片式元器件的封端方法及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种片式元器件的封端方法及制备方法。包括以下步骤：采用磁控溅射的方式在所述陶瓷体的端面制备端电极；在所述端电极的表面电镀形成镍层；在所述镍层的表面电镀形成锡层。上述片式元器件的封端方法及上述片式元器件的制备方法，采用磁控溅射的方式在陶瓷体的端面制备端电极，可以提高器件表面的平整光滑程度；再在端电极的表面电镀镍层和锡层，可以对内电极起到保护作用，在焊接时，能减小高温对内电极的破坏。

Blocking method of chip component and preparation method thereof

The invention relates to a sealing method of a chip component and a preparation method thereof. The invention comprises the following steps: an end electrode is prepared on the end face of the ceramic body by magnetron sputtering; a nickel layer is electroplated on the surface of the end electrode; the tin layer is electroplated on the surface of the nickel layer. Preparation method of end sealing method of the chip components and the chip components, by magnetron sputtering in the end of the ceramic body by end electrodes can improve the device surface smooth degree; then in the end surface of the electrode layer of nickel plating and tin layer on the inner electrode, can play a protective role in. When welding can reduce the destruction of high temperature on the inner electrode.

【技术实现步骤摘要】
片式元器件的封端方法及制备方法
本专利技术涉及电子元件领域，特别是涉及片式元器件的封端方法及制备方法。
技术介绍
随着科技的发展，电子产品日新月异，一些具有新特性、新功能的产品开始展现良好的应用价值。为了满足新产品的技术发展趋势，对积层式元器件的形状、外观等方面提出了新的要求，需要对传统片式积层式元器件的生产工艺进行调整。传统的片式元器件难以兼顾表面光滑的问题和在焊接时内电极易损坏的问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对片式元器件难以兼顾表面光滑的问题和在焊接时内电极易损坏的问题，提供一种片式元器件的封端方法及制备方法。一种片式元器件的封端方法，包括以下步骤：采用磁控溅射的方式在陶瓷体的端面制备端电极；在所述端电极的表面电镀形成镍层；在所述镍层的表面电镀形成锡层。在其中一个实施方式中，所述磁控溅射的靶材为镍铬合金。在其中一个实施方式中，所述磁控溅射的功率为200W～260W，磁控溅射的时间为5min～20min，加热的温度为200℃～400℃。在其中一个实施方式中，所述磁控溅射在保护性气体气氛下进行，所述保护气体的流量为30sccm～60sccm。在其中一个实施方式中，所述端电极的厚度为0.45μm～0.55μm。在其中一个实施方式中，所述采用磁控溅射的方式在所述陶瓷体的端面制备端电极的步骤前还包括步骤：对所述陶瓷体的端面进行打磨处理。在其中一个实施方式中，在所述端电极的表面电镀形成镍层的步骤中，电镀的时间为60min～120min。在其中一个实施方式中，在所述镍层的表面电镀形成锡层的步骤中，电镀的时间为60min～120min。在其中一个实施方式中，所述镍层的厚度为3μm～12μm；所述锡层的厚度为8μm～15μm。一种片式元器件的制备方法，包括以下步骤：以陶瓷浆料为原料制备介质层；在所述介质层表面形成内电极得到具有内电极的介质层；将多个所述具有内电极的介质层层叠得到层叠单元；在所述层叠单元的两个相对的表面分别层叠保护层，压合后形成层叠基板；对所述层叠基板进行切割，形成层叠体；对所述层叠体进行排胶和烧结得到陶瓷体，所述陶瓷体具有端面；采用磁控溅射的方式在所述陶瓷体的端面制备端电极，所述端电极与所述内电极连接；在所述端电极的表面电镀形成镍层；在所述镍层的表面电镀形成锡层。上述片式元器件的封端方法及上述片式元器件的制备方法，采用磁控溅射的方式在陶瓷体的端面制备端电极，可以提高器件表面的平整光滑程度，且采用磁控溅射的方式形成的端电极是逐渐堆积而成，与陶瓷体的内电极具有更好的附着力；先通过磁控溅射形成端电极，再在端电极的表面电镀镍层和锡层，可以对陶瓷体的内电极起到保护作用，在焊接时，能减小高温对陶瓷体内电极的破坏。附图说明图1为一实施方式的片式元器件的制备方法的流程图；图2为图1所示的片式元器件的制备方法中对片式元器件进行封端处理的流程图；图3为一实施方式的片式元器件的的结构示意图；图4为图3中的片式元器件的另一角度的结构示意图。具体实施方式下面主要结合具体实施方式和附图对片式元器件的封端方法及片式元器件的制备方法作进一步地详细说明。请参阅图1，一实施方式的片式元器件的制备方法，包括以下步骤：S210、以陶瓷浆料为原料制备介质层。片式元器件为片式电卡、片式电容器、片式电阻器、片式电感器或片式电位器，陶瓷浆料根据片式元器件的性能需求而定，在此并不做限定。在其中一个实施例中，采用球磨法将陶瓷粉、粘合剂、有机溶剂混合均匀得到陶瓷浆料。在其中一个实施例中，陶瓷浆料中，陶瓷粉、粘合剂和有机溶剂的质量比为(1～2)：(0.2～0.5)：(0.3～0.7)。当然，陶瓷浆料中还可以进一步含有烧结助剂及改性添加物等。进一步的，陶瓷浆料包括质量比为1:0.7:0.1:0.5:0.6:0.06:0.4:0.1的BaTiO3、ZrO2、SnO2、无水乙醇、甲苯、分散剂、乙烯醇缩丁醛及邻苯二甲酸二乙脂。其中，分散剂为硬脂酰胺。在其中一个实施例中，以陶瓷浆料为原料制备介质层的操作中，可以采用流延法将陶瓷浆料形成陶瓷薄膜作为介质层。当然，也可以采用其他业内成熟的成膜方法制备介质层。在其中一个实施例中，介质层的厚度为20μm～30μm。步骤S220、在介质层表面形成内电极得到具有内电极的介质层。在其中一个实施例中，将内电极浆料丝网印刷在介质层的表面得到印刷有内电极的介质层。在其中一个实施例中，内电极浆料为镍浆。进一步的，内电极浆料包括质量比为1:0.4:0.5:0.6:0.07:0.03的镍、乙烯醇缩丁醛、无水乙醇、甲苯、聚乙二醇及邻苯二甲酸二乙脂。步骤S230、将多个具有内电极的介质层层叠得到层叠单元。在其中一个实施例中，按预定的数量将多个印刷有内电极图案的介质层层叠，得到层叠单元。层叠单元可以为10个～130个印刷有内电极图案的介质层层叠得到。在其中一个实施例中，多个印刷有内电极图案的介质层采用内电极错位层叠的方式进行层叠。步骤S240、在层叠单元的两个相对的表面分别层叠保护层，压合后形成层叠基板。在其中一个实施例中，以陶瓷浆料为原料，采用流延法将陶瓷浆料形成陶瓷薄膜作为保护层。当然，也可以采用其他业内成熟的成膜方法制备保护层。在其中一个实施例中，压合采用静压法进行压合。在其中一个实施例中，将层叠基板固定在不锈钢板上用等静压法压合，使层叠基板内各膜层紧密粘接。当然，可以将步骤S210的介质层直接层叠在层叠单元的两个相对的表面作为保护层。步骤S250、对层叠基板进行切割，形成层叠体。片式元器件为片式电卡、片式电容器、片式电阻器、片式电感器或片式电位器，因此切割时，根据片式元器件的不同需求进行切割。在其中一个实施方式中，层叠体的截面为梯形，即切割后的层叠体为形状为梯形的薄片。在其中一个实施方式中，梯形为等腰梯形，梯形的上底、下底及高度的比值为：4～10：5～20：5～20。进一步的，梯形的上底为4mm～10mm，梯形的下底为5mm～20mm，梯形的高度为5mm～20mm。需要说明的是，层叠体的形状不限于梯形，还可以为其他的形状。步骤S260、对层叠体进行排胶和烧结得到片式元器件的陶瓷体。在其中一个实施方式中，排胶处理的具体操作为：对层叠体进行加热处理，加热的温度为400℃～500℃，加热时间为24min～36min。在其中一个实施例中，烧结在保护性气体氛围下进行，烧结的温度为850℃～950℃，烧结的时间为30min～120min。优选的，保护性气体氛围为氮气氛围。步骤S270、对片式元器件进行封端处理。请进一步参阅图2，在其中一个实施例中，对片式元器件的封端处理包括以下步骤：步骤S271、对陶瓷体的端面进行打磨处理。在其中一个实施方式中，对陶瓷体的端面进行打磨处理，使得内电极从陶瓷体的端面露出。在其中一个实施方式中，打磨采用砂纸或石英砂。打磨处理的时间为1分钟～20分钟。在其中一个实施方式中，打磨处理后端面的表面粗糙度为0.01μm～1μm。步骤S272、采用磁控溅射的方式在陶瓷体的端面制备端电极。对陶瓷体的端面进行磁控溅射制备端电极时所采用的靶材为镍铬合金。优选的，镍铬合金中镍和铬的质量比为9:1～1:9。在其中一个实施方式中，磁控溅射时背底真空度为6.0×10-4Pa～7.0×10-4Pa。在其中一个实施方式中，磁控溅射时腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式元器件的封端方法，其特征在于，包括以下步骤：采用磁控溅射的方式在陶瓷体的端面制备端电极；在所述端电极的表面电镀形成镍层；在所述镍层的表面电镀形成锡层。

