一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法，具体步骤包括：将石英粉均匀地涂在石墨件腐蚀层上，将涂覆过石英粉的各个石墨件，按照生长单晶硅时各个石墨件的结构顺序安装于单晶炉内；抽真空，将石墨件逐步加热到1650℃-1700℃，缓慢降温，待热场温度≤100℃以下时拆炉；打开单晶炉炉体，待热场冷却后，取出各个石墨件；去除每个石墨件表面上的残余石英粉，并将每个石墨件表面清理干净即成。本发明专利技术的方法，通过SiC与石英粉在高温下的反应，能够延长石墨件的使用寿命15-30炉；适用于直拉单晶硅中使用的各个石墨件。

【技术实现步骤摘要】

本 专利技术属于单晶硅生产
，涉及。
技术介绍
单晶硅的生长方法主要以Czochralski法(直拉法)为代表。组成直拉法单晶炉热场主要部件有隔热体、单瓣块体拼成的石墨坩埚、加热器、热屏、保温筒、埚托、保温盖等。以下文本中的石墨件是指石墨坩埚、隔热体、加热器、热屏、埚托。在直拉法工艺中，单晶炉内温度高于1400°C，石英坩埚在高温下软化，与多晶硅原料发生反应由此生成SiO气体,SiO气体继续与石墨件反应,生成一氧化碳、碳化娃等，反应时间越长碳化硅穿透石墨件越深，从而造成对石墨件的腐蚀，其化学反应式如下Si02+Si=2Si0, Si0+2C=SiC+C0, Si02+C=Si0+C0。碳化硅和石墨拥有不同的热膨胀系数，当碳化硅达到一定深度时，石墨件就会破裂，降低了石墨件的使用寿命；碳化硅也易与石英坩埚反应，使石英坩埚变薄，容易使石英坩埚造成漏硅，增加生产成本高。
技术实现思路
本专利技术公开了，解决了现有技术中无法去除石墨件上碳化硅腐蚀层，导致石墨件使用寿命短，生产成本增高的问题。本专利技术所采用的技术方案是，，具体按照以下步骤实施步骤I、在单晶炉内安装石墨件I. I)将石英粉均本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法，其特征在于，具体按照以下操作步骤实施：步骤1、在单晶炉内安装石墨件1.1）将石英粉均匀地涂在石墨件腐蚀层上，石英粉的粒径≤0.5mm，二氧化硅层的厚度为腐蚀层的1.2？2倍；1.2）将涂覆过石英粉的各个石墨件，按照生长单晶硅时各个石墨件的结构顺序安装于单晶炉内；步骤2、抽真空及加热闭合单晶炉，将单晶炉内抽真空，使单晶炉内压力≤20Pa；抽真空完毕后，验证泄漏率，要求泄漏率≤10Pa/小时；给定氩气流量为40？80L/min进行压力化，此时单晶炉内压力达到399？1330Pa，设定埚位为？50；将石墨件逐步加热到1650℃？1700℃，此时，石墨件腐蚀层与...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘永娥，高贻刚，张国霞，
申请(专利权)人：宁夏隆基硅材料有限公司，银川隆基硅材料有限公司，西安隆基硅材料股份有限公司，无锡隆基硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：