展，其密集程度越来越大，但由于现有的封装器件结构中的引线间距之间没有足够的空间放置匹配元件导致电路设计受限，其中，若增加外壳尺寸来满足间距的要求，则会增加管壳的成本。与此同时，由于引线间距过小而引起的系统的记忆效应可能导致互调分量幅度增加或左右互调分量不对称，进而造成标准线性化技术(DPD)效率低下，因此，如何在不增加封装器件结构尺寸的前提下，增大引线间距已成为本领域技术人员的研究热点。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种封装器件结构和封装器件，能够有效解决上述问题。避免灌封胶外溢现象，保证封装的成品率。本专利技术较佳实施例提供一种器件封装结构，包括：基板；围设于该基板上的墙体，所述墙体与所述基板形成一端开口的容置腔；间隔设置在所述墙体远离所述基板的一侧的两个第一电极层；与所述第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层；以及分别与两个所述第一电极层连接的第一引线以及分别与两个所述第二电极层连接的第二引线；其中：每个所述第一引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第一引线段以及第二引线段，该第一引线段位于所述第一电极层上方并与该第一电极层接触；其中，两个所述第一引线段之间的中心间距小于或等于两个所述第二引线段之间的间距。在本专利技术较佳实施例的选择中，每个所述第二引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第三引线段以及第四引线段，该第三引线段位于所述第二电极层上方并与该第二电极层接触；其中，两个所述第三引线段之间的中心间距小于或等于两个所述第四引线段之间的间距。在本专利技术较佳实施例的选择中，所述第二引线段垂直于所述第一引线段，使得所述第一引线段和所述第二引线段呈“T”型结构，所述第四引线段垂直于所述第三引线段，使得所述第三引线段和所述第四引线段呈“T”型结构。在本专利技术较佳实施例的选择中，所述第二引线段垂直于所述第一引线段，使得所述第一引线段和所述第二引线段呈“L”型结构，所述第四引线段垂直于所述第三引线段，使得所述第三引线段和所述第四引线段呈“L”型结构。在本专利技术较佳实施例的选择中，两个所述第二引线段之间的间距及/或两个所述第四引线段之间的间距为5.2mm-10mm。在本专利技术较佳实施例的选择中，所述第二引线段的自度范围为第一引线段长度的20％-90％；所述第四引线段的宽度范围为第三引线段长度的20％-90％。在本专利技术较佳实施例的选择中，所述墙体为陶瓷墙体。在本专利技术较佳实施例的选择中，所述第二引线段或所述第四引线段的自由端设置有倒角。在本专利技术较佳实施例的选择中，所述第一电极层为输入电极层，所述第二电极层为输出电极层，所述第一引线为输入引线，所述第二引线为输出引线；或者，所述第一电极层为输出电极层，所述第二电极层为输入电极层，所述第一引线为输出引线，所述第二引线为输入引线。本专利技术较佳实施例一种封装器件，包括芯片、键合引线和上述的器件封装结构，所述芯片设置于所述器件封装结构中的容置腔，所述芯片通过所述键合引线与所述器件封装结构的第一引线和第二引线分别连接。在本专利技术较佳实施例的选择中，所述封装器件结构还包括灌封胶，所述灌封胶覆盖所述芯片和所述键合引线的至少部分面积。与现有技术相比，本专利技术提供的封装器件结构和封装器件，通过对该封装器件结构的巧妙设计，能够避免现有技术中因引线间距过小而造成的外部电路无法合理布局的问题，提高该封装器件结构的适用性。同时，本专利技术实现简单，制造成本低，适用于大规模推广。另外，本实施例给出的封装器件结构中的引线设置方式，能够使得引线设置更加稳固，不易脱落，进而提高该封装器件结构的使用性能。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1(a)和图1(b)为本专利技术实施例提供的封装器件结构的平面投影示意图。图2为本专利技术实施例提供的封装器件结构的剖面结构示意图。图3为本专利技术实施例提供的封装器件结构的又一平面投影示意图。图4(a)-图4(c)为图1(a)和图1(b)中所示的基板的结构示意图。图5为本专利技术实施例提供的封装器件结构的另一平面投影示意图。图6为本专利技术实施例提供的封装器件的剖面结构示意图。图7为对现有的封装器件结构中未进行引线间距扩展的性能验证结果示意图。图8为对本专利技术实施例提供的封装器件结构的性能验证结果示意图。图标：10-封装器件；20-封装器件结构；200-基板；210-墙体；220-第一电极层；230-第二电极层；240-第一引线；241-第一引线段；242-第二引线段；250-第二引线；251-第三引线段；252-第四引线段；260-容置腔；270-倒角；30-芯片；40-键合引线；50-灌封胶。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中，术语“第一、第二、第三、第四等仅用于区分描述，而不能理解为只是或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。请结合参阅图1(a)、图1(b)和图2，本专利技术实施例提供一种封装器件结构20，其包括基板200，围设于该基板200上的墙体210，所述墙体210与所述基板200形成一端开口的容置腔260；间隔设置在所述墙体210远离所述基板200的一侧的两个第一电极层220；与所述第一电极层220相对的位置间隔设置的两个第二电极层230；以及分别与两个所述第一电极层220连接的第一引线240以及分别与两个所述第二电极层230连接的第二引线250。具体地，每个所述第一引线240包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第一引线段241以及第二引线段242，该第一引线段241位于所述第一电极层220上方并与该第一电极层220接触，优选的，所述第一引线段241和第二引线段242一体成型。其中，两个所述第一引线段241之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件封装结构，其特征在于，包括：基板；围设于该基板上的墙体，所述墙体与所述基板形成一端开口的容置腔；间隔设置在所述墙体远离所述基板的一侧的两个第一电极层；与所述第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层；以及分别与两个所述第一电极层连接的第一引线以及分别与两个所述第二电极层连接的第二引线；其中：每个所述第一引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第一引线段以及第二引线段，该第一引线段位于所述第一电极层上方并与该第一电极层接触；其中，两个所述第一引线段之间的中心间距小于或等于两个所述第二引线段之间的间距。

【技术特征摘要】
1.一种器件封装结构，其特征在于，包括：基板；围设于该基板上的墙体，所述墙体与所述基板形成一端开口的容置腔；间隔设置在所述墙体远离所述基板的一侧的两个第一电极层；与所述第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层；以及分别与两个所述第一电极层连接的第一引线以及分别与两个所述第二电极层连接的第二引线；其中：每个所述第一引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第一引线段以及第二引线段，该第一引线段位于所述第一电极层上方并与该第一电极层接触；其中，两个所述第一引线段之间的中心间距小于或等于两个所述第二引线段之间的间距。2.根据权利要求1所述的器件封装结构，其特征在于，每个所述第二引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第三引线段以及第四引线段，该第三引线段位于所述第二电极层上方并与该第二电极层接触；其中，两个所述第三引线段之间的中心间距小于或等于两个所述第四引线段之间的间距。3.根据权利要求2所述的器件封装结构，其特征在于，所述第二引线段垂直于所述第一引线段，使得所述第一引线段和所述第二引线段呈“T”型结构，所述第四引线段垂直于所述第三引线段，使得所述第三引线段和所述第四引线段呈“T”型结构。4.根据权利要求2所述的器件封装结构，其特征在于，所述第二引线段垂直于所述第一引线段，使得所述第一引线段和所述第二引线段呈“L”型结构，所述第四引线段垂直于所述第三引线段，使得所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张乃千，杨琼，张永胜，潘宇，马浩，吴星星，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32