【技术特征摘要】
1.一种片式元器件的封端方法，其特征在于，包括以下步骤：采用磁控溅射的方式在陶瓷体的端面制备端电极；在所述端电极的表面电镀形成镍层；在所述镍层的表面电镀形成锡层。2.根据权利要求1所述的片式元器件的封端方法，其特征在于，所述磁控溅射的靶材为镍铬合金。3.根据权利要求1所述的片式元器件的封端方法，其特征在于，所述磁控溅射的功率为200W～260W，磁控溅射的时间为5min～20min，加热的温度为200℃～400℃。4.根据权利要求1所述的片式元器件的封端方法，其特征在于，所述磁控溅射在保护性气体气氛下进行，所述保护气体的流量为30sccm～60sccm。5.根据权利要求1所述的片式元器件的封端方法，其特征在于，所述端电极的厚度为0.45μm～0.55μm。6.根据权利要求1所述的片式元器件的封端方法，其特征在于，所述采用磁控溅射的方式在所述陶瓷体的端面制备端电极的步骤前还包括步骤：对所述陶瓷体的端面进行打磨处理。7.根据权利要求1所述的片...

【专利技术属性】
技术研发人员：农剑，周超，付振晓，沓世我，伍秀波，王建明，李保昌，
申请(专利权)人：广东风华高新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44