一种模组化的光电二极管封装器件制造技术

本发明专利技术公开了一种模组化的光电二极管封装器件，属于二极管封装技术领域，在陶瓷基板上设置通孔，并在通孔内设置不发光二极管晶粒，基板与晶粒之间填充环氧树脂；所述陶瓷基板的下表面设置有两块导体层；陶瓷基板的上表面设置有两块导体层；所述陶瓷基板上表面的两块导体层上方设置一颗LED倒装二极管晶粒，其两个电极分别与两导体层连接；在陶瓷基板的上方通过硅胶包裹封装晶粒及连接电路；在陶瓷基板的两侧面设置端电极，连接上下导体层；在端电极及下导体层上设置易焊锡性金属层。本发明专利技术采用模组化的光电二极管封装设计，提升产品的发光效率，增加产品的散热效率以及保证LED晶粒的安全性，满足客户对产品轻薄化、集成化的设计需求。

A modular device for encapsulating a photodiode

The invention discloses a photoelectric diode package module, which belongs to the technical field of diode package, through holes are arranged on a ceramic substrate, and arranged in the through holes are not light emitting diode grain, epoxy resin filled between the substrate and the grain; under the surface of the ceramic substrate is provided with a two conductor layer on the surface of the ceramic piece; the substrate is provided with two pieces of conductor layer; two conductor layer above the surface of the ceramic substrate is provided with a LED flip chip diode grain, the two electrodes are respectively connected with the two conductor layer; above the ceramic substrate by silica gel encapsulated grain and connecting circuit; terminal electrode is disposed on the two side of the ceramic substrate. Connecting the upper and lower conductor layer; easy to solder metal layer is arranged on the terminal electrode and the conductor layer. The invention adopts photoelectric diode package design module, improving the luminous efficiency of products, increase the heat dissipation efficiency of products and ensure the safety of LED grain, to meet the customer's lightweight, integrated design requirements.

【技术实现步骤摘要】
一种模组化的光电二极管封装器件
本专利技术涉及了一种模组化的光电二极管封装器件，属于二极管封装

技术介绍
随着科学技术的不断发展，电子产品更新迭代的速度也在加快，而LED贴片组件也在向小型化、集成化发展。目前市场上LED贴片的封装技术采用铜支架结合塑胶模型组成，当作载体并在其内部用硅胶混合荧光粉封盖LED晶粒及保护组件。在此市场上的LED贴片封装技术，其产品封装后成品发光角度较小，不发光晶粒设置在发光区域硅胶内，影响发光效率，设计空间占用较多，较不适合小型化的设计需求。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本专利技术所要解决的问题是提供一种模组化的光电二极管封装器件，有利于提高产品的发光效率，增大产品的发光角度，减少组件的占用空间，更适合小型化的产品设计需求。为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种模组化的光电二极管封装器件，其特征在于：一种模组化的光电二极管封装器件，其特征在于：在基板上设置通孔，并在通孔内设置不发光二极管晶粒，基板与晶粒之间填充环氧树脂；所述基板的下表面设置有下导体层，下导体层与不发光二极管晶粒的下表面连接；基板的上表面设置有上导体层，上导体层连接不发光二极管晶粒上表面；所述基板上表面的上导体层上方设置倒装LED二极管晶粒，倒装LED二极管晶粒的N极与不发光二极管晶粒上方相连的部分上导体层连接，倒装LED二极管晶粒的P极与其余上导体层连接；在基板的上方通过硅胶层包裹封装晶粒及上、下导体层和基板；在基板的两侧面设置端电极，端电极连接上、下导体层；在端电极及下导体层上设置具有焊锡性金属层。前述的一种模组化的光电二极管封装器件，所述基板为陶瓷材质。前述的一种模组化的光电二极管封装器件，所述倒装LED晶粒外延层的衬底，其能隙高于发光外延层的能隙。AlInGaN倒装LED芯片的衬底为蓝宝石Al2O3；AlxGa（1-x）As倒装LED芯片的衬底为AlyGa（1-y）As,x>y。前述的一种模组化的光电二极管封装器件，所述倒装LED晶粒发光波长从300nm到980nm之间，为串联型的集成LED晶粒组成。优选的，所述倒装LED二极管晶粒为串联型的集成AlInGaNLED晶粒组成的倒装晶粒。所述倒装LED芯片发光波长从300nm到550nm之间。前述的一种模组化的光电二极管封装器件，所述不发光二极管晶粒可设计成梯形截面以降低晶粒重心，防止晶粒侧倾；在其上表面设置银质突块以增加导电性。前述的一种模组化的光电二极管封装器件，所述不发光二极管晶粒作为倒装LED芯片保护二极管。所述不发光二极管晶粒与倒装LED二极管晶粒以并联电路连接。前述的一种模组化的光电二极管封装器件，所述硅胶为光学透明硅胶混合荧光粉的混粉胶。本专利技术的有益效果是：1、采用倒装LED晶粒，减少光通量损耗，提升其发光效率；2、将不发光二极管封装在陶瓷基板内，因陶瓷的导热系数大于环氧树脂，从而大幅提升其散热效率；3、采用模组化的集成设计，在同一器件中兼具发光组件与电子组件的控制与保护的功能，有效减少产品的占用空间，满足小型化的设计需求。附图说明图1是本专利技术为单颗产品内部结构的立体示意图。图2是本专利技术为单颗串联集成LED芯片侧视示意图。图3是本专利技术为单颗串联集成LED芯片电路图。具体实施方式为进一步阐述本产品的特征，以下结合说明书附图，对本专利技术的主要结构以及实施方法、步骤作进一步的说明。如图1所示，一种模组化的光电二极管封装器件，包含：在基板1上设置通孔，并在通孔内设置不发光二极管晶粒2，基板与晶粒之间填充环氧树脂3；所述基板的下表面设置有两块下导体层4，其中一块下导体层与不发光二极管晶粒的下表面连接；基板的上表面设置有两块上导体层5，其中一块上导体层连接不发光二极管晶粒上表面；所述基板上表面的两块上导体层上方设置一颗LED倒装二极管晶粒6，倒装LED二极管晶粒的N极与不发光二极管晶粒上方相连的部分上导体层连接，倒装LED二极管晶粒的P极与其余上导体层连接；在基板的上方通过硅胶层7包裹封装两个晶粒及连接电路；在基板的两侧面设置端电极8，端电极连接上、下导体层；在端电极及下导体层上设置具有焊锡性金属层。所述AlInGaN倒装LED芯片6外延层的衬底，其能隙高于发光外延层的能隙。所述倒装LED芯片6发光波长从300nm到980nm之间，优选从300nm到550nm之间，采用串联型的集成AlInGaNLED芯片组成倒装芯片。所述不发光二极管晶粒设计成梯形截面以降低晶粒重心，防止晶粒侧倾，也可在其上表面设置银质突块以增加导电性。所述不发光二极管晶粒与AlInGaN倒装LED芯片以并联电路连接。所述硅胶7为荧光粉的混粉硅胶。该封装产品其发光角度达180°，采用模组化的集成封装技术，将保护二极管晶粒封在陶瓷基板内，减少了组件所占用空间，并提升了产品发光效率，也保证了产品的使用安全性，增加其使用生命周期。综上所述，本专利技术提供一种模组化的集成光电二极管封装，通过对产品的结构及制造工艺进行重新设计及优化，在保护产品安全性的同时也提升了其光学特性，在LED市场将得到广泛的应用。上述实施例不以任何形式限制本专利技术，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种模组化的光电二极管封装器件，其特征在于：在基板(1)上设置通孔，并在通孔内设置不发光二极管晶粒(2)，基板与晶粒之间填充环氧树脂(3)；所述基板的下表面设置有下导体层(4)，下导体层与不发光二极管晶粒的下表面连接；基板的上表面设置有上导体层(5)，上导体层连接不发光二极管晶粒上表面；所述基板上表面的上导体层上方设置倒装LED二极管晶粒(6)，倒装LED二极管晶粒的N极与不发光二极管晶粒上方相连的部分上导体层连接，倒装LED二极管晶粒的P极与其余上导体层连接；在基板的上方通过硅胶层(7)包裹封装晶粒及上、下导体层和基板；在基板的两侧面设置端电极(8)，端电极连接上、下导体层；在端电极及下导体层上设置具有焊锡性金属层。

【技术特征摘要】
1.一种模组化的光电二极管封装器件，其特征在于：在基板(1)上设置通孔，并在通孔内设置不发光二极管晶粒(2)，基板与晶粒之间填充环氧树脂(3)；所述基板的下表面设置有下导体层(4)，下导体层与不发光二极管晶粒的下表面连接；基板的上表面设置有上导体层(5)，上导体层连接不发光二极管晶粒上表面；所述基板上表面的上导体层上方设置倒装LED二极管晶粒(6)，倒装LED二极管晶粒的N极与不发光二极管晶粒上方相连的部分上导体层连接，倒装LED二极管晶粒的P极与其余上导体层连接；在基板的上方通过硅胶层(7)包裹封装晶粒及上、下导体层和基板；在基板的两侧面设置端电极(8)，端电极连接上、下导体层；在端电极及下导体层上设置具有焊锡性金属层。2.根据权利要求1所述的一种模组化的光电二极管封装器件，其特征在于：所述基板(1)为陶瓷材质。3.根据权利要求1所述的一种模组化的光电二极管封装器件，其特征在于：所述不发光二极管晶粒(2)为具有PN结结构，且不发光之半导体组件。4.根据权利要求1所述的一种模组化的光电二极管封装器件，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国庆，褚宏深，黄正信，
申请(专利权)人：丽智电子昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32