一种单晶炉检漏方法和检漏隔离器技术

本发明专利技术提供了一种单晶炉检漏方法和检漏隔离器，涉及太阳能光伏技术领域，用于对单晶炉的副室进行检漏，包括关闭主室和副室之间连接的隔离阀，隔离主室和副室，调节副室的气压至第一预设真空度，提供检漏隔离器，利用检漏隔离器密封气压处于第一预设真空度的副室，利用检漏仪对密封后的副室进行检漏，以确定副室的泄露位置。通过检漏隔离器密封副室的底部接口，可以单独密封副室，以使用检漏仪对副室进行检漏，从而可以快速确定泄露位置，提高检漏效率，避免单晶硅质量下降和生产效率降低的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉检漏方法和检漏隔离器


[0001]本专利技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及一种单晶炉检漏方法和检漏隔离器。

技术介绍

[0002]单晶硅作为太阳能光伏产业中的主要材料，通常采用单晶炉，通过直拉法生产。单晶炉主要由提拉头、副室、隔离阀和主室，以及各零部件组成。在单晶硅生产过程中，需要保持单晶炉的炉体密封(炉体包括主室和副室，主室和副室通过隔离阀连通)，并维持炉体内真空度不低于10托。
[0003]由于单晶炉副室安装有观察窗、顶部盲板、副室门和提拉头等活动部件。活动部件经过长期使用后，由于疲劳和磨损等因素，会导致炉体密封不严，引发泄漏。泄漏会使空气进入炉体，引发单晶硅的质量下降、晶体生长困难等问题。因此，需要找出副室的泄漏位置并进行维修。
[0004]目前，在生产过程中，单晶炉发生泄露，需要检漏维修时，通过隔离阀隔离主室和副室，保持主室内的条件不变，以保护主室内融化的多晶硅熔体，单独的对副室进行检漏。由于主室和副室之间压差较大，主室内的气体在较大压差下容易通过隔离阀进入副室，使副室内的压力升高，达不到检漏仪的检漏要求，难以使用检漏仪对副室进行检漏，只能采用人工的方式进行检漏，发现并修复泄露位置。人工检漏并不能快速准确的发现泄露位置，检漏效率低下，并且难以检测出泄露很小的部位。在无法确定泄露位置的情况下，只能在泄露条件下生产，得到质量较低的单晶硅；或者长时间停炉处理，直至发现并修复泄露位置，降低了生产效率。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种单晶炉检漏方法和检漏隔离器，旨在提高生产过程中单晶炉副室的检漏效率。
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供了一种单晶炉检漏方法，包括：
[0007]提供单晶炉，所述单晶炉包括主室、副室及隔离阀，关闭所述隔离阀，利用所述隔离阀隔离所述主室和所述副室；
[0008]调节所述副室的气压至第一预设真空度；
[0009]提供检漏隔离器，利用所述检漏隔离器密封气压处于所述第一预设真空度的所述副室；
[0010]提供检漏仪，利用所述检漏仪对密封后的所述副室进行检漏，以确定所述副室的泄露位置。
[0011]可选的，所述利用所述检漏隔离器密封气压处于所述第一预设真空度的所述副室之前，还包括：
[0012]提升气压处于所述第一预设真空度的所述副室，使所述副室与所述隔离阀分离；
以及，
[0013]移动分离后的所述副室，使分离后的所述副室远离所述隔离阀。
[0014]可选的，所述利用所述检漏隔离器密封气压处于所述第一预设真空度的所述副室，包括：
[0015]将所述检漏隔离器设置在所述隔离阀与所述副室之间；
[0016]使分离后的所述副室的底部接口与所述检漏隔离器连接，以密封分离后的所述副室的底部接口。
[0017]可选的，所述利用所述检漏仪对密封后的所述副室进行检漏，以确定所述副室的泄露位置，包括：
[0018]调节密封后的所述副室的气压至第二预设真空度；
[0019]利用所述检漏仪对气压处于所述第二预设真空度的所述副室进行检漏，以确定所述副室的泄露位置。
[0020]可选的，所述确定所述副室的泄露位置之后，还包括：
[0021]对所述泄露位置进行维修；
[0022]对维修后所述泄露位置进行检漏，确定维修后的所述泄露位置是否存在泄漏；
[0023]若确定维修后的所述泄露位置存在泄漏，则重复执行对所述泄露位置进行维修、以及对维修后的所述泄露位置进行检漏的步骤，直至所述泄露位置不存在泄漏。
[0024]可选的，还包括：若确定维修后的所述泄露位置不存在泄漏，则移除所述检漏隔离器，并连接不存在所述泄露位置的所述副室和所述主室；打开所述隔离阀，使所述主室和所述副室连通。
[0025]第二方面，本专利技术实施例提供了一种检漏隔离器，所述检漏隔离器用于对单晶炉的副室进行检漏，所述单晶炉包括主室、副室、以及位于所述主室和所述副室之间的隔离阀，所述检漏隔离器具有相对的第一表面和第二表面，所述检漏隔离器在靠近所述第一表面的一侧具有第一接口，所述第一接口用于连接并密封所述副室的底部接口。
[0026]可选的，所述检漏隔离器还包括隔离腔和第二接口，所述隔离腔位于所述第一表面和所述第二表面之间，所述隔离腔与所述第一接口相连通，所述第二接口的第一端连接所述隔离腔，所述第二接口的第二端用于连接所述检漏隔离器和/或所述副室外部。
[0027]可选的，所述第二接口的第二端设置有连接检漏仪的检漏仪接头。
[0028]可选的，所述检漏隔离器的第二表面具有凹槽结构，所述凹槽结构用于安装缓冲件。
[0029]在本专利技术实施例中，单晶炉检漏方法用于对生产过程中的单晶炉的副室进行检漏，在检漏过程中，关闭主室和副室之间连接的隔离阀，隔离主室和副室，调节副室的气压至第一预设真空度，利用检漏隔离器密封气压处于第一预设真空度的副室，利用检漏仪对密封后的副室进行检漏，以确定副室的泄露位置。在检漏过程中，通过检漏隔离器密封副室的底部接口，可以避免使用隔离阀隔离主室和副室时，主室内的气体进入副室，使副室内的压力难以达到检漏仪的检漏要求，从而导致无法使用检漏仪对副室进行检漏的问题。进一步的，通过检漏仪对副室进行检漏，可以快速准确的发现泄露位置，提高检漏效率，从而避免人工无法快速确定泄露位置时，在泄露条件下继续生产导致的单晶硅质量下降的问题。并且由于本实施例可以快速准确的发现泄露位置，因此可以解决现有技术中长时间停炉检
漏，导致生产效率降低的问题。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1示出了本专利技术实施例一中的一种单晶炉检漏方法的步骤流程图；
[0032]图2示出了本专利技术实施例一中的一种单晶炉的结构示意图；
[0033]图3示出了本专利技术实施例一中的一种检漏隔离器密封副室底部接口的示意图；
[0034]图4示出了本专利技术实施例二中的一种单晶炉检漏方法的步骤流程图；
[0035]图5示出了本专利技术实施例二中的一种检漏隔离器的结构示意图；
[0036]图6示出了本专利技术实施例一中图3中A位置的局部剖视图；
[0037]图7示出了本专利技术实施例二中的一种检漏隔离器的剖视图。
[0038]附图标记说明：
[0039]201-主室，202-副室，2021-底部接口，203-隔离阀，204-检漏隔离器，2041-第一接口，2042-隔离腔，2043-第二接口，2044-凹槽结构，2045-缓冲件。
具体实施方式
[0040]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉检漏方法，用于检测单晶炉副室的泄露位置，其特征在于，包括：提供单晶炉，所述单晶炉包括主室、副室及隔离阀，关闭所述隔离阀，利用所述隔离阀隔离所述主室和所述副室；调节所述副室的气压至第一预设真空度；提供检漏隔离器，利用所述检漏隔离器密封气压处于所述第一预设真空度的所述副室；提供检漏仪，利用所述检漏仪对密封后的所述副室进行检漏，以确定所述副室的泄露位置。2.根据权利要求1所述的检漏方法，其特征在于，所述利用所述检漏隔离器密封气压处于所述第一预设真空度的所述副室之前，还包括：提升气压处于所述第一预设真空度的所述副室，使所述副室与所述隔离阀分离；以及，移动分离后的所述副室，使分离后的所述副室远离所述隔离阀。3.根据权利要求2所述的检漏方法，其特征在于，所述利用所述检漏隔离器密封气压处于所述第一预设真空度的所述副室，包括：将所述检漏隔离器设置在所述隔离阀与所述副室之间；使分离后的所述副室的底部接口与所述检漏隔离器连接，以密封分离后的所述副室的底部接口。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述检漏仪对密封后的所述副室进行检漏，以确定所述副室的泄露位置，包括：调节密封后的所述副室的气压至第二预设真空度；利用所述检漏仪对气压处于所述第二预设真空度的所述副室进行检漏，以确定所述副室的泄露位置。5.根据权利要求4所述的检漏方法，其特征在于，所述确定所述副室的泄露位置之后，还包括：对所述泄...

【专利技术属性】
技术研发人员：马振中，赵常福，
申请(专利权)人：宁夏隆基硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：