一种石墨盘的修复方法技术

本发明专利技术公开了一种石墨盘的修复方法，其特征在于，包括：对石墨盘表面进行第一裂纹检测；当检测到所述石墨盘表面的第一裂纹宽度满足第一预设裂纹宽度时，在所述石墨盘表面制备修复层，对所述石墨盘进行修复。本发明专利技术的技术方案对石墨盘的第一裂纹进行检测，并对存在第一裂纹的石墨盘进行修复，保证石墨盘表面的第一裂纹可以被覆盖填充，避免石墨盘因石墨裸露而被侵蚀，减少了碳掺杂对制品品质的影响，提升了半导体材料制造性能，同时可以延长石墨盘使用寿命，并预防因应力累积而造成石墨盘破裂的风险。

A method for repairing graphite plates

The invention discloses a method for repairing a graphite disk, which is characterized in that the first crack on the surface of the graphite disk is detected; when the width of the first crack on the surface of the graphite disk meets the width of the first preset crack, a repairing layer is prepared on the surface of the graphite disk and the graphite disk is repaired. The technical scheme of the invention detects the first crack of the graphite disc and repairs the graphite disc with the first crack, ensures that the first crack on the surface of the graphite disc can be covered and filled, avoids the corrosion of the graphite disc due to the exposed graphite, reduces the influence of carbon doping on the quality of the product, and improves the manufacture of semiconductor materials. It can also prolong the service life of graphite disk and prevent the risk of fracture of graphite disk caused by stress accumulation.

【技术实现步骤摘要】
一种石墨盘的修复方法
本专利技术实施例涉及半导体制造技术，尤其涉及一种石墨盘的修复方法。
技术介绍
金属有机化学气相沉积(Metal-organicChemicalVaporDeposition，MOCVD)设备中的晶圆载体通常为石墨盘，它包括石墨支撑体和在石墨支撑体表面沉积的涂层。石墨盘失效主要是由于两者物理性能的差异，在MOCVD沉积过程中，极端烘烤条件下所产生的频繁的、较大的温度差异，往往导致涂层先破损，然后导致石墨支撑体破损。此外，大尺寸石墨盘在沉积过程中的温度不均匀导致石墨支撑体和涂层的热应力剧增，而导致石墨盘涂层破损，破损之后NH3通过裂纹侵蚀包裹在里面的石墨，而加剧石墨盘的破损。因为裂纹而裸露出来的石墨在沉积过程中，会促进碳的掺杂而严重影响产品品质。甚至，晶圆载体上出现惯穿裂纹而未及时处置，在生长过程中发生破裂就会严重损坏腔体内硬件且增加MOCVD反应器宕机时间。目前常用的解决方法是以肉眼目测方式来检查晶圆载体的外貌，如果它存在明显的缺陷或瑕疵，那么就将它报废；或者是在其累计沉积生长次数超过某一限度值后，就将该晶圆载体报废。而这两种方法都有明显的缺点，比如目检无法检出细本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨盘的修复方法，其特征在于，包括：对石墨盘表面进行第一裂纹检测；当检测到所述石墨盘表面的第一裂纹宽度满足第一预设裂纹宽度时，在所述石墨盘表面制备修复层，对所述石墨盘进行修复。

【技术特征摘要】
1.一种石墨盘的修复方法，其特征在于，包括：对石墨盘表面进行第一裂纹检测；当检测到所述石墨盘表面的第一裂纹宽度满足第一预设裂纹宽度时，在所述石墨盘表面制备修复层，对所述石墨盘进行修复。2.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，当检测到所述石墨盘表面的第一裂纹宽度满足第一预设裂纹宽度时，在所述石墨盘表面制备修复层，对所述石墨盘进行修复，包括：当检测到所述石墨盘表面的第一裂纹宽度满足第一预设裂纹宽度时，采用金属有机化合物化学气相沉积、化学气相沉积或者物理气相沉积的方法，在所述石墨盘表面制备修复层，对所述石墨盘进行修复。3.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述修复层包括AlN层以及SiC层中的至少一种。4.根据权利要求3所述的修复方法，其特征在于，当采用金属有机化合物化学气相沉积的方法制备AlN层时，所述AlN层的生长压强范围为3*103-9*104Pa，生长温度范围为800-1400摄氏度；所述AlN层的生长材料为氮源氨气和铝源三甲基铝，且所述氮源氨气与所述铝源三甲基铝的摩尔比范围为10-50000；当采用化学气相沉积的方法制备SiC层，所述SiC层的生长压力范围为13.3-...

【专利技术属性】
技术研发人员：周文龙，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